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    Methods of dry stripping boron-carbon films
    1.
    发明授权
    Methods of dry stripping boron-carbon films 有权
    干法汽提硼碳膜的方法

    公开(公告)号：US09299581B2

    公开(公告)日：2016-03-29

    申请号：US13456404

    申请日：2012-04-26

    申请人： Kwangduk Douglas Lee ,  Sudha Rathi ,  Ramprakash Sankarakrishnan ,  Martin Jay Seamons ,  Irfan Jamil ,  Bok Hoen Kim

    发明人： Kwangduk Douglas Lee ,  Sudha Rathi ,  Ramprakash Sankarakrishnan ,  Martin Jay Seamons ,  Irfan Jamil ,  Bok Hoen Kim

    IPC分类号： B08B5/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L21/31122 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31144

    摘要： Embodiments of the invention generally relate to methods of dry stripping boron-carbon films. In one embodiment, alternating plasmas of hydrogen and oxygen are used to remove a boron-carbon film. In another embodiment, co-flowed oxygen and hydrogen plasma is used to remove a boron-carbon containing film. A nitrous oxide plasma may be used in addition to or as an alternative to either of the above oxygen plasmas. In another embodiment, a plasma generated from water vapor is used to remove a boron-carbon film. The boron-carbon removal processes may also include an optional polymer removal process prior to removal of the boron-carbon films. The polymer removal process includes exposing the boron-carbon film to NF3 to remove from the surface of the boron-carbon film any carbon-based polymers generated during a substrate etching process.

    摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及干燥汽提硼 - 碳膜的方法。 在一个实施方案中，使用氢和氧的交替等离子体去除硼 - 碳膜。 在另一个实施方案中，使用共流氧和氢等离子体去除含硼碳膜。 除了作为上述氧等离子体中的任一种之外，还可以使用一氧化二氮等离子体。 在另一个实施方案中，使用由水蒸气产生的等离子体来除去硼 - 碳膜。 在除去硼 - 碳膜之前，硼 - 碳去除方法还可以包括任选的聚合物去除方法。 聚合物去除方法包括将硼 - 碳膜暴露于NF3以从硼 - 碳膜的表面除去在基板蚀刻工艺期间产生的任何碳基聚合物。

    METHODS OF DRY STRIPPING BORON-CARBON FILMS
    2.
    发明申请
    METHODS OF DRY STRIPPING BORON-CARBON FILMS 有权
    干法剥离硼砂膜的方法

    公开(公告)号：US20120285492A1

    公开(公告)日：2012-11-15

    申请号：US13456404

    申请日：2012-04-26

    申请人： Kwangduk Douglas Lee ,  Sudha Rathi ,  Ramprakash Sankarakrishnan ,  Martin Jay Seamons ,  Irfan Jamil ,  Bok Hoen Kim

    发明人： Kwangduk Douglas Lee ,  Sudha Rathi ,  Ramprakash Sankarakrishnan ,  Martin Jay Seamons ,  Irfan Jamil ,  Bok Hoen Kim

    IPC分类号： B08B5/00

    CPC分类号： H01L21/31122 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31144

    摘要： Embodiments of the invention generally relate to methods of dry stripping boron-carbon films. In one embodiment, alternating plasmas of hydrogen and oxygen are used to remove a boron-carbon film. In another embodiment, co-flowed oxygen and hydrogen plasma is used to remove a boron-carbon containing film. A nitrous oxide plasma may be used in addition to or as an alternative to either of the above oxygen plasmas. In another embodiment, a plasma generated from water vapor is used to remove a boron-carbon film. The boron-carbon removal processes may also include an optional polymer removal process prior to removal of the boron-carbon films. The polymer removal process includes exposing the boron-carbon film to NF3 to remove from the surface of the boron-carbon film any carbon-based polymers generated during a substrate etching process.

    摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及干燥汽提硼 - 碳膜的方法。 在一个实施方案中，使用氢和氧的交替等离子体去除硼 - 碳膜。 在另一个实施方案中，使用共流氧和氢等离子体去除含硼碳膜。 除了作为上述氧等离子体中的任一种之外，还可以使用一氧化二氮等离子体。 在另一个实施方案中，使用由水蒸气产生的等离子体来除去硼 - 碳膜。 在除去硼 - 碳膜之前，硼 - 碳去除方法还可以包括任选的聚合物去除方法。 聚合物去除方法包括将硼 - 碳膜暴露于NF3以从硼 - 碳膜的表面除去在基板蚀刻工艺期间产生的任何碳基聚合物。

    Ultra high selectivity doped amorphous carbon strippable hardmask development and integration
    5.
    发明授权
    Ultra high selectivity doped amorphous carbon strippable hardmask development and integration 有权
    超高选择性掺杂无定形碳可剥离硬掩模开发和集成

    公开(公告)号：US08536065B2

    公开(公告)日：2013-09-17

    申请号：US13249794

    申请日：2011-09-30

    申请人： Martin Jay Seamons ,  Sudha Rathi ,  Kwangduk Douglas Lee ,  Deenesh Padhi ,  Bok Hoen Kim ,  Chiu Chan

    发明人： Martin Jay Seamons ,  Sudha Rathi ,  Kwangduk Douglas Lee ,  Deenesh Padhi ,  Bok Hoen Kim ,  Chiu Chan

    IPC分类号： H01L21/469

    CPC分类号： H01L21/64 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144

    摘要： Embodiments of the present invention generally relate to the fabrication of integrated circuits and particularly to the deposition of a boron containing amorphous carbon layer on a semiconductor substrate. In one embodiment, a method of processing a substrate in a processing chamber is provided. The method comprises providing a substrate in a processing volume, flowing a hydrocarbon containing gas mixture into the processing volume, generating a plasma of the hydrocarbon containing gas mixture by applying power from an RF source, flowing a boron containing gas mixture into the processing volume, and depositing a boron containing amorphous carbon film on the substrate in the presence of the plasma, wherein the boron containing amorphous carbon film contains from about 30 to about 60 atomic percentage of boron.

    摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及集成电路的制造，特别涉及在半导体衬底上沉积含硼无定形碳层。 在一个实施例中，提供了一种在处理室中处理衬底的方法。 该方法包括在处理体积中提供衬底，使含烃气体混合物流入处理体积，通过从含有硼的气体混合物流入处理体积的RF源施加功率产生含烃气体混合物的等离子体， 以及在所述等离子体存在下在所述衬底上沉积含硼无定形碳膜，其中所述含硼无定形碳膜含有约30至约60原子百分比的硼。

    ELIMINATION OF PHOTORESIST MATERIAL COLLAPSE AND POISONING IN 45-NM FEATURE SIZE USING DRY OR IMMERSION LITHOGRAPHY
    7.
    发明申请
    ELIMINATION OF PHOTORESIST MATERIAL COLLAPSE AND POISONING IN 45-NM FEATURE SIZE USING DRY OR IMMERSION LITHOGRAPHY 审中-公开
    使用干涉或倾斜光刻技术消除45-NM特征尺寸的光电材料收缩和沉淀

    公开(公告)号：US20090197086A1

    公开(公告)日：2009-08-06

    申请号：US12025615

    申请日：2008-02-04

    申请人： Sudha Rathi ,  Eui Kyoon Kim ,  Bok Hoen Kim ,  Martin Jay Seamons ,  Francimar Campana Schmitt

    发明人： Sudha Rathi ,  Eui Kyoon Kim ,  Bok Hoen Kim ,  Martin Jay Seamons ,  Francimar Campana Schmitt

    IPC分类号： G03F7/00 ,  B05D1/36 ,  H05H1/24 ,  B32B9/00

    CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  Y10T428/30

    摘要： A method and structure for the fabrication of semiconductor devices having feature sizes in the range of 90 nm and smaller is provided. In one embodiment of the invention, a method is provided for processing a substrate including depositing an anti-reflective coating layer on a surface of the substrate, depositing an adhesion promotion layer on the anti-reflective coating layer, and depositing a resist material on the adhesion promotion layer. In another embodiment of the invention, a semiconductor substrate structure is provided including a dielectric substrate, an amorphous carbon layer deposited on the dielectric layer, an anti-reflective coating layer deposited on the amorphous carbon layer, an adhesion promotion layer deposited on the anti-reflective coating layer, and a resist material deposited on the adhesion promotion layer.

    摘要翻译： 提供了具有尺寸在90nm以下的特征尺寸的半导体器件的制造方法和结构。 在本发明的一个实施例中，提供了一种处理衬底的方法，包括在衬底的表面上沉积抗反射涂层，在抗反射涂层上沉积粘合促进层，以及在抗反射涂层上沉积抗蚀剂材料 粘附促进层。 在本发明的另一个实施例中，提供了一种半导体衬底结构，其包括电介质衬底，沉积在电介质层上的无定形碳层，沉积在无定形碳层上的抗反射涂层， 反射涂层和沉积在粘附促进层上的抗蚀剂材料。

    PLASMA-INDUCED CHARGE DAMAGE CONTROL FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESSES
    8.
    发明申请
    PLASMA-INDUCED CHARGE DAMAGE CONTROL FOR PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESSES 审中-公开
    用于等离子体增强化学蒸气沉积过程的等离子体诱导电荷损失控制

    公开(公告)号：US20080254233A1

    公开(公告)日：2008-10-16

    申请号：US11733531

    申请日：2007-04-10

    申请人： KWANGDUK DOUGLAS LEE ,  Matthew Spuller ,  Martin Jay Seamons ,  Wendy H. Yeh ,  Bok Hoen Kim ,  Mohamad Ayoub ,  Amir Al-Bayati ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

    发明人： KWANGDUK DOUGLAS LEE ,  Matthew Spuller ,  Martin Jay Seamons ,  Wendy H. Yeh ,  Bok Hoen Kim ,  Mohamad Ayoub ,  Amir Al-Bayati ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad

    IPC分类号： C23C14/28

    CPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/52

    摘要： Methods of depositing amorphous carbon films on substrates are provided herein. The methods reduce or prevent plasma-induced charge damage to the substrates from the deposition of the amorphous carbon films. In one aspect, an initiation layer of amorphous carbon is deposited at a low RF power level and/or at a low hydrocarbon compound/inert gas flow rate ratio before a bulk layer of amorphous carbon is deposited. After the deposition of the initiation layer, the RF power, hydrocarbon flow rate, and inert gas flow rate may be ramped to final values for the deposition of the bulk layer, wherein the RF power ramp rate is typically greater than the ramp rates of the hydrocarbon compound and of the inert gas. In another aspect, a method of minimizing plasma-induced charge damage includes depositing a seasoning layer on one or more interior surfaces of a chamber before the deposition of the amorphous carbon film on a substrate therein or coating the interior surfaces with an oxide or dielectric layer during manufacturing.

    摘要翻译： 本文提供了在基片上沉积非晶碳膜的方法。 该方法从无定形碳膜的沉积中减少或防止等离子体对基板的电荷损伤。 在一个方面，在堆积无定形碳沉积层之前，以低RF功率水平和/或低烃化合物/惰性气体流速比沉积无定形碳的起始层。 在起始层的沉积之后，RF功率，烃流速和惰性气体流速可以斜坡化到用于沉积体层的最终值，其中RF功率斜坡率通常大于 烃化合物和惰性气体。 在另一方面，一种使等离子体感应的电荷损伤最小化的方法包括在将非晶碳膜沉积在基底上之前，在腔室的一个或多个内表面上沉积调味层，或者用氧化物或介电层涂覆内表面 在制造过程中。