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    MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND WRITE METHOD OF THE SAME
    1.
    发明申请
    MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND WRITE METHOD OF THE SAME 有权
    磁性随机存取存储器及其写入方法

    公开(公告)号：US20100020592A1

    公开(公告)日：2010-01-28

    申请号：US12510063

    申请日：2009-07-27

    申请人： Keiji HOSOTANI ,  Masahiko NAKAYAMA

    发明人： Keiji HOSOTANI ,  Masahiko NAKAYAMA

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/15 ,  G11C7/00

    CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/161

    摘要： A first magnetic layer has a magnetization fixed along one direction. A first nonmagnetic layer on the first magnetic layer functions as a first tunnel barrier. A second magnetic layer on the first nonmagnetic layer has a magnetization whose direction can be reversed by spin transfer current injection. A second nonmagnetic layer on the second magnetic layer functions as a second tunnel barrier. A third magnetic layer on the second nonmagnetic layer has a magnetization whose direction can be reversed by spin transfer through current injection at a current density different from the second magnetic layer. First magnetic, first nonmagnetic layer, and second magnetic layers exhibit a first magnetoresistive effect. Second magnetic, second nonmagnetic, and third magnetic layers exhibit a second magnetoresistive effect. A magnetoresistive effect element records and reads out data of at least three levels based on a synthetic resistance from the first and second magnetoresistive effects.

    摘要翻译： 第一磁性层具有沿着一个方向固定的磁化。 第一磁性层上的第一非磁性层用作第一隧道势垒。 第一非磁性层上的第二磁性层具有通过自旋转移电流注入方向可以反转的磁化。 第二磁性层上的第二非磁性层用作第二隧道势垒。 第二非磁性层上的第三磁性层具有磁化，其方向可以通过在不同于第二磁性层的电流密度的电流注入的自旋转移来反转。 第一磁性，第一非磁性层和第二磁性层表现出第一磁阻效应。 第二磁性，第二非磁性和第三磁性层表现出第二磁阻效应。 磁阻效应元件基于来自第一和第二磁阻效应的合成电阻来记录和读出至少三个电平的数据。

    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
    2.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY 有权
    磁性元件和磁记忆

    公开(公告)号：US20080180859A1

    公开(公告)日：2008-07-31

    申请号：US12014522

    申请日：2008-01-15

    申请人： Tomomasa UEDA ,  Hisanori AIKAWA ,  Masatoshi YOSHIKAWA ,  Naoharu SHIMOMURA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Sumio IKEGAWA ,  Keiji HOSOTANI ,  Makoto NAGAMINE

    发明人： Tomomasa UEDA ,  Hisanori AIKAWA ,  Masatoshi YOSHIKAWA ,  Naoharu SHIMOMURA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Sumio IKEGAWA ,  Keiji HOSOTANI ,  Makoto NAGAMINE

    IPC分类号： G11B5/33

    CPC分类号： G11C11/15 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： A magnetoresistive element includes: a magnetization free layer having a first plane and a second plane located on the opposite side from the first plane, and having a variable magnetization direction; a magnetization pinned layer provided on the first plane side of the magnetization free layer, and having a pinned magnetization direction; a first tunnel barrier layer provided between the magnetization free layer and the magnetization pinned layer; a second tunnel barrier layer provided on the second plane of the magnetization free layer; and a non-magnetic layer provided on a plane on the opposite side of the second tunnel barrier layer from the magnetization free layer. The magnetization direction of the magnetization free layer is variable by applying current between the magnetization pinned layer and the non-magnetic layer, and a resistance ratio between the first tunnel barrier layer and the second tunnel barrier layer is in a range of 1:0.25 to 1:4.

    摘要翻译： 磁阻元件包括：无磁化层，其具有第一平面和位于与第一平面相反的一侧的第二平面，并且具有可变的磁化方向; 磁化固定层，设置在所述磁化自由层的所述第一平面侧上，并且具有钉扎磁化方向; 设置在所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的第一隧道势垒层; 设置在无磁化层的第二平面上的第二隧道势垒层; 以及设置在与磁化自由层相反的第二隧道势垒层的相对侧上的平面上的非磁性层。 磁化自由层的磁化方向通过在磁化被钉扎层和非磁性层之间施加电流而变化，并且第一隧道势垒层和第二隧道势垒层之间的电阻比在1:0.25至 1：4。

    MAGNETORESISTIVE ELEMENT
    5.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT 有权
    磁电元件

    公开(公告)号：US20140284742A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：US13963762

    申请日：2013-08-09

    申请人： Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi KAI ,  Hiroaki YODA

    发明人： Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi KAI ,  Hiroaki YODA

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10

    CPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element includes first, second and third magnetic layers, and first and second nonmagnetic layers. The third magnetic layer has stack layers including a first stack layer close to the second magnetic layer, and a second stack layer far from the second magnetic layer. Each of the first and second stack layers includes a first layer made of a ferromagnetic material and a second layer made of a nonmagnetic material, and a first ratio of a film thickness of the first layer to that of the second layer in the first stack layer is higher than a second ratio of a film thickness of the first layer to that of the second layer in the second stack layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括第一，第二和第三磁性层以及第一和第二非磁性层。 第三磁性层具有包括靠近第二磁性层的第一堆叠层和远离第二磁性层的第二堆叠层的堆叠层。 第一和第二堆叠层中的每一个包括由铁磁材料制成的第一层和由非磁性材料制成的第二层，并且第一层的第一层的膜厚度与第二层的膜厚度的第一比率 高于第二层的第一层的膜厚度与第二层的膜厚度的第二比率。

    MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    6.
    发明申请
    MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY 有权
    磁阻效应元件和磁性随机存取存储器

    公开(公告)号：US20110309418A1

    公开(公告)日：2011-12-22

    申请号：US13184976

    申请日：2011-07-18

    申请人： Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi Kai ,  Sumio Ikegawa ,  Hiroaki Yoda ,  Tatsuya Kishi

    发明人： Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi Kai ,  Sumio Ikegawa ,  Hiroaki Yoda ,  Tatsuya Kishi

    IPC分类号： H01L29/82

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/226

    摘要： A magnetoresistance effect element includes: a first ferromagnetic layer having invariable magnetization perpendicular to a film plane; a second ferromagnetic layer having variable magnetization perpendicular to the film plane; a first nonmagnetic layer interposed between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer; a third ferromagnetic layer provided on an opposite side of the second ferromagnetic layer from the first nonmagnetic layer, and having variable magnetization parallel to the film plane; and a second nonmagnetic layer interposed between the second and third ferromagnetic layers. Spin-polarized electrons are injected into the second ferromagnetic layer by flowing a current in the direction perpendicular to the film planes between the first and third ferromagnetic layers, precession movement is induced in the magnetization of the third ferromagnetic layer by injecting the spin-polarized electrons, and a microwave magnetic field of a frequency corresponding to the precession movement is applied to the second ferromagnetic layer.

    摘要翻译： 磁阻效应元件包括：具有垂直于膜平面的不变磁化的第一铁磁层; 具有垂直于膜平面的可变磁化的第二铁磁层; 介于所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的第一非磁性层; 第三铁磁层，其设置在所述第二铁磁层的与所述第一非磁性层相反的一侧上，并且具有与所述膜平面平行的可变磁化强度; 以及插入在第二和第三铁磁层之间的第二非磁性层。 通过在垂直于第一和第三铁磁层之间的膜平面的方向上流动电流，将旋转极化电子注入到第二铁磁层中，通过注入自旋极化电子在第三铁磁层的磁化中引起进动运动 并且将对应于进动运动的频率的微波磁场施加到第二铁磁层。

    MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
    9.
    发明申请
    MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY 有权
    磁阻效应元件和磁记忆

    公开(公告)号：US20120243305A1

    公开(公告)日：2012-09-27

    申请号：US13432626

    申请日：2012-03-28

    申请人： Masahiko NAKAYAMA ,  Katsuya NISHIYAMA

    发明人： Masahiko NAKAYAMA ,  Katsuya NISHIYAMA

    IPC分类号： G11C11/16 ,  H01L29/82

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228

    摘要： According to one embodiment, a magnetoresistance effect element includes first and second magnetic layers having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film surface, a first nonmagnetic layer formed between the first and second magnetic layers, a first interface magnetic layer formed between the first magnetic layer and the first nonmagnetic layer, and a second nonmagnetic layer formed in the first interface magnetic layer and having an amorphous structure. An electric current flowing through the first magnetic layer, the first nonmagnetic layer, and the second magnetic layer makes a magnetization direction in the first magnetic layer variable.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻效应元件包括在垂直于膜表面的方向上具有容易磁化的轴的第一和第二磁性层，形成在第一和第二磁性层之间的第一非磁性层，形成在第一和第二磁性层之间的第一界面磁性层 第一磁性层和第一非磁性层，以及形成在第一界面磁性层中并具有非晶结构的第二非磁性层。 流过第一磁性层，第一非磁性层和第二磁性层的电流使第一磁性层中的磁化方向变化。

    MAGNETORESISTIVE ELEMENT
    10.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT 有权
    磁电元件

    公开(公告)号：US20080131732A1

    公开(公告)日：2008-06-05

    申请号：US12019743

    申请日：2008-01-25

    申请人： Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi Kai ,  Tatsuya Kishi ,  Yoshiaki Fukuzumi ,  Toshihiko Nagase ,  Sumio Ikegawa ,  Hiroaki Yoda

    发明人： Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi Kai ,  Tatsuya Kishi ,  Yoshiaki Fukuzumi ,  Toshihiko Nagase ,  Sumio Ikegawa ,  Hiroaki Yoda

    IPC分类号： G11B5/39

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  Y10T428/1121

    摘要： A magnetoresistive element includes a first ferromagnetic layer having a first magnetization, the first magnetization having a first pattern when the magnetoresistive element is half-selected during a first data write, a second pattern when the magnetoresistive element is selected during a second data write, and a third pattern of residual magnetization, the first pattern being different from the second and third pattern, a second ferromagnetic layer having a second magnetization, and a nonmagnetic layer arranged between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer and having a tunnel conductance changing dependent on a relative angle between the first magnetization and the second magnetization.

    摘要翻译： 磁阻元件包括具有第一磁化的第一铁磁层，当在第一数据写入期间磁阻元件被半选择时，第一磁化具有第一图案，当在第二数据写入期间选择磁阻元件时的第二图案，以及 剩余磁化的第三图案，第一图案不同于第二和第三图案，具有第二磁化的第二铁磁层，以及布置在第一铁磁层和第二铁磁层之间并且具有隧道电导变化依赖性的非磁性层 在第一磁化和第二磁化之间的相对角度上。