公开(公告)号：US09341313B2

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：US13528864

申请日：2012-06-21

申请人： Shih-Hsun Chang

发明人： Shih-Hsun Chang

IPC分类号： F17C13/10

CPC分类号： F17C13/10 ,  F17C2205/0176 ,  F17C2205/0338 ,  F17C2260/032 ,  F17C2270/0518 ,  Y10T137/7043

摘要： A gas hood for a gas regulator comprises a housing for covering a gas regulator, an opening for receiving the gas regulator and semi-sealing the space between the housing and the gas regulator, and a gas inlet for constantly introducing gas into the space, wherein parts of the gas escapes from the opening so that the space can maintain a micro-positive pressure.

摘要翻译： 用于气体调节器的气体罩包括用于覆盖气体调节器的壳体，用于接收气体调节器的开口和半密封壳体和气体调节器之间的空间，以及用于不断地将气体引入空间的气体入口，其中 气体的一部分从开口逸出，使得空间能够保持微正压。

公开(公告)号：US07812413B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US12233286

申请日：2008-09-18

申请人： Shih-Hsun Chang ,  Lars-Ake Ragnarsson

发明人： Shih-Hsun Chang ,  Lars-Ake Ragnarsson

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/513

摘要： A semiconductor device is disclosed. The device comprises a first MOSFET transistor. The transistor comprises a substrate, a first high-k dielectric layer upon the substrate, a first dielectric capping layer upon the first high-k dielectric, and a first gate electrode made of a semiconductor material of a first doping level and a first conductivity type upon the first dielectric capping layer. The first dielectric capping layer comprises Scandium.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 该器件包括第一MOSFET晶体管。 晶体管包括衬底，在衬底上的第一高k电介质层，在第一高k电介质上的第一介电覆盖层，以及由第一掺杂水平和第一导电类型的半导体材料制成的第一栅电极 在第一介电覆盖层上。 第一介电覆盖层包括钪。

公开(公告)号：US20080308881A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US11972615

申请日：2008-01-10

申请人： Stefan De Gendt ,  Lars-Ake Ragnarsson ,  Sven Van Elshocht ,  Shih-Hsun Chang ,  Christoph Adelmann ,  Tom Schram

发明人： Stefan De Gendt ,  Lars-Ake Ragnarsson ,  Sven Van Elshocht ,  Shih-Hsun Chang ,  Christoph Adelmann ,  Tom Schram

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/28176 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/20 ,  H01L29/517

摘要： The present disclosure relates to methods for forming a gate stack in a MOSFET device and to MOSFET devices obtainable through such methods. In exemplary methods described herein, a rare-earth-containing layer is deposited on a layer of a silicon-containing dielectric material. Before these layers are annealed, a gate electrode material is deposited on the rare-earth-containing layer. Annealing is performed after the deposition of the gate electrode material, such that a rare earth silicate layer is formed.

摘要翻译： 本公开涉及在MOSFET器件中形成栅极堆叠的方法以及通过这些方法可获得的MOSFET器件。 在本文所述的示例性方法中，含稀土层被沉积在含硅介电材料的层上。 在这些层退火之前，在稀土层上沉积栅电极材料。 在沉积栅电极材料之后进行退火，从而形成稀土硅酸盐层。

公开(公告)号：US20080173353A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：US11625447

申请日：2007-01-22

申请人： Chieh-Hsing Chen ,  Tsung-Yang Chen ,  Chin-Wang Chiu ,  Shih-Hsun Chang

发明人： Chieh-Hsing Chen ,  Tsung-Yang Chen ,  Chin-Wang Chiu ,  Shih-Hsun Chang

IPC分类号： B08B9/02

CPC分类号： C23C16/4402 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/0441 ,  Y10T137/87925

摘要： A gas supply piping system suitable for transporting a gas to a machine terminal from a gas supply terminal is provided, which includes a main supply pipe, a plurality of branch supply pipes, a plurality of purifiers, a plurality of first valves and a backup piping. The main supply pipe is connected to the gas supply terminal. The branch supply pipes are connected the main supply pipe and the machine terminal respectively. The purifiers are connected to the branch supply pipes respectively. The first valves are connected to the branch supply pipes respectively and located between the purifiers and the gas supply terminal. The backup piping is connected to the branch supply pipes and disposed between the purifiers and the machine terminal.

摘要翻译： 提供一种适用于将气体从气体供应端子输送到机器端子的气体供应管道系统，其包括主供应管，多个分支供应管，多个净化器，多个第一阀和备用管 。 主供气管连接到供气端子。 分支供水管分别连接主供水管和机端子。 净化器分别连接到分支供应管。 第一阀分别连接到分支供水管，位于净化器和供气端之间。 备用管道连接到分支供水管道，并设置在净化器和机器终端之间。

公开(公告)号：US08883598B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13412099

申请日：2012-03-05

申请人： Che-Ting Chu ,  Shih-Hsun Chang ,  Pang-Yen Tsai

发明人： Che-Ting Chu ,  Shih-Hsun Chang ,  Pang-Yen Tsai

IPC分类号： H01L21/8232 ,  H01L21/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L29/66651

摘要： Semiconductor devices and methods of forming the same. The method includes providing a semiconductor substrate having a channel layer over the substrate. A capping layer including silicon and having a first thickness is formed over the channel layer. The capping layer is partially oxidized to form an oxidized portion of the capping layer. The oxidized portion of the capping layer is removed to form a thinned capping layer having a second thickness less than the first thickness.

摘要翻译： 半导体器件及其形成方法。 该方法包括提供在衬底上方具有沟道层的半导体衬底。 包含硅并具有第一厚度的覆盖层形成在沟道层上。 覆盖层被部分氧化以形成覆盖层的氧化部分。 去除覆盖层的氧化部分以形成具有小于第一厚度的第二厚度的变薄的覆盖层。

公开(公告)号：US20090134466A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12258222

申请日：2008-10-24

申请人： Hag-Ju Cho ,  Shih-Hsun Chang

发明人： Hag-Ju Cho ,  Shih-Hsun Chang

IPC分类号： H01L25/03 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing dual work function devices starting from a single metal electrode and the device resulting therefrom are disclosed. In one aspect, the method includes a single-metal-single-dielectric (SMSD) CMOS integration scheme. A single dielectric stack comprising a gate dielectric layer and a dielectric capping layer and one metal layer overlying the dielectric stack are first deposited, forming a metal-dielectric interface. Upon forming the dielectric stack and the metal layer, at least part of the dielectric capping layer is selectively modified by adding work function tuning elements, the part being adjacent to the metal-dielectric interface.

摘要翻译： 公开了从单个金属电极开始制造双功能功能器件的方法以及由此产生的器件。 一方面，该方法包括单金属单电介质（SMSD）CMOS集成方案。 首先沉积包括栅极电介质层和电介质覆盖层和覆盖在电介质叠层上的一个金属层的单个电介质堆叠，形成金属 - 电介质界面。 在形成电介质堆叠和金属层时，通过加入功函数调谐元件来选择性地修改介电顶盖层的至少一部分，该部分与金属 - 电介质界面相邻。

公开(公告)号：US08912610B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13438451

申请日：2012-04-03

申请人： Jr Jung Lin ,  Yun-Ju Sun ,  Shih-Hsun Chang ,  Chia-Jen Chen ,  Tomonari Yamamoto ,  Chih-Wei Kuo ,  Meng-Yi Sun ,  Kuo-Chiang Ting

发明人： Jr Jung Lin ,  Yun-Ju Sun ,  Shih-Hsun Chang ,  Chia-Jen Chen ,  Tomonari Yamamoto ,  Chih-Wei Kuo ,  Meng-Yi Sun ,  Kuo-Chiang Ting

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/311 ,  H01L29/423 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7848

摘要： The present disclosure provides a semiconductor structure. The semiconductor structure includes a semiconductor substrate; and a gate stack disposed on the semiconductor substrate. The gate stack includes a high k dielectric material layer, a capping layer disposed on the high k dielectric material layer, and a metal layer disposed on the capping layer. The capping layer and the high k dielectric material layer have a footing structure.

摘要翻译： 本公开提供了一种半导体结构。 半导体结构包括半导体衬底; 以及设置在半导体衬底上的栅极堆叠。 栅极堆叠包括高k电介质材料层，设置在高k电介质材料层上的覆盖层和设置在覆盖层上的金属层。 覆盖层和高k电介质材料层具有基础结构。

公开(公告)号：US20130340858A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US13528864

申请日：2012-06-21

申请人： Shih-Hsun Chang

发明人： Shih-Hsun Chang

IPC分类号： F16P1/00

CPC分类号： F17C13/10 ,  F17C2205/0176 ,  F17C2205/0338 ,  F17C2260/032 ,  F17C2270/0518 ,  Y10T137/7043

摘要： A gas hood for a gas regulator comprises a housing for covering a gas regulator, an opening for receiving the gas regulator and semi-sealing the space between the housing and the gas regulator, and a gas inlet for constantly introducing gas into the space, wherein parts of the gas escapes from the opening so that the space can maintain a micro-positive pressure.

摘要翻译： 用于气体调节器的气体罩包括用于覆盖气体调节器的壳体，用于接收气体调节器的开口和半密封壳体和气体调节器之间的空间，以及用于不断地将气体引入空间的气体入口，其中 气体的一部分从开口逸出，使得空间能够保持微正压。

公开(公告)号：US20130230977A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：US13412099

申请日：2012-03-05

申请人： Che-Ting Chu ,  Shih-Hsun Chang ,  Pang-Yen Tsai

发明人： Che-Ting Chu ,  Shih-Hsun Chang ,  Pang-Yen Tsai

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L29/66651

摘要： Semiconductor devices and methods of forming the same. The method includes providing a semiconductor substrate having a channel layer over the substrate. A capping layer including silicon and having a first thickness is formed over the channel layer. The capping layer is partially oxidized to form an oxidized portion of the capping layer. The oxidized portion of the capping layer is removed to form a thinned capping layer having a second thickness less than the first thickness.

摘要翻译： 半导体器件及其形成方法。 该方法包括提供在衬底上方具有沟道层的半导体衬底。 包含硅并具有第一厚度的覆盖层形成在沟道层上。 覆盖层被部分氧化以形成覆盖层的氧化部分。 去除覆盖层的氧化部分以形成具有小于第一厚度的第二厚度的变薄的覆盖层。

公开(公告)号：US20130119487A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13438451

申请日：2012-04-03

申请人： Jr Jung Lin ,  Yun-Ju Sun ,  Shih-Hsun Chang ,  Chia-Jen Chen ,  Tomonari Yamamoto ,  Chih-Wei Kuo ,  Meng-Yi Sun ,  Kuo-Chiang Ting

发明人： Jr Jung Lin ,  Yun-Ju Sun ,  Shih-Hsun Chang ,  Chia-Jen Chen ,  Tomonari Yamamoto ,  Chih-Wei Kuo ,  Meng-Yi Sun ,  Kuo-Chiang Ting

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7848

摘要： The present disclosure provides a semiconductor structure. The semiconductor structure includes a semiconductor substrate; and a gate stack disposed on the semiconductor substrate. The gate stack includes a high k dielectric material layer, a capping layer disposed on the high k dielectric material layer, and a metal layer disposed on the capping layer. The capping layer and the high k dielectric material layer have a footing structure.

摘要翻译： 本公开提供了一种半导体结构。 半导体结构包括半导体衬底; 以及设置在半导体衬底上的栅极堆叠。 栅极堆叠包括高k电介质材料层，设置在高k电介质材料层上的覆盖层和设置在覆盖层上的金属层。 覆盖层和高k电介质材料层具有基础结构。