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    CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR EB OR EUV LITHOGRAPHY AND PATTERNING PROCESS
    1.
    发明申请
    CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR EB OR EUV LITHOGRAPHY AND PATTERNING PROCESS 有权
    用于EB或EUV光刻和图案处理的化学放大正电阻组合物

    公开(公告)号：US20110200941A1

    公开(公告)日：2011-08-18

    申请号：US13027356

    申请日：2011-02-15

    申请人： Keiichi MASUNAGA ,  Satoshi Watanabe ,  Akinobu TANAKA ,  Daisuke DOMON

    发明人： Keiichi MASUNAGA ,  Satoshi Watanabe ,  Akinobu TANAKA ,  Daisuke DOMON

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

    摘要： A chemically amplified positive resist composition for EB or EUV lithography is provided comprising (A) a polymer or a blend of polymers wherein a film of the polymer or polymer blend is insoluble in alkaline developer, but turns soluble under the action of acid, (B) an acid generator, (C) a basic compound, and (D) a solvent. The basic compound (C) is a polymer comprising recurring units bearing a side chain having a secondary or tertiary amine structure as a basic active site and constitutes a part or the entirety of the polymer or polymers as component (A).

    摘要翻译： 提供了用于EB或EUV光刻的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其包含（A）聚合物或聚合物共混物，其中聚合物或聚合物共混物的膜不溶于碱性显影剂，但在酸的作用下变得可溶，（B ）酸产生剂，（C）碱性化合物和（D）溶剂。 碱性化合物（C）是包含具有作为碱性活性位点的具有仲胺结构或叔胺结构的侧链的重复单元并且构成作为组分（A）的聚合物或聚合物的一部分或全部的聚合物。

    POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS
    2.
    发明申请
    POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS 有权
    积极抵抗组成和图案形成过程

    公开(公告)号：US20110003251A1

    公开(公告)日：2011-01-06

    申请号：US12786013

    申请日：2010-05-24

    申请人： Akinobu TANAKA ,  Keiichi MASUNAGA ,  Daisuke DOMON ,  Satoshi WATANABE

    发明人： Akinobu TANAKA ,  Keiichi MASUNAGA ,  Daisuke DOMON ,  Satoshi WATANABE

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0395 ,  G03F7/0397

    摘要： The present invention relates to a positive resist composition and to a pattern forming process using the same. The present invention provides: a positive resist composition having an enhanced etching resistance and an excellent resolution and being capable of providing an excellent pattern profile even at a substrate-side boundary face of resist, in photolithography for fine processing, and particularly in lithography adopting, as an exposure source, KrF laser, extreme ultraviolet rays, electron beam, X-rays, or the like; and a pattern forming process utilizing the positive resist composition.

    摘要翻译： 本发明涉及正性抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法。 本发明提供：具有增强的抗蚀刻性和优异分辨率的正型抗蚀剂组合物，并且即使在抗蚀剂的基板侧边界面，也能够在光刻中进行精细加工，并且特别是在光刻中， 作为曝光源，KrF激光，极紫外线，电子束，X射线等; 以及利用正性抗蚀剂组合物的图案形成工艺。

    NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
    4.
    发明申请
    NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 有权
    负极组合物和图案过程

    公开(公告)号：US20110129765A1

    公开(公告)日：2011-06-02

    申请号：US12902868

    申请日：2010-10-12

    申请人： Akinobu TANAKA ,  Keiichi MASUNAGA ,  Daisuke DOMON ,  Satoshi WATANABE

    发明人： Akinobu TANAKA ,  Keiichi MASUNAGA ,  Daisuke DOMON ,  Satoshi WATANABE

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0045

    摘要： There is disclosed a negative resist composition wherein a base resin contains at least repeating units represented by the following general formula (1) and general formula (2) and has a weight average molecular weight of 1,000 to 10,000, and the compound containing a nitrogen atom as a basic component contains one or more kinds of amine compounds having a carboxyl group and not having a hydrogen atom covalently bonded to a base-center nitrogen atom. There can be a negative resist composition in which a bridge hardly occurs, substrate dependence is low and a pattern with a high sensitivity and a high resolution can be formed, and a patterning process using the same.

    摘要翻译： 公开了一种负型抗蚀剂组合物，其中基础树脂至少含有由以下通式（1）和通式（2）表示的重复单元，其重均分子量为1,000至10,000，并且含有氮原子的化合物 碱性组分含有一种或多种具有羧基并且不具有与碱中心氮原子共价键合的氢原子的胺化合物。 可以存在几乎不发生桥的负的抗蚀剂组合物，衬底依赖性低，并且可以形成具有高灵敏度和高分辨率的图案，以及使用其的图案化处理。