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    High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake particles
    1.
    发明授权
    High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake particles 失效
    半金属微花纹片的半导体前体层的高通量印刷

    公开(公告)号：US08329501B1

    公开(公告)日：2012-12-11

    申请号：US12176312

    申请日：2008-07-18

    申请人： Matthew R. Robinson ,  Brian M. Sager ,  Jeoren K. J. Van Duren

    发明人： Matthew R. Robinson ,  Brian M. Sager ,  Jeoren K. J. Van Duren

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： B22F1/0055 ,  B22F2001/0033 ,  B22F2998/00 ,  B22F2999/00 ,  C23C4/123 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1229 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/127 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/14 ,  C23C24/10 ,  C23C26/00 ,  C23C26/02 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/549 ,  B22F1/0022

    摘要： Methods and devices are provided for high-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles. In one embodiment, the method comprises of transforming non-planar or planar precursor materials in an appropriate vehicle under the appropriate conditions to create dispersions of planar particles with stoichiometric ratios of elements equal to that of the feedstock or precursor materials, even after settling. In particular, planar particles disperse more easily, form much denser coatings (or form coatings with more interparticle contact area), and anneal into fused, dense films at a lower temperature and/or time than their counterparts made from spherical nanoparticles. These planar particles may be microflakes that have a high aspect ratio. The resulting dense film formed from microflakes is particularly useful in forming photovoltaic devices. In one embodiment, at least one set of the particles in the ink may be inter-metallic flake particles (microflake or nanoflake) containing at least one group IB-IIIA inter-metallic alloy phase.

    摘要翻译： 提供了用于从微片微粒高通量印刷半导体前体层的方法和装置。 在一个实施方案中，该方法包括在合适的条件下，在合适的载体中转化非平面或平面前体材料，以产生具有等于原料或前体材料的化学计量比的化学计量比的平面颗粒的分散体，即使在沉降之后。 特别地，平面颗粒更容易分散，形成更密集的涂层（或形成具有更多颗粒间接触面积的涂层），并在比球形纳米颗粒制成的对应物更低的温度和/或时间下退火成熔融的致密膜。 这些平面颗粒可以是具有高纵横比的微片。 由微片形成的所得致密膜在形成光伏器件中特别有用。 在一个实施方案中，油墨中的至少一组颗粒可以是含有至少一种IB-IIIA族金属间合金相的金属间薄片（微花纹或纳米薄片）。

    SOLAR CELL ABSORBER LAYER FORMED FROM METAL ION PRECURSORS
    2.
    发明申请
    SOLAR CELL ABSORBER LAYER FORMED FROM METAL ION PRECURSORS 审中-公开
    从金属离子前驱体形成的太阳能电池吸收层

    公开(公告)号：US20080280030A1

    公开(公告)日：2008-11-13

    申请号：US12024097

    申请日：2008-01-31

    申请人： Jeoren K. J. Van Duren ,  Brian M. Sager ,  Matthew R. Robinson

    发明人： Jeoren K. J. Van Duren ,  Brian M. Sager ,  Matthew R. Robinson

    IPC分类号： B05D5/12

    CPC分类号： H01L31/03928 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

    摘要： Methods and devices are provided for forming an absorber layer. In one embodiment, a method is provided comprising of depositing a solution on a substrate to form a precursor layer. The solution comprises of at least one polar solvent, at least one binder, and at least one Group IB and/or IIIA hydroxide. The precursor layer is processed in one or more steps to form a photovoltaic absorber layer. In one embodiment, the absorber layer may be created by processing the precursor layer into a solid film and then thermally reacting the solid film in an atmosphere containing at least an element of Group VIA of the Periodic Table to form the photovoltaic absorber layer. Optionally, the absorber layer may be processed by thermal reaction of the precursor layer in an atmosphere containing at least an element of Group VIA of the Periodic Table to form the photovoltaic absorber layer.

    摘要翻译： 提供了用于形成吸收层的方法和装置。 在一个实施方案中，提供了一种方法，其包括在基底上沉积溶液以形成前体层。 溶液包含至少一种极性溶剂，至少一种粘合剂和至少一种IB族和/或IIIA型氢氧化物。 在一个或多个步骤中处理前体层以形成光伏吸收层。 在一个实施方案中，吸收层可以通过将前体层加工成固体膜，然后在至少含有元素周期表第VIA族元素的气氛中使固体膜热反应形成光伏吸收层来产生。 任选地，吸收层可以通过前体层在至少含有周期表第VIA族元素的气氛中进行热反应来加工，以形成光伏吸收层。

    High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide nanoflake particles
    3.
    发明授权
    High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide nanoflake particles 失效
    来自硫属元素纳米片的半导体前体层的高通量印刷

    公开(公告)号：US08372734B2

    公开(公告)日：2013-02-12

    申请号：US11765422

    申请日：2007-06-19

    申请人： Jeroen K. J. Van Duren ,  Matthew R. Robinson ,  Brian M. Sager

    发明人： Jeroen K. J. Van Duren ,  Matthew R. Robinson ,  Brian M. Sager

    IPC分类号： H01L21/20 ,  B05D5/12

    CPC分类号： B22F9/04 ,  B22F1/0055 ,  B22F2001/0033 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/0491 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1287 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  B22F2202/03

    摘要： Methods and devices are provided for transforming non-planar or planar precursor materials in an appropriate vehicle under the appropriate conditions to create dispersions of planar particles with stoichiometric ratios of elements equal to that of the feedstock or precursor materials, even after selective forces settling. In particular, planar particles disperse more easily, form much denser coatings (or form coatings with more interparticle contact area), and anneal into fused, dense films at a lower temperature and/or time than their counterparts made from spherical nanoparticles. These planar particles may be nanoflakes that have a high aspect ratio. The resulting dense films formed from nanoflakes are particularly useful in forming photovoltaic devices. In one embodiment, at least one set of the particles in the ink may be inter-metallic flake particles (microflake or nanoflake) containing at least one group IB-IIIA inter-metallic alloy phase.

    摘要翻译： 提供了用于在合适的条件下在合适的载体中转化非平面或平面前体材料的方法和装置，以产生具有等于原料或前体材料的化学计量比的化学计量比的平面颗粒的分散体，即使在选择性力沉降之后。 特别地，平面颗粒更容易分散，形成更致密的涂层（或形成具有更多颗粒间接触面积的涂层），并在比球形纳米颗粒制成的对应物更低的温度和/或时间下退火成熔融的致密膜。 这些平面颗粒可以是具有高纵横比的纳米片。 由纳米片形成的致密膜特别适用于形成光电器件。 在一个实施方案中，油墨中的至少一组颗粒可以是含有至少一种IB-IIIA族金属间合金相的金属间薄片（微花纹或纳米薄片）。

    High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles
    5.
    发明授权
    High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles 有权
    从微片颗粒高通量印制半导体前体层

    公开(公告)号：US08846141B1

    公开(公告)日：2014-09-30

    申请号：US12175945

    申请日：2008-07-18

    申请人： Matthew R. Robinson ,  Jeroen K. J. Van Duren ,  Craig Leidholm ,  Brian M. Sager

    发明人： Matthew R. Robinson ,  Jeroen K. J. Van Duren ,  Craig Leidholm ,  Brian M. Sager

    IPC分类号： B05D3/00

    CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

    摘要： Methods and devices are provided for high-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles. In one embodiment, the method comprises of transforming non-planar or planar precursor materials in an appropriate vehicle under the appropriate conditions to create dispersions of planar particles with stoichiometric ratios of elements equal to that of the feedstock or precursor materials, even after settling. In particular, planar particles disperse more easily, form much denser coatings (or form coatings with more interparticle contact area), and anneal into fused, dense films at a lower temperature and/or time than their counterparts made from spherical nanoparticles. These planar particles may be microflakes that have a high aspect ratio. The resulting dense film formed from microflakes are particularly useful in forming photovoltaic devices.

    摘要翻译： 提供了用于从微片微粒高通量印刷半导体前体层的方法和装置。 在一个实施方案中，该方法包括在合适的条件下，在合适的载体中转化非平面或平面前体材料，以产生具有等于原料或前体材料的化学计量比的化学计量比的平面颗粒的分散体，即使在沉降之后。 特别地，平面颗粒更容易分散，形成更致密的涂层（或形成具有更多颗粒间接触面积的涂层），并在比球形纳米颗粒制成的对应物更低的温度和/或时间下退火成熔融的致密膜。 这些平面颗粒可以是具有高纵横比的微片。 由微片形成的所得致密膜在形成光伏器件中特别有用。

    HIGH-THROUGHPUT PRINTING OF SEMICONDUCTOR PRECURSOR LAYER FROM CHALCOGENIDE PARTICLES
    8.
    发明申请
    HIGH-THROUGHPUT PRINTING OF SEMICONDUCTOR PRECURSOR LAYER FROM CHALCOGENIDE PARTICLES 审中-公开
    从CHALCOGENIDE颗粒的半导体前驱层的高通量印刷

    公开(公告)号：US20080124831A1

    公开(公告)日：2008-05-29

    申请号：US11765407

    申请日：2007-06-19

    申请人： Matthew R. Robinson ,  Jeroen K. J. Van Duren ,  Craig Leidholm ,  Brian M. Sager

    发明人： Matthew R. Robinson ,  Jeroen K. J. Van Duren ,  Craig Leidholm ,  Brian M. Sager

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： C23C18/14 ,  C23C18/1229 ,  C23C18/127 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541

    摘要： Methods and devices are provided for high-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles. In one embodiment, the method comprises of transforming non-planar or planar precursor materials in an appropriate vehicle under the appropriate conditions to create dispersions of planar particles with stoichiometric ratios of elements equal to that of the feedstock or precursor materials, even after settling. In particular, planar particles disperse more easily, form much denser coatings (or form coatings with more interparticle contact area), and anneal into fused, dense films at a lower temperature and/or time than their counterparts made from spherical nanoparticles. These planar particles may be microflakes that have a high aspect ratio. The resulting dense film formed from microflakes are particularly useful in forming photovoltaic devices.

    摘要翻译： 提供了用于从微片微粒高通量印刷半导体前体层的方法和装置。 在一个实施方案中，该方法包括在合适的条件下，在合适的载体中转化非平面或平面前体材料，以产生具有等于原料或前体材料的化学计量比的化学计量比的平面颗粒的分散体，即使在沉降之后。 特别地，平面颗粒更容易分散，形成更致密的涂层（或形成具有更多颗粒间接触面积的涂层），并在比球形纳米颗粒制成的对应物更低的温度和/或时间下退火成熔融的致密膜。 这些平面颗粒可以是具有高纵横比的微片。 由微片形成的所得致密膜在形成光伏器件中特别有用。