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    LIGHT-EMITTING DEVICE
    1.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING DEVICE 有权
    发光装置

    公开(公告)号：US20110227120A1

    公开(公告)日：2011-09-22

    申请号：US13152026

    申请日：2011-06-02

    申请人： Yu-Chen YANG ,  Li-Ping Jou ,  Jui-Hung Yeh ,  Chien-Fu Shen

    发明人： Yu-Chen YANG ,  Li-Ping Jou ,  Jui-Hung Yeh ,  Chien-Fu Shen

    IPC分类号： H01L33/60

    CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2933/0083

    摘要： A light-emitting device comprises a substrate, an epitaxial structure formed on the substrate including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a light-emitting layer formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A trench is formed in the epitaxial structure to expose a part of side surface of the epitaxial structure and a part of surface of the first semiconductor layer, so that a first conductive structure is formed on the part of surface of the first semiconductor layer in the trench, and a second conductive structure is formed on the second semiconductor layer. The first conductive structure includes a first electrode and a first pad electrically contacted with each other. The second conductive structure includes a second electrode and a second pad electrically contacted with each other. Furthermore, the area of at least one of the first pad and the second pad is between 1.5×104 μm2 and 6.2×104 μm2.

    摘要翻译： 发光器件包括衬底，形成在衬底上的外延结构，包括第一半导体层，第二半导体层和形成在第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。 在外延结构中形成沟槽以暴露外延结构的侧面的一部分和第一半导体层的表面的一部分，使得第一导电结构形成在第一半导体层的表面的一部分中 沟槽，并且在第二半导体层上形成第二导电结构。 第一导电结构包括彼此电接触的第一电极和第一焊盘。 第二导电结构包括彼此电接触的第二电极和第二焊盘。 此外，第一焊盘和第二焊盘中的至少一个的面积在1.5×10 4μm2和​​6.2×10 4μm2之间。

    Light-emitting device having a trench in a semiconductor layer
    2.
    发明授权
    Light-emitting device having a trench in a semiconductor layer 有权
    在半导体层中具有沟槽的发光器件

    公开(公告)号：US08872204B2

    公开(公告)日：2014-10-28

    申请号：US13152026

    申请日：2011-06-02

    申请人： Yu-Chen Yang ,  Li-Ping Jou ,  Jui-Hung Yeh ,  Chien-Fu Shen

    发明人： Yu-Chen Yang ,  Li-Ping Jou ,  Jui-Hung Yeh ,  Chien-Fu Shen

    IPC分类号： H01L33/60 ,  H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/64 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2933/0083

    摘要： A light-emitting device comprises a substrate, an epitaxial structure formed on the substrate including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a light-emitting layer formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A trench is formed in the epitaxial structure to expose a part of side surface of the epitaxial structure and a part of surface of the first semiconductor layer, so that a first conductive structure is formed on the part of surface of the first semiconductor layer in the trench, and a second conductive structure is formed on the second semiconductor layer. The first conductive structure includes a first electrode and a first pad electrically contacted with each other. The second conductive structure includes a second electrode and a second pad electrically contacted with each other. Furthermore, the area of at least one of the first pad and the second pad is between 1.5×104 μm2 and 6.2×104 μm2.

    摘要翻译： 发光器件包括衬底，形成在衬底上的外延结构，包括第一半导体层，第二半导体层和形成在第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。 在外延结构中形成沟槽以暴露外延结构的侧面的一部分和第一半导体层的表面的一部分，使得第一导电结构形成在第一半导体层的表面的一部分中 沟槽，并且在第二半导体层上形成第二导电结构。 第一导电结构包括彼此电接触的第一电极和第一焊盘。 第二导电结构包括彼此电接触的第二电极和第二焊盘。 此外，第一焊盘和第二焊盘中的至少一个的面积在1.5×10 4μm2和​​6.2×10 4μm2之间。

    Light-emitting diode (LED) array
    3.
    发明授权
    Light-emitting diode (LED) array 有权
    发光二极管（LED）阵列

    公开(公告)号：US08569775B2

    公开(公告)日：2013-10-29

    申请号：US13428974

    申请日：2012-03-23

    申请人： Li-Ping Jou ,  Yu-Chen Yang ,  Jui-Hung Yeh

    发明人： Li-Ping Jou ,  Yu-Chen Yang ,  Jui-Hung Yeh

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L27/156 ,  H01L27/153 ,  H01L33/08 ,  H01L33/36 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016

    摘要： An LED array having N light-emitting diode units (N≧3) comprises a permanent substrate, a bonding layer on the permanent substrate, a second conductive layer on the bonding layer, a second isolation layer on the second conductive layer, a crossover metal layer on the second isolation layer, a first isolation layer on the crossover metal layer, a conductive connecting layer on the first isolation layer, an epitaxial structure on the conductive connecting layer, and a first electrode layer on the epitaxial structure. The light-emitting diode units are electrically connected with each other by the crossover metal layer.

    摘要翻译： 具有N个发光二极管单元（N> = 3）的LED阵列包括永久基板，永久基板上的接合层，接合层上的第二导电层，第二导电层上的第二隔离层，交叉 第二隔离层上的金属层，交叉金属层上的第一隔离层，第一隔离层上的导电连接层，导电连接层上的外延结构，外延结构上的第一电极层。 发光二极管单元通过交叉金属层彼此电连接。

    LED ARRAY
    4.
    发明申请
    LED ARRAY 有权
    LED阵列

    公开(公告)号：US20120241783A1

    公开(公告)日：2012-09-27

    申请号：US13428974

    申请日：2012-03-23

    申请人： Li-Ping Jou ,  Yu-Chen Yang ,  Jui-Hung Yeh

    发明人： Li-Ping Jou ,  Yu-Chen Yang ,  Jui-Hung Yeh

    IPC分类号： H01L33/48

    CPC分类号： H01L27/156 ,  H01L27/153 ,  H01L33/08 ,  H01L33/36 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016

    摘要： An LED array having N light-emitting diode units (N≧3) comprises a permanent substrate, a bonding layer on the permanent substrate, a second conductive layer on the bonding layer, a second isolation layer on the second conductive layer, a crossover metal layer on the second isolation layer, a first isolation layer on the crossover metal layer, a conductive connecting layer on the first isolation layer, an epitaxial structure on the conductive connecting layer, and a first electrode layer on the epitaxial structure. The light-emitting diode units are electrically connected with each other by the crossover metal layer.

    摘要翻译： 具有N个发光二极管单元（N≥3）的LED阵列包括永久基板，永久基板上的接合层，接合层上的第二导电层，第二导电层上的第二隔离层，交叉金属 所述第二隔离层上的第一隔离层，所述交叉金属层上的第一隔离层，所述第一隔离层上的导电连接层，所述导电连接层上的外延结构，以及所述外延结构上的第一电极层。 发光二极管单元通过交叉金属层彼此电连接。

    Light-emitting diode having chemical compound based reflective structure
    5.
    发明申请
    Light-emitting diode having chemical compound based reflective structure 审中-公开
    具有化学反应结构的发光二极管

    公开(公告)号：US20050104078A1

    公开(公告)日：2005-05-19

    申请号：US10705929

    申请日：2003-11-13

    申请人： Wei-Tai Cheng ,  Jui-Hung Yeh

    发明人： Wei-Tai Cheng ,  Jui-Hung Yeh

    IPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/46

    摘要： A light-emitting diode (LED) includes a plurality of reflective layers stacked over each other and each comprising a distributed Bragg reflector, a substrate, an N type semiconductor formed on the substrate, a light emitting layer formed on the N type semiconductor layer and a P type semiconductor formed on the light emitting layer. The stack of the reflective layers is formed under the substrate or the stack is formed between the substrate and the N type semiconductor layer. The reflective layers receive and reflect light incident at different angles thereby alleviating escape of light from the light emitting diode and enhancing overall brightness of the light emitting diode.

    摘要翻译： 发光二极管（LED）包括彼此堆叠的多个反射层，每个反射层包括分布式布拉格反射器，衬底，形成在衬底上的N型半导体，形成在N型半导体层上的发光层和 形成在发光层上的P型半导体。 反射层的叠层形成在衬底下方，或者叠层形成在衬底和N型半导体层之间。 反射层接收和反射以不同角度入射的光，从而减轻来自发光二极管的光的逸出并提高发光二极管的整体亮度。

    METHOD FOR RECONFIGURING MOBILITY PLATFORM, AND DEVICE APPLYING THE METHOD
    7.
    发明申请
    METHOD FOR RECONFIGURING MOBILITY PLATFORM, AND DEVICE APPLYING THE METHOD 审中-公开
    用于重新配置移动平台的方法，以及应用该方法的设备

    公开(公告)号：US20070248054A1

    公开(公告)日：2007-10-25

    申请号：US11561929

    申请日：2006-11-21

    申请人： Jyh-Cheng Chen ,  Jui-Hung Yeh ,  Yi-Wen Lan ,  Li-Wei Lin ,  Fu-Cheng Chen ,  Shao-Hsiu Hung

    发明人： Jyh-Cheng Chen ,  Jui-Hung Yeh ,  Yi-Wen Lan ,  Li-Wei Lin ,  Fu-Cheng Chen ,  Shao-Hsiu Hung

    IPC分类号： H04Q7/00

    CPC分类号： H04W8/06 ,  H04W8/22 ,  H04W80/04

    摘要： A method for reconfiguring a mobility platform includes: enabling a mobile node to extract an advertisement signaling packet sent periodically by a network node, wherein the mobile node supports a plurality of client mobility management protocols, and the network node supports a plurality of network mobility management protocols; according to the advertisement signaling packet, enabling the mobile node to display at least one mobility management protocol that is mutually supported by the mobile and network nodes for viewing by a user; enabling the user to select one of the at least one mobility management protocol to serve as a new mobility management protocol to be mutually used by the mobile and network nodes; and enabling the mobile node to send a registration request packet to the network node.

    摘要翻译： 一种用于重新配置移动性平台的方法包括：使得移动节点能够提取由网络节点周期性地发送的广告信令分组，其中所述移动节点支持多个客户端移动性管理协议，并且所述网络节点支持多个网络移动性管理 协议; 根据所述广告信令分组，使得所述移动节点能够显示由所述移动和网络节点相互支持以供用户观看的至少一个移动性管理协议; 使得用户能够选择至少一个移动性管理协议中的一个，以用作移动和网络节点相互使用的新的移动性管理协议; 以及使所述移动节点能够向所述网络节点发送注册请求分组。

    Light-emitting device having a ramp
    8.
    发明授权
    Light-emitting device having a ramp 有权
    具有斜坡的发光装置

    公开(公告)号：US08653546B2

    公开(公告)日：2014-02-18

    申请号：US12899535

    申请日：2010-10-06

    申请人： Jui-Hung Yeh

    发明人： Jui-Hung Yeh

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/20 ,  H01L33/642

    摘要： A light-emitting device includes a light-emitting stacked layer having an active layer, and a composite substrate located under the light-emitting stacked layer. The composite substrate includes a supportive substrate having a top surface and a bottom surface non-parallel to the active layer; a metal substrate located under the supportive substrate; and a reflective layer located between the supportive substrate and the metal substrate.

    摘要翻译： 发光装置包括具有活性层的发光层叠层和位于发光层叠层下方的复合基板。 复合衬底包括支撑衬底，其具有不平行于有源层的顶表面和底表面; 位于支撑基板下方的金属基板; 以及位于支撑基板和金属基板之间的反射层。

    Method and apparatus for generating high-density uniform plasma
    10.
    发明授权
    Method and apparatus for generating high-density uniform plasma 失效
    用于产生高密度均匀等离子体的方法和装置

    公开(公告)号：US06451161B1

    公开(公告)日：2002-09-17

    申请号：US09546689

    申请日：2000-04-10

    申请人： David Guang-Kai Jeng ,  Hong-Ji Lee ,  Fred Yingyi Chen ,  Ching-An Chen ,  Tsung-Nane Kuo ,  Jui-Hung Yeh

    发明人： David Guang-Kai Jeng ,  Hong-Ji Lee ,  Fred Yingyi Chen ,  Ching-An Chen ,  Tsung-Nane Kuo ,  Jui-Hung Yeh

    IPC分类号： C23F100

    CPC分类号： H01J37/321

    摘要： A method and a reactor of plasma treating a wafer with high induction plasma density and high uniformity of reactive species were disclosed in this invention. The inductively coupled plasma reactor of the present invention includes a vacuum chamber having a dielectric ceiling thereof and a unique coil configuration atop on the dielectric ceiling, wherein the dielectric ceiling is designed to have a different height according to its shape, e.g., a planar, dish-shaped or hat-shaped dielectric ceiling, for coupling an RF power into the chamber to excite the plasma. The unique coil configuration contains plural helical coils which are arranged in series or in parallel to provide a high-density uniform ion plasma for a large wafer treatment.

    摘要翻译： 在本发明中公开了一种具有高感应等离子体密度和高均匀度的反应性物质的等离子体处理晶片的方法和反应器。 本发明的电感耦合等离子体反应器包括一个具有电介质天花板的真空室和位于电介质天花板顶上的独特线圈结构，其中电介质天花板根据其形状被设计成具有不同的高度，例如平面， 碟形或帽形电介质天花板，用于将RF功率耦合到室中以激发等离子体。 独特的线圈构造包含串联或并联布置的多个螺旋线圈，以提供用于大晶片处理的高密度均匀离子等离子体。