公开(公告)号：US4949143A

公开(公告)日：1990-08-14

申请号：US296324

申请日：1989-01-11

申请人： Mamoru Iesaka ,  Shinji Uya ,  Nozomu Harada

发明人： Mamoru Iesaka ,  Shinji Uya ,  Nozomu Harada

IPC分类号： H01L27/148 ,  H04N5/335 ,  H04N5/341 ,  H04N5/369 ,  H04N5/3728

CPC分类号： H01L27/14831

摘要： The semiconductor devices include a semiconductor substrate, a first CCD region formed at the surface of said substrate, and a second CCD region having a side connected to said first CCD. A channel region of the first CCD region has a different channel potential at a latter part of the end transfer electrode corresponding to the portion of the first CCD region connected to the second CCD region.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底，形成在所述衬底的表面处的第一CCD区域和与所述第一CCD连接的第二CCD区域。 第一CCD区域的沟道区域在与第二CCD区域连接的第一CCD区域的部分对应的末端传输电极的后部具有不同的沟道电位。

公开(公告)号：US4807037A

公开(公告)日：1989-02-21

申请号：US117614

申请日：1987-11-06

申请人： Mamoru Iesaka ,  Yoshiyuki Matsunaga ,  Sohei Manabe ,  Nozomu Harada

发明人： Mamoru Iesaka ,  Yoshiyuki Matsunaga ,  Sohei Manabe ,  Nozomu Harada

IPC分类号： H01L27/148 ,  H04N5/372 ,  H04N3/14

CPC分类号： H04N3/1575 ,  H01L27/14831

摘要： In a CCD image sensor, a plurality of horizontal CCD registers are disposed adjacent to an image sensing area having matrix-arrayed image sensing cells and a plurality of vertical CCD registers. In the CCD image sensor, the channel impurity concentration of second horizontal CCD register, located away from the image sensing area, is more higher than that of first horizontal CCD register. With this feature, when the charges are transferred to the second horizontal CCD register across the first horizontal register, the residual charges in the first horiozntal CCD register are remarkably reduced.

摘要翻译： 在CCD图像传感器中，多个水平CCD寄存器被布置为与具有矩阵阵列的图像感测单元和多个垂直CCD寄存器的图像感测区域相邻。 在CCD图像传感器中，位于远离图像感测区域的第二水平CCD寄存器的沟道杂质浓度比第一水平CCD寄存器的沟道杂质浓度更高。 利用该特征，当电荷在第一水平寄存器中被传送到第二水平CCD寄存器时，第一水平CCD寄存器中的剩余电荷显着减小。

公开(公告)号：US07710478B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US11550478

申请日：2006-10-18

申请人： Mamoru Iesaka

发明人： Mamoru Iesaka

IPC分类号： H04N5/335 ,  H01L31/062

CPC分类号： G11C19/282 ,  H04N5/335

摘要： A solid-state imaging device comprises, on a semiconductor substrate, a plurality of sensor sections for storing a signal charge commensurate with a quantity of reception light, a charge transfer section for transferring and outputting the signal charge of the sensor sections, and an output section for converting the signal charge transferred by the charge transfer section into an imaging signal for output. A current controller is provided to cut off or reduce a current flowing to the output section in a signal storage period of the sensor section. This cuts off or reduces the current flowing to the output section in a signal storage period of the sensor section, and hence suppresses the amount of the current flowing to the output section in the signal storage period. Thus, wasteful consumption power is greatly reduced.

摘要翻译： 固态成像装置在半导体基板上包括多个用于存储与一定数量的接收光相当的信号电荷的传感器部分，用于传送和输出传感器部分的信号电荷的电荷转移部分，以及输出 部分，用于将由电荷转移部分传送的信号电荷转换成用于输出的成像信号。 提供电流控制器以在传感器部分的信号存储周期中切断或减少流向输出部分的电流。 这在传感器部分的信号存储期间切断或减少流向输出部分的电流，因此抑制在信号存储期间流向输出部分的电流量。 因此，浪费的消费能力大大降低。

公开(公告)号：US08575532B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US13338727

申请日：2011-12-28

申请人： Hiroshi Matsumoto ,  Mamoru Iesaka ,  Sei Suzuki ,  Katsuya Furukawa

发明人： Hiroshi Matsumoto ,  Mamoru Iesaka ,  Sei Suzuki ,  Katsuya Furukawa

IPC分类号： H01L27/00

CPC分类号： H04N5/3595 ,  H01L27/14843 ,  H01L27/14887 ,  H04N5/37213 ,  H04N5/3728

摘要： A solid-state imaging device of the present invention is capable of thinning signals for each column. The solid-state imaging device includes: photo diodes, a drain into which charges transferred by first column CCDs are swept-off, and transfer control units each of which is provided to the corresponding first column CCDs, and transfers, to a row CCD and to the drain, the charges transferred by the corresponding first column CCDs. Each of the transfer control units includes: a second column CCD which transfers, in a column direction, the charges transferred by the first column CCDs corresponding to the transfer control unit, and a column CCD terminal gate which is provided between the second column CCD and the row CCD, and forms a potential barrier between the second column CCD and the row CCD.

摘要翻译： 本发明的固态成像装置能够使每列的信号变薄。 固态成像装置包括：光电二极管，由第一列CCD转移的电荷的漏极，以及各自提供给相应的第一列CCD的转移控制单元，并将其传送到行CCD和 到排水管，由相应的第一列CCD转移电荷。 每个传送控制单元包括：第二列CCD，其沿列方向传送由与传送控制单元相对应的第一列CCD传送的电荷;以及列CCD端子栅极，其设置在第二列CCD和 行CCD，并且在第二列CCD和行CCD之间形成势垒。

公开(公告)号：US20100060757A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：US12518556

申请日：2007-12-10

申请人： Kosuke Takasaki ,  Mamoru Iesaka ,  Hideki Wako

发明人： Kosuke Takasaki ,  Mamoru Iesaka ,  Hideki Wako

IPC分类号： H04N5/335

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L2924/0002 ,  H04N5/2253 ,  H01L2924/00

摘要： A solid-state image pickup device (1) comprises: an image sensor wafer (2A) including image sensors (3); an optically-transparent protection member (4) connected by use of an adhesive agent (7) via a spacer (5) arranged to surround the image sensors (3); and an electrostatic (ESD) protection circuit (10) disposed on the image sensor wafer (2A) so as to avoid a position corresponding to a connected surface where the spacer (5) and the image sensor wafer (2A) are connected. Accordingly, in this configuration, even when polarization occurs in the adhesive agent, since the p-well layer between diffusion layers of the ESD protection circuit is not disposed immediately below the connected surface, the p-well layer is not inverted by electric charges in the element interface and thus parasitic MOS transistor does not turn on, allowing suppression of leak current.

摘要翻译： 固态图像拾取装置（1）包括：包括图像传感器（3）的图像传感器晶片（2A）; 通过布置成围绕图像传感器（3）的隔离物（5）通过使用粘合剂（7）连接的光学透明保护构件（4）; 以及设置在图像传感器晶片（2A）上的静电（ESD）保护电路（10），以避免与间隔物（5）和图像传感器晶片（2A）连接的连接表面相对应的位置。 因此，在该结构中，即使在粘合剂发生极化的情况下，由于ESD保护电路的扩散层之间的p阱层不直接设置在连接面的正下方，因此p阱层不会被电荷反转 因此，元件接口和寄生MOS晶体管不导通，从而抑制漏电流。

公开(公告)号：US07247830B2

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：US11444498

申请日：2006-06-01

申请人： Mamoru Iesaka

发明人： Mamoru Iesaka

IPC分类号： H01L31/113 ,  H04N3/14 ,  H03F3/16

CPC分类号： H03F3/505 ,  H03F3/08 ,  H04N5/357 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378

摘要： An output amplifier for a solid-state imaging device is provided and includes: a floating diffusion that stores a signal charge; and at least three source follower circuits that output a signal in accordance with a change of a potential on the floating diffusion, the at least three source follower circuits being sequentially connected in decreasing order of drain voltage from a first circuit of the at least three source follower circuits to a last circuit of the at least three source follower circuits.

摘要翻译： 提供了一种用于固态成像装置的输出放大器，包括：存储信号电荷的浮动扩散; 以及至少三个源极跟随器电路，其根据浮动扩散部上的电位的变化输出信号，所述至少三个源极跟随器电路以至少三个源极的第一电路的漏极电压的降序依次连接 跟随器电路连接到至少三个源极跟随器电路的最后一个电路。

公开(公告)号：US08039915B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12442884

申请日：2007-09-27

申请人： Kosuke Takasaki ,  Mamoru Iesaka ,  Hideki Wako

发明人： Kosuke Takasaki ,  Mamoru Iesaka ,  Hideki Wako

IPC分类号： H01L31/02

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L23/60 ,  H01L27/14632 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A solid-state image sensor (1) includes: an imaging device wafer (2A); a plurality of imaging devices (3) which are formed on the imaging device wafer (2A); a spacer (5) which surrounds the imaging devices (3) on the imaging device wafer (2A) and is joined to the imaging device wafer (2A) with an adhesive (7); a transparent protection member (4) which covers the imaging devices (3) on the imaging device wafer (2A) and is attached on the spacer (5); and a plurality of electrostatic discharge protection devices (10A) which are formed on the imaging device wafer (2A), the electrostatic discharge protection devices (10A) being positioned under the spacer (5), each of the electrostatic discharge protection devices (10A) having diffusion layers (12, 13) and a well layer (11) between the diffusion layers (12, 13), the well layer (11) being provided with a channel stopper (20).

摘要翻译： 固态图像传感器（1）包括：成像装置晶片（2A）; 多个成像装置（3），形成在成像装置晶片（2A）上; 隔离物（5），其围绕成像装置晶片（2A）上的成像装置（3）并且用粘合剂（7）接合到成像装置晶片（2A）; 覆盖成像装置晶片（2A）上的成像装置（3）并附着在间隔件（5）上的透明保护构件（4）; 以及形成在摄像元件晶片（2A）上的多个静电放电保护器件（10A），静电放电保护器件（10A）位于间隔物（5）的下方，每个静电放电保护器件（10A） 在所述扩散层（12,13）之间具有扩散层（12,13）和阱层（11），所述阱层（11）设置有沟道限制器（20）。

公开(公告)号：US07212241B2

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：US10142755

申请日：2002-05-09

申请人： Mamoru Iesaka

发明人： Mamoru Iesaka

IPC分类号： H04N3/14 ,  H04N5/335

CPC分类号： G11C19/282 ,  H04N5/335

摘要： A solid-state imaging device comprises, on a semiconductor substrate, a plurality of sensor sections for storing a signal charge commensurate with a quantity of reception light, a charge transfer section for transferring and outputting the signal charge of the sensor sections, and an output section for converting the signal charge transferred by the charge transfer section into an imaging signal for output. A current controller is provided to cut off or reduce a current flowing to the output section in a signal storage period of the sensor section. This cuts off or reduces the current flowing to the output section in a signal storage period of the sensor section, and hence suppresses the amount of the current flowing to the output section in the signal storage period. Thus, wasteful consumption power is greatly reduced.

摘要翻译： 固态成像装置在半导体基板上包括多个用于存储与一定数量的接收光相当的信号电荷的传感器部分，用于传送和输出传感器部分的信号电荷的电荷转移部分，以及输出 部分，用于将由电荷转移部分传送的信号电荷转换成用于输出的成像信号。 提供电流控制器以在传感器部分的信号存储周期中切断或减少流向输出部分的电流。 这在传感器部分的信号存储期间切断或减少流向输出部分的电流，因此抑制在信号存储期间流向输出部分的电流量。 因此，浪费的消费能力大大降低。

公开(公告)号：US20100032784A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12442884

申请日：2007-09-27

申请人： Kosuke Takasaki ,  Mamoru Iesaka ,  Hideki Wako

发明人： Kosuke Takasaki ,  Mamoru Iesaka ,  Hideki Wako

IPC分类号： H01L31/02

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L23/60 ,  H01L27/14632 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A solid-state image sensor (1) includes: an imaging device wafer (2A); a plurality of imaging devices (3) which are formed on the imaging device wafer (2A); a spacer (5) which surrounds the imaging devices (3) on the imaging device wafer (2A) and is joined to the imaging device wafer (2A) with an adhesive (7); a transparent protection member (4) which covers the imaging devices (3) on the imaging device wafer (2A) and is attached on the spacer (5); and a plurality of electrostatic discharge protection devices (10A) which are formed on the imaging device wafer (2A), the electrostatic discharge protection devices (10A) being positioned under the spacer (5), each of the electrostatic discharge protection devices (10A) having diffusion layers (12, 13) and a well layer (11) between the diffusion layers (12, 13), the well layer (11) being provided with a channel stopper (20).

摘要翻译： 固态图像传感器（1）包括：成像装置晶片（2A）; 多个成像装置（3），形成在成像装置晶片（2A）上; 隔离物（5），其围绕成像装置晶片（2A）上的成像装置（3）并且用粘合剂（7）接合到成像装置晶片（2A）; 覆盖成像装置晶片（2A）上的成像装置（3）并附着在间隔件（5）上的透明保护构件（4）; 以及形成在摄像元件晶片（2A）上的多个静电放电保护器件（10A），静电放电保护器件（10A）位于间隔物（5）的下方，每个静电放电保护器件（10A） 在所述扩散层（12,13）之间具有扩散层（12,13）和阱层（11），所述阱层（11）设置有沟道限制器（20）。

公开(公告)号：US20070081087A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：US11550478

申请日：2006-10-18

申请人： Mamoru Iesaka

发明人： Mamoru Iesaka

IPC分类号： H04N5/335

CPC分类号： G11C19/282 ,  H04N5/335

摘要： A solid-state imaging device comprises, on a semiconductor substrate, a plurality of sensor sections for storing a signal charge commensurate with a quantity of reception light, a charge transfer section for transferring and outputting the signal charge of the sensor sections, and an output section for converting the signal charge transferred by the charge transfer section into an imaging signal for output. A current controller is provided to cut off or reduce a current flowing to the output section in a signal storage period of the sensor section. This cuts off or reduces the current flowing to the output section in a signal storage period of the sensor section, and hence suppresses the amount of the current flowing to the output section in the signal storage period. Thus, wasteful consumption power is greatly reduced.

摘要翻译： 固态成像装置在半导体基板上包括多个用于存储与一定数量的接收光相当的信号电荷的传感器部分，用于传送和输出传感器部分的信号电荷的电荷转移部分，以及输出 部分，用于将由电荷转移部分传送的信号电荷转换成用于输出的成像信号。 提供电流控制器以在传感器部分的信号存储周期中切断或减少流向输出部分的电流。 这在传感器部分的信号存储期间切断或减少流向输出部分的电流，因此抑制在信号存储期间流向输出部分的电流量。 因此，浪费的消费能力大大降低。