公开(公告)号：US20070123059A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11290409

申请日：2005-11-29

申请人： Michael Haverty ,  Grant Kloster ,  Sadasivan Shankar ,  Boyan Boyanov ,  Michael Goodner ,  Mansour Moinpour

发明人： Michael Haverty ,  Grant Kloster ,  Sadasivan Shankar ,  Boyan Boyanov ,  Michael Goodner ,  Mansour Moinpour

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76826

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include forming a porous dielectric layer comprising at least one active end group, and bonding at least one large atomic radii species to replace the at least one active end group, wherein a local swelling may be formed within a portion of the porous dielectric.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施方案包括形成包含至少一个活性端基的多孔电介质层，并且键合至少一个大的原子半径物质以代替至少一个活性端基，其中局部溶胀可以形成在多孔 电介质。

公开(公告)号：US20060220251A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11096678

申请日：2005-03-31

申请人： Grant Kloster ,  Boyan Boyanov ,  Michael Goodner ,  Mansour Moinpour ,  Michael Haverty

发明人： Grant Kloster ,  Boyan Boyanov ,  Michael Goodner ,  Mansour Moinpour ,  Michael Haverty

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76826 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31695

摘要： A method of forming a film. The method comprises depositing a porous film. The porous film has active end groups; and preventing cross-linking among said active end groups, wherein the end groups are capped with less reactive or unreactive groups.

摘要翻译： 一种形成膜的方法。 该方法包括沉积多孔膜。 多孔膜具有活性端基; 并且阻止所述活性端基之间的交联，其中末端基团被较少反应性或非反应性基团封端。

公开(公告)号：US20060214303A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11089954

申请日：2005-03-25

申请人： Michael Goodner ,  Mansour Moinpour ,  Grant Kloster ,  Boyan Boyanov

发明人： Michael Goodner ,  Mansour Moinpour ,  Grant Kloster ,  Boyan Boyanov

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： An organic-framework zeolite interlayer dielectric is disclosed. The interlayer dielectric's resistance to chemical attack, its dielectric constant, its mechanical strength, or combinations thereof can be tailored by (1) varying the ratio of carbon-to-oxygen in the organic-framework zeolite, (2) by including tetravalent atoms other than silicon at tetrahedral sites in the organic-framework zeolite, or (3) by including combinations of pentavalent/trivalent atoms at tetrahedral sites in the organic-framework zeolite.

摘要翻译： 公开了一种有机骨架沸石层间电介质。 层间电介质耐化学侵蚀，其介电常数，机械强度或其组合可以通过（1）改变有机 - 骨架沸石中的碳与氧的比例来调节，（2）通过包括其它四价原子 在有机骨架沸石中的四面体位置处的硅，或（3）通过在有机骨架沸石中的四面体位置包含五价/三价原子的组合。

公开(公告)号：US20060108687A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US10995925

申请日：2004-11-22

申请人： Boyan Boyanov ,  Grant Kloster ,  Michael Goodner

发明人： Boyan Boyanov ,  Grant Kloster ,  Michael Goodner

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for impregnating the pores of a zeolite low-k dielectric layer with a polymer, and forming an interconnect structure therein, thus mechanically strengthening the dielectric layer and preventing metal deposits within the pores.

摘要翻译： 用聚合物浸渍沸石低k电介质层的孔，并在其中形成互连结构的方法，从而机械地增强电介质层并防止孔内的金属沉积。

公开(公告)号：US07365375B2

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：US11089954

申请日：2005-03-25

申请人： Michael D. Goodner ,  Mansour Moinpour ,  Grant M. Kloster ,  Boyan Boyanov

发明人： Michael D. Goodner ,  Mansour Moinpour ,  Grant M. Kloster ,  Boyan Boyanov

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： An organic-framework zeolite interlayer dielectric is disclosed. The interlayer dielectric's resistance to chemical attack, its dielectric constant, its mechanical strength, or combinations thereof can be tailored by (1) varying the ratio of carbon-to-oxygen in the organic-framework zeolite, (2) by including tetravalent atoms other than silicon at tetrahedral sites in the organic-framework zeolite, or (3) by including combinations of pentavalent/trivalent atoms at tetrahedral sites in the organic-framework zeolite.

摘要翻译： 公开了一种有机骨架沸石层间电介质。 层间电介质耐化学侵蚀，其介电常数，机械强度或其组合可以通过（1）改变有机 - 骨架沸石中的碳与氧的比例来调节，（2）通过包括其它四价原子 在有机骨架沸石中的四面体位置处的硅，或（3）通过在有机骨架沸石中的四面体位置包含五价/三价原子的组合。

公开(公告)号：US20060145305A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US11367180

申请日：2006-03-03

申请人： Boyan Boyanov ,  Grant Kloster ,  Vijay Ramachandrarao ,  Hyun-Mog Park

发明人： Boyan Boyanov ,  Grant Kloster ,  Vijay Ramachandrarao ,  Hyun-Mog Park

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/78 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include forming a dielectric layer utilizing a plasma, wherein the plasma comprises a porogen and substantially no oxidizing agent, and then applying energy to the dielectric layer, wherein the porogen disposed within the dielectric layer decomposes to form at least one pore.

公开(公告)号：US20060292856A1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：US11169367

申请日：2005-06-28

申请人： Hyun-Mog Park ,  Boyan Boyanov ,  Grant Kloster ,  Vijayakumar RamachandraRao

发明人： Hyun-Mog Park ,  Boyan Boyanov ,  Grant Kloster ,  Vijayakumar RamachandraRao

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76844

摘要： A method of patterning a porous dielectric material that includes an ash process to treat the porous dielectric material. The treated porous dielectric material allows for the formation of a substantially continuous barrier layer, which can inhibit diffusion of, for example, a conductive material into to the dielectric material. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 图案化多孔电介质材料的方法，其包括用于处理多孔介电材料的灰过程。 经处理的多孔介电材料允许形成基本上连续的阻挡层，其可阻止例如导电材料扩散到电介质材料中。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20090324928A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12215522

申请日：2008-06-26

申请人： Vijayakumar Ramachandrarao ,  Grant Kloster ,  Boyan Boyanov

发明人： Vijayakumar Ramachandrarao ,  Grant Kloster ,  Boyan Boyanov

IPC分类号： G21G5/00 ,  B32B5/18

CPC分类号： H01L21/3105 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249978

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include removing a portion of at least one of Si—C bonds and CHx bonds in a dielectric material comprising a porogen material by reaction with a wet chemical, wherein the portion of Si—C and CHx bonds are converted to Si—H bonds. The Si—H bonds may be further hydrolyzed to form SiOH linkages. The SiOH linkages may then be removed by a radiation based cure, wherein a portion of the porogen material is also removed.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施方案包括通过与湿化学品反应除去包含致孔剂材料的电介质材料中的至少一个Si-C键和CHx键的一部分，其中Si-C和CHx键的部分转化为Si- H债券。 可以进一步水解Si-H键以形成SiOH键。 然后可以通过基于辐射的固化来除去SiOH键，其中一部分致孔剂材料也被除去。

公开(公告)号：US07335586B2

公开(公告)日：2008-02-26

申请号：US11150498

申请日：2005-06-10

申请人： Vijayakumar S. RamachandraRao ,  Boyan Boyanov ,  Grant Kloster ,  Hyun-Mog Park

发明人： Vijayakumar S. RamachandraRao ,  Boyan Boyanov ,  Grant Kloster ,  Hyun-Mog Park

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

摘要： A method for sealing a porous dielectric layer atop a substrate, wherein the dielectric layer is patterned to form at least a trench and at least a via, comprises applying a first plasma to a surface of the dielectric layer to silanolize the surface, treating the surface of the dielectric layer with a silazane to form a monolayer of silane molecules on the surface, and applying a second plasma to the surface of the dielectric layer to induce a polymerization of at least a portion of the silane molecules. The polymerized silane molecules form a cross-linked matrix that builds over a substantial portion of the surface of the dielectric layer and seals at least some of the exposed pores.

摘要翻译： 一种用于在衬底顶部密封多孔电介质层的方法，其中所述介电层被图案化以形成至少沟槽和至少通孔，包括将第一等离子体施加到所述电介质层的表面以使所述表面硅烷醇化，处理所述表面 的介电层与硅氮烷反应以在表面上形成单层的硅烷分子，并将第二等离子体施加到电介质层的表面以引起至少一部分硅烷分子的聚合。 聚合的硅烷分子形成交联的基质，其形成在电介质层的表面的大部分上并且密封至少一些暴露的孔。

公开(公告)号：US20060281329A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：US11150498

申请日：2005-06-10

申请人： Vijayakumar RamachandraRao ,  Boyan Boyanov ,  Grant Kloster ,  Hyun-Mog Park

发明人： Vijayakumar RamachandraRao ,  Boyan Boyanov ,  Grant Kloster ,  Hyun-Mog Park

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

摘要： A method for sealing a porous dielectric layer atop a substrate, wherein the dielectric layer is patterned to form at least a trench and at least a via, comprises applying a first plasma to a surface of the dielectric layer to silanolize the surface, treating the surface of the dielectric layer with a silazane to form a monolayer of silane molecules on the surface, and applying a second plasma to the surface of the dielectric layer to induce a polymerization of at least a portion of the silane molecules. The polymerized silane molecules form a cross-linked matrix that builds over a substantial portion of the surface of the dielectric layer and seals at least some of the exposed pores.

摘要翻译： 一种用于在衬底顶部密封多孔电介质层的方法，其中所述介电层被图案化以形成至少沟槽和至少通孔，包括将第一等离子体施加到所述电介质层的表面以使所述表面硅烷醇化，处理所述表面 的介电层与硅氮烷反应以在表面上形成单层的硅烷分子，并将第二等离子体施加到电介质层的表面以引起至少一部分硅烷分子的聚合。 聚合的硅烷分子形成交联的基质，其形成在电介质层的表面的大部分上并且密封至少一些暴露的孔。