公开(公告)号：US08211812B2

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：US12104353

申请日：2008-04-16

申请人： Lars-Ake Ragnarsson ,  Paul Zimmerman ,  Kazuhiko Yamamoto ,  Tom Schram ,  Wim Deweerd ,  David Brunco ,  Stefan De Gendt ,  Wilfried Vandervorst

发明人： Lars-Ake Ragnarsson ,  Paul Zimmerman ,  Kazuhiko Yamamoto ,  Tom Schram ,  Wim Deweerd ,  David Brunco ,  Stefan De Gendt ,  Wilfried Vandervorst

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One inventive aspect relates to a method for fabricating a high-k dielectric layer. The method comprises depositing onto a substrate a layer of a high-k dielectric material having a first thickness. The high-k dielectric material has a bulk density value and the first thickness is so that the high-k dielectric layer has a density of at least the bulk density value of the high-k dielectric material minus about 10%. The method further comprises thinning the high-k dielectric layer to a second thickness. Another inventive aspect relates to a semiconductor device comprising a high-k dielectric layer as fabricated by the method.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及一种用于制造高k电介质层的方法。 该方法包括在基底上沉积具有第一厚度的高k电介质材料的层。 高k电介质材料具有体积密度值，第一厚度使得高k电介质层具有至少高k电介质材料的体积密度值减去约10％的密度。 该方法还包括将高k电介质层变薄至第二厚度。 另一个发明方面涉及包括通过该方法制造的高k电介质层的半导体器件。

公开(公告)号：US20080265380A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US12104353

申请日：2008-04-16

申请人： Lars-Ake Ragnarsson ,  Paul Zimmerman ,  Kazuhiko Yamamoto ,  Tom Schram ,  Wim Deweerd ,  David Brunco ,  Stefan De Gendt ,  Wilfried Vandervorst

发明人： Lars-Ake Ragnarsson ,  Paul Zimmerman ,  Kazuhiko Yamamoto ,  Tom Schram ,  Wim Deweerd ,  David Brunco ,  Stefan De Gendt ,  Wilfried Vandervorst

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One inventive aspect relates to a method for fabricating a high-k dielectric layer. The method comprises depositing onto a substrate a layer of a high-k dielectric material having a first thickness. The high-k dielectric material has a bulk density value and the first thickness is so that the high-k dielectric layer has a density of at least the bulk density value of the high-k dielectric material minus about 10%. The method further comprises thinning the high-k dielectric layer to a second thickness. Another inventive aspect relates to a semiconductor device comprising a high-k dielectric layer as fabricated by the method.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及一种用于制造高k电介质层的方法。 该方法包括在基底上沉积具有第一厚度的高k电介质材料的层。 高k电介质材料具有体积密度值，第一厚度使得高k电介质层具有至少高k电介质材料的体积密度值减去约10％的密度。 该方法还包括将高k电介质层变薄至第二厚度。 另一个发明方面涉及包括通过该方法制造的高k电介质层的半导体器件。

公开(公告)号：US20080308881A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US11972615

申请日：2008-01-10

申请人： Stefan De Gendt ,  Lars-Ake Ragnarsson ,  Sven Van Elshocht ,  Shih-Hsun Chang ,  Christoph Adelmann ,  Tom Schram

发明人： Stefan De Gendt ,  Lars-Ake Ragnarsson ,  Sven Van Elshocht ,  Shih-Hsun Chang ,  Christoph Adelmann ,  Tom Schram

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/28176 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/20 ,  H01L29/517

摘要： The present disclosure relates to methods for forming a gate stack in a MOSFET device and to MOSFET devices obtainable through such methods. In exemplary methods described herein, a rare-earth-containing layer is deposited on a layer of a silicon-containing dielectric material. Before these layers are annealed, a gate electrode material is deposited on the rare-earth-containing layer. Annealing is performed after the deposition of the gate electrode material, such that a rare earth silicate layer is formed.

摘要翻译： 本公开涉及在MOSFET器件中形成栅极堆叠的方法以及通过这些方法可获得的MOSFET器件。 在本文所述的示例性方法中，含稀土层被沉积在含硅介电材料的层上。 在这些层退火之前，在稀土层上沉积栅电极材料。 在沉积栅电极材料之后进行退火，从而形成稀土硅酸盐层。

公开(公告)号：US20100219481A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：US12684803

申请日：2010-01-08

申请人： Joshua Tseng ,  Yasutoshi Okuno ,  Lars-Ake Ragnarsson ,  Tom Schram ,  Stefan Kubicek ,  Thomas Y. Hoffmann ,  Naohisa Sengoku

发明人： Joshua Tseng ,  Yasutoshi Okuno ,  Lars-Ake Ragnarsson ,  Tom Schram ,  Stefan Kubicek ,  Thomas Y. Hoffmann ,  Naohisa Sengoku

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28

摘要： A method for manufacturing a dual work function device is disclosed. In one aspect, the process includes a first and second region in a substrate. The method includes forming a first transistor in the first region which has a first work function. Subsequently, a second transistor is formed in the second region having a different work function. The process of forming the first transistor includes providing a first gate dielectric stack having a first gate dielectric layer and a first gate dielectric capping layer on the first gate dielectric layer, performing a thermal treatment to modify the first gate dielectric stack, the modified first gate dielectric stack defining the first work function, providing a first metal gate electrode layer on the modified first gate dielectric stack, and patterning the first metal gate electrode layer and the modified first gate dielectric stack.

摘要翻译： 公开了一种用于制造双功能功能装置的方法。 在一个方面，该方法包括在基底中的第一和第二区域。 该方法包括在具有第一功能的第一区域中形成第一晶体管。 随后，在具有不同功函数的第二区域中形成第二晶体管。 形成第一晶体管的过程包括提供在第一栅极介电层上具有第一栅极介电层和第一栅极介电覆盖层的第一栅极电介质堆叠，执行热处理以修改第一栅极电介质堆叠，修改的第一栅极 限定第一功函数的电介质叠层，在修改的第一栅极电介质堆叠上提供第一金属栅极电极层，以及对第一金属栅极电极层和修改的第一栅极电介质堆叠进行构图。

公开(公告)号：US08021948B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12338015

申请日：2008-12-18

申请人： Bogdan Govoreanu ,  Stefan De Gendt ,  Sven Van Elshocht ,  Tom Schram

发明人： Bogdan Govoreanu ,  Stefan De Gendt ,  Sven Van Elshocht ,  Tom Schram

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

摘要： A method for manufacturing a non-volatile memory device is described. The method comprises growing a layer in a siliconoxide consuming material, e.g. DyScO, on top of the upper layer of the layer where charge is stored. A non-volatile memory device is also described. In the non-volatile memory device, the interpoly/blocking dielectric comprises a layer in a siliconoxide consuming material, e.g. DyScO, on top of the upper layer of the layer where charge is stored, the siliconoxide consuming material having consumed at least part of the upper layer.

摘要翻译： 描述了用于制造非易失性存储器件的方法。 该方法包括在氧化硅消耗材料中生长一层，例如。 DyScO，在存储电荷的层的上层之上。 还描述了非易失性存储器件。 在非易失性存储器件中，多晶硅/绝缘电介质包括一层二氧化硅消耗材料， DyScO，在存储电荷的层的上层的顶部，消耗了上层的至少一部分的氧化硅消耗材料。

公开(公告)号：US20090166715A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12338015

申请日：2008-12-18

申请人： Bogdan Govoreanu ,  Stefan De Gendt ,  Sven Van Elshocht ,  Tom Schram

发明人： Bogdan Govoreanu ,  Stefan De Gendt ,  Sven Van Elshocht ,  Tom Schram

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

摘要： A method for manufacturing a non-volatile memory device is described. The method comprises growing a layer in a siliconoxide consuming material, e.g. DyScO, on top of the upper layer of the layer where charge is stored. A non-volatile memory device is also described. In the non-volatile memory device, the interpoly/blocking dielectric comprises a layer in a siliconoxide consuming material, e.g. DyScO, on top of the upper layer of the layer where charge is stored, the siliconoxide consuming material having consumed at least part of the upper layer.

摘要翻译： 描述了用于制造非易失性存储器件的方法。 该方法包括在氧化硅消耗材料中生长一层，例如。 DyScO，在存储电荷的层的上层之上。 还描述了非易失性存储器件。 在非易失性存储器件中，多晶硅/绝缘电介质包括一层二氧化硅消耗材料， DyScO，在存储电荷的层的上层的顶部，消耗了上层的至少一部分的氧化硅消耗材料。

公开(公告)号：US20110291179A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13207961

申请日：2011-08-11

申请人： Bogdan Govoreanu ,  Stefan De Gendt ,  Sven Van Elshocht ,  Tom Schram

发明人： Bogdan Govoreanu ,  Stefan De Gendt ,  Sven Van Elshocht ,  Tom Schram

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

摘要： A method for manufacturing a non-volatile memory device is described. The method comprises growing a layer in a siliconoxide consuming material, e.g. DyScO, on top of the upper layer of the layer where charge is stored. A non-volatile memory device is also described. In the non-volatile memory device, the interpoly/blocking dielectric comprises a layer in a siliconoxide consuming material, e.g. DyScO, on top of the upper layer of the layer where charge is stored, the siliconoxide consuming material having consumed at least part of the upper layer.

摘要翻译： 描述了用于制造非易失性存储器件的方法。 该方法包括在氧化硅消耗材料中生长一层，例如。 DyScO，在存储电荷的层的上层之上。 还描述了非易失性存储器件。 在非易失性存储器件中，多晶硅/绝缘电介质包括一层二氧化硅消耗材料， DyScO，在存储电荷的层的上层的顶部，消耗了上层的至少一部分的氧化硅消耗材料。

公开(公告)号：US20090050982A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US11754820

申请日：2007-05-29

申请人： Luigi Pantisano ,  Tom Schram ,  Stefan De Gendt ,  Amal Akheyar ,  XinPeng Wang ,  Mingfu Li ,  HongYu Yu

发明人： Luigi Pantisano ,  Tom Schram ,  Stefan De Gendt ,  Amal Akheyar ,  XinPeng Wang ,  Mingfu Li ,  HongYu Yu

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/785

摘要： A new MOSFET device is described comprising a metal gate electrode, a gate dielectric and an interfacial layer. The interfacial layer comprises a lanthanum hafnium oxide material for modulating the effective work function of the metal gate. The gate dielectric material in contact with the interfacial layer is different that the interfacial layer material. A method for its manufacture is also provided and its applications.

摘要翻译： 描述了一种新的MOSFET器件，其包括金属栅极电极，栅极电介质和界面层。 界面层包括用于调节金属栅极的有效功函数的镧氧化镧材料。 与界面层接触的栅极电介质材料与界面层材料不同。 还提供了其制造方法及其应用。

公开(公告)号：US20070272967A1

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：US11754775

申请日：2007-05-29

申请人： Luigi Pantisano ,  Tom Schram ,  Stefan De Gendt ,  Amal Akheyar ,  Geoffrey Pourtois ,  HongYu Yu

发明人： Luigi Pantisano ,  Tom Schram ,  Stefan De Gendt ,  Amal Akheyar ,  Geoffrey Pourtois ,  HongYu Yu

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/785

摘要： A new MOSFET device is described comprising a metal gate electrode, a gate dielectric and an interfacial layer. The electrostatic potential at an interface between the gate electrode and the gate dielectric of a MOSFET device can be controlled by introducing one or more interfacial layer(s) of a dielectric material, at the monolayer(s) level (i.e., preferably two monolayers), between the gate electrode and the gate dielectric. A method for its manufacture is also provided and its applications.

摘要翻译： 描述了一种新的MOSFET器件，其包括金属栅极电极，栅极电介质和界面层。 可以通过在单层（即，优选两个单层）处引入介电材料的一个或多个界面层来控制MOSFET器件的栅极电极和栅极电介质之间的界面处的静电电位， ，在栅极电极和栅极电介质之间。 还提供了其制造方法及其应用。

公开(公告)号：US08441064B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US13207961

申请日：2011-08-11

申请人： Bogdan Govoreanu ,  Stefan De Gendt ,  Sven Van Elshocht ,  Tom Schram

发明人： Bogdan Govoreanu ,  Stefan De Gendt ,  Sven Van Elshocht ,  Tom Schram

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

摘要： A method for manufacturing a non-volatile memory device is described. The method comprises growing a layer in a siliconoxide consuming material, e.g. DyScO, on top of the upper layer of the layer where charge is stored. A non-volatile memory device is also described. In the non-volatile memory device, the interpoly/blocking dielectric comprises a layer in a siliconoxide consuming material, e.g. DyScO, on top of the upper layer of the layer where charge is stored, the siliconoxide consuming material having consumed at least part of the upper layer.

摘要翻译： 描述了用于制造非易失性存储器件的方法。 该方法包括在氧化硅消耗材料中生长一层，例如。 DyScO，在存储电荷的层的上层之上。 还描述了非易失性存储器件。 在非易失性存储器件中，多晶硅/绝缘电介质包括一层二氧化硅消耗材料， DyScO，在存储电荷的层的上层的顶部，消耗了上层的至少一部分的氧化硅消耗材料。