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    Memory and method of fabricating the same
    1.
    发明授权
    Memory and method of fabricating the same 有权
    记忆及其制作方法

    公开(公告)号：US08274065B2

    公开(公告)日：2012-09-25

    申请号：US12581219

    申请日：2009-10-19

    申请人： Kuo-Pin Chang ,  Erh-Kun Lai

    发明人： Kuo-Pin Chang ,  Erh-Kun Lai

    IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/00

    CPC分类号： G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

    摘要： A memory, comprising a metal portion, a first metal layer and second metal oxide layer is provided. The first metal oxide layer is on the metal portion, and the first metal oxide layer includes N resistance levels. The second metal oxide layer is on the first metal oxide layer, and the second metal oxide layer includes M resistance levels. The memory has X resistance levels and X is less than the summation of M and N, for minimizing a programming disturbance.

    摘要翻译： 提供了包括金属部分，第一金属层和第二金属氧化物层的存储器。 第一金属氧化物层在金属部分上，第一金属氧化物层包括N电阻水平。 第二金属氧化物层在第一金属氧化物层上，第二金属氧化物层包括M电阻水平。 存储器具有X电阻电平，并且X小于M和N的总和，以最小化编程干扰。

    OPERATION METHOD FOR MULTI-LEVEL SWITCHING OF METAL-OXIDE BASED RRAM
    3.
    发明申请
    OPERATION METHOD FOR MULTI-LEVEL SWITCHING OF METAL-OXIDE BASED RRAM 有权
    基于金属氧化物的RRAM的多级开关操作方法

    公开(公告)号：US20090154222A1

    公开(公告)日：2009-06-18

    申请号：US12388655

    申请日：2009-02-19

    申请人： Wei-Chih Chien ,  Kuo-Pin Chang ,  Yi-Chou Chen ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang-Yeu Hsieh

    发明人： Wei-Chih Chien ,  Kuo-Pin Chang ,  Yi-Chou Chen ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang-Yeu Hsieh

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00

    CPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/54 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/32 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

    摘要： Memory devices and methods for operating such devices are described herein. A method as described herein for operating a memory device includes applying a sequence of bias arrangements across a selected metal-oxide memory element to change the resistance state from a first resistance state in a plurality of resistance states to a second resistance state in the plurality of resistance states. The sequence of bias arrangements comprise a first set of one or more pulses to change the resistance state of the selected metal-oxide memory element from the first resistance state to a third resistance state, and a second set of one or more pulses to change the resistance state of the selected metal-oxide memory element from the third resistance state to the second resistance state.

    摘要翻译： 这里描述了用于操作这样的设备的存储器件和方法。 本文描述的用于操作存储器件的方法包括：在所选择的金属氧化物存储元件上施加偏置布置序列，以将电阻状态从多个电阻状态中的第一电阻状态改变为多个电阻状态中的第二电阻状态 阻力状态。 偏置装置的顺序包括一个或多个脉冲的第一组，以将所选择的金属氧化物存储元件的电阻状态从第一电阻状态改变到第三电阻状态;以及第二组一个或多个脉冲，以改变 所选择的金属氧化物存储元件从第三电阻状态到第二电阻状态的电阻状态。

    Memory and Method of Fabricating the Same
    4.
    发明申请
    Memory and Method of Fabricating the Same 有权
    内存及其制作方法

    公开(公告)号：US20110089393A1

    公开(公告)日：2011-04-21

    申请号：US12581219

    申请日：2009-10-19

    申请人： Kuo-Pin Chang ,  Erh-Kun Lai

    发明人： Kuo-Pin Chang ,  Erh-Kun Lai

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L29/12 ,  H01L21/34

    CPC分类号： G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

    摘要： A memory, comprising a metal portion, a first metal layer and second metal oxide layer is provided. The first metal oxide layer is on the metal element, and the first metal oxide layer includes N resistance levels. The second metal oxide layer is on the first metal oxide layer, and the second metal oxide layer includes M resistance levels. The memory has X resistance levels and X is less than the summation of M and N, for minimizing a programming disturbance.

    摘要翻译： 提供了包括金属部分，第一金属层和第二金属氧化物层的存储器。 第一金属氧化物层在金属元件上，第一金属氧化物层包括N电阻水平。 第二金属氧化物层在第一金属氧化物层上，第二金属氧化物层包括M电阻水平。 存储器具有X电阻电平，并且X小于M和N的总和，以最小化编程干扰。

    Resistive Memory Structure with Buffer Layer
    5.
    发明申请
    Resistive Memory Structure with Buffer Layer 审中-公开
    具有缓冲层的电阻式存储器结构

    公开(公告)号：US20110189819A1

    公开(公告)日：2011-08-04

    申请号：US13083450

    申请日：2011-04-08

    申请人： Wei-Chih Chien ,  Kuo-Pin Chang ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang Yeu Hsieh

    发明人： Wei-Chih Chien ,  Kuo-Pin Chang ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang Yeu Hsieh

    IPC分类号： H01L21/8239

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1633 ,  Y10S438/90

    摘要： A memory device comprises first and second electrodes with a memory element and a buffer layer located between and electrically coupled to them. The memory element comprises one or more metal oxygen compounds. The buffer layer comprises at least one of an oxide and a nitride. Another memory device comprises first and second electrodes with a memory element and a buffer layer, having a thickness of less than 50 Å, located between and electrically coupled to them. The memory comprises one or more metal oxygen compounds. An example of a method of fabricating a memory device includes forming first and second electrodes. A memory, located between and electrically coupled to the first and the second electrodes, is formed; the memory comprises one or more metal oxygen compounds and the buffer layer comprises at least one of an oxide and a nitride.

    摘要翻译： 存储器件包括具有存储元件的第一和第二电极以及位于它们之间并与之电耦合的缓冲层。 记忆元件包括一种或多种金属氧化合物。 缓冲层包括氧化物和氮化物中的至少一种。 另一个存储器件包括具有存储元件和缓冲层的第一和第二电极，其厚度小于50，位于它们之间并与之电耦合。 记忆体包括一种或多种金属氧化合物。 制造存储器件的方法的一个例子包括形成第一和第二电极。 形成位于第一和第二电极之间并电耦合到第一和第二电极的存储器; 存储器包括一种或多种金属氧化合物，并且缓冲层包括氧化物和氮化物中的至少一种。

    Resistive memory structure with buffer layer
    6.
    发明授权
    Resistive memory structure with buffer layer 有权
    具有缓冲层的电阻式存储器结构

    公开(公告)号：US07943920B2

    公开(公告)日：2011-05-17

    申请号：US12836304

    申请日：2010-07-14

    申请人： Wei-Chih Chien ,  Kuo-Pin Chang ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang Yeu Hsieh

    发明人： Wei-Chih Chien ,  Kuo-Pin Chang ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang Yeu Hsieh

    IPC分类号： H01L29/04

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1633 ,  Y10S438/90

    摘要： A memory device comprises first and second electrodes with a memory element and a buffer layer located between and electrically coupled to them. The memory element comprises one or more metal oxygen compounds. The buffer layer comprises at least one of an oxide and a nitride. Another memory device comprises first and second electrodes with a memory element and a buffer layer, having a thickness of less than 50 Å, located between and electrically coupled to them. The memory comprises one or more metal oxygen compounds. An example of a method of fabricating a memory device includes forming first and second electrodes. A memory, located between and electrically coupled to the first and the second electrodes, is formed; the memory comprises one or more metal oxygen compounds and the buffer layer comprises at least one of an oxide and a nitride.

    摘要翻译： 存储器件包括具有存储元件的第一和第二电极以及位于它们之间并与之电耦合的缓冲层。 记忆元件包括一种或多种金属氧化合物。 缓冲层包括氧化物和氮化物中的至少一种。 另一个存储器件包括具有存储元件和缓冲层的第一和第二电极，其厚度小于50，位于它们之间并与之电耦合。 记忆体包括一种或多种金属氧化合物。 制造存储器件的方法的一个例子包括形成第一和第二电极。 形成位于第一和第二电极之间并电耦合到第一和第二电极的存储器; 存储器包括一种或多种金属氧化合物，并且缓冲层包括氧化物和氮化物中的至少一种。

    Resistive memory structure with buffer layer
    7.
    发明授权
    Resistive memory structure with buffer layer 有权
    具有缓冲层的电阻式存储器结构

    公开(公告)号：US07777215B2

    公开(公告)日：2010-08-17

    申请号：US12176183

    申请日：2008-07-18

    申请人： Wei-Chih Chien ,  Kuo-Pin Chang ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang Yeu Hsieh

    发明人： Wei-Chih Chien ,  Kuo-Pin Chang ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang Yeu Hsieh

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1633 ,  Y10S438/90

    摘要： A memory device comprises first and second electrodes with a memory element and a buffer layer located between and electrically coupled to them. The memory element comprises one or more metal oxygen compounds. The buffer layer comprises at least one of an oxide and a nitride. Another memory device comprises first and second electrodes with a memory element and a buffer layer, having a thickness of less than 50 Å, located between and electrically coupled to them. The memory comprises one or more metal oxygen compounds. An example of a method of fabricating a memory device includes forming first and second electrodes. A memory, located between and electrically coupled to the first and the second electrodes, is formed; the memory comprises one or more metal oxygen compounds and the buffer layer comprises at least one of an oxide and a nitride.

    摘要翻译： 存储器件包括具有存储元件的第一和第二电极以及位于它们之间并与之电耦合的缓冲层。 记忆元件包括一种或多种金属氧化合物。 缓冲层包括氧化物和氮化物中的至少一种。 另一个存储器件包括具有存储元件和缓冲层的第一和第二电极，其厚度小于50，位于它们之间并与之电耦合。 记忆体包括一种或多种金属氧化合物。 制造存储器件的方法的一个例子包括形成第一和第二电极。 形成位于第一和第二电极之间并电耦合到第一和第二电极的存储器; 存储器包括一种或多种金属氧化合物，并且缓冲层包括氧化物和氮化物中的至少一种。

    RESISTIVE MEMORY STRUCTURE WITH BUFFER LAYER
    9.
    发明申请
    RESISTIVE MEMORY STRUCTURE WITH BUFFER LAYER 有权
    电阻记忆结构与缓冲层

    公开(公告)号：US20090020740A1

    公开(公告)日：2009-01-22

    申请号：US12176183

    申请日：2008-07-18

    申请人： Wei-Chih CHIEN ,  Kuo-Pin Chang ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang Yeu Hsieh

    发明人： Wei-Chih CHIEN ,  Kuo-Pin Chang ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang Yeu Hsieh

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1633 ,  Y10S438/90

    摘要： A memory device comprises first and second electrodes with a memory element and a buffer layer located between and electrically coupled to them. The memory element comprises one or more metal oxygen compounds. The buffer layer comprises at least one of an oxide and a nitride. Another memory device comprises first and second electrodes with a memory element and a buffer layer, having a thickness of less than 50 Å, located between and electrically coupled to them. The memory comprises one or more metal oxygen compounds. An example of a method of fabricating a memory device includes forming first and second electrodes. A memory, located between and electrically coupled to the first and the second electrodes, is formed; the memory comprises one or more metal oxygen compounds and the buffer layer comprises at least one of an oxide and a nitride.

    摘要翻译： 存储器件包括具有存储元件的第一和第二电极以及位于它们之间并与之电耦合的缓冲层。 记忆元件包括一种或多种金属氧化合物。 缓冲层包括氧化物和氮化物中的至少一种。 另一个存储器件包括具有存储元件和缓冲层的第一和第二电极，其厚度小于50，位于它们之间并与之电耦合。 记忆体包括一种或多种金属氧化合物。 制造存储器件的方法的一个例子包括形成第一和第二电极。 形成位于第一和第二电极之间并电耦合到第一和第二电极的存储器; 存储器包括一种或多种金属氧化合物，并且缓冲层包括氧化物和氮化物中的至少一种。