公开(公告)号：US07163780B2

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：US10394342

申请日：2003-03-22

申请人： Michael K. Gallagher ,  Yujian You

发明人： Michael K. Gallagher ,  Yujian You

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/02137 ,  B29C67/202 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/481 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047 ,  H05K1/024 ,  H05K2201/0116 ,  Y10T428/24331

摘要： Disclosed are methods of manufacturing electronic devices, particularly integrated circuits. Such methods include the use of low dielectric constant material prepared by using a removable porogen material.

公开(公告)号：US06420441B1

公开(公告)日：2002-07-16

申请号：US09460326

申请日：1999-12-10

申请人： Craig S. Allen ,  Nikoi Annan ,  Robert M. Blankenship ,  Michael K. Gallagher ,  Robert H. Gore ,  Angelo A. Lamola ,  Yujian You

发明人： Craig S. Allen ,  Nikoi Annan ,  Robert M. Blankenship ,  Michael K. Gallagher ,  Robert H. Gore ,  Angelo A. Lamola ,  Yujian You

IPC分类号： C08J926

CPC分类号： C08J9/26 ,  C08J2201/046 ,  C08J2383/04 ,  H05K1/0313 ,  H05K3/0011 ,  Y10S438/96

摘要： Porous dielectric materials having low dielectric constants useful in electronic component manufacture are disclosed along with methods of preparing the porous dielectric materials. Also disclosed are methods of forming integrated circuits containing such porous dielectric materials.

摘要翻译： 公开了具有用于电子部件制造的低介电常数的多孔介电材料以及制备多孔电介质材料的方法。 还公开了形成包含这种多孔电介质材料的集成电路的方法。

公开(公告)号：US06271273B1

公开(公告)日：2001-08-07

申请号：US09685750

申请日：2000-10-10

申请人： Yujian You ,  Angelo A. Lamola ,  Robert H. Gore ,  Michael K. Gallagher ,  Nikoi Annan

发明人： Yujian You ,  Angelo A. Lamola ,  Robert H. Gore ,  Michael K. Gallagher ,  Nikoi Annan

IPC分类号： C08J926

CPC分类号： C08J9/26 ,  C08J2201/046 ,  C08J2383/04 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

摘要： Porous organo polysilica dielectric materials having low dielectric constants useful in electronic component manufacture are disclosed along with methods of preparing the porous organo polysilica dielectric materials. Also disclosed are methods of forming integrated circuits containing such porous organo polysilica dielectric materials.

摘要翻译： 公开了用于电子元件制造的具有低介电常数的多孔有机聚硅氧烷介电材料以及制备多孔有机聚硅氧烷介电材料的方法。 还公开了形成含有这种多孔有机聚硅氧烷介电材料的集成电路的方法。

公开(公告)号：US07294453B2

公开(公告)日：2007-11-13

申请号：US10782657

申请日：2004-02-19

申请人： Michael K. Gallagher ,  Yujian You

发明人： Michael K. Gallagher ,  Yujian You

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： H01L21/02137 ,  B29C67/202 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/481 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047 ,  H05K1/024 ,  H05K2201/0116 ,  Y10T428/24331

摘要： Disclosed are methods of manufacturing electronic devices, particularly integrated circuits. Such methods include the use of low dielectric constant material prepared by using a removable porogen material.

摘要翻译： 公开了制造电子装置，特别是集成电路的方法。 这种方法包括使用通过使用可去除的致孔剂材料制备的低介电常数材料。

公开(公告)号：US06998148B1

公开(公告)日：2006-02-14

申请号：US10106338

申请日：2002-03-26

申请人： Yujian You ,  Nikoi Annan ,  Michael K. Gallagher ,  Robert H. Gore

发明人： Yujian You ,  Nikoi Annan ,  Michael K. Gallagher ,  Robert H. Gore

IPC分类号： B05D5/12 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/31695 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： Porous thermoset dielectric materials having low dielectric constants useful in electronic component manufacture are provided along with methods of preparing the porous thermoset dielectric materials. Also provided are methods of forming integrated circuits containing such porous thermoset dielectric material.

摘要翻译： 提供了用于电子元件制造的具有低介电常数的多孔热固性介电材料以及制备多孔热固性电介质材料的方法。 还提供了形成含有这种多孔热固性电介质材料的集成电路的方法。

公开(公告)号：US06903175B2

公开(公告)日：2005-06-07

申请号：US09960662

申请日：2001-09-22

申请人： Robert H. Gore ,  Michael K. Gallagher ,  Yujian You

发明人： Robert H. Gore ,  Michael K. Gallagher ,  Yujian You

IPC分类号： C08F2/04 ,  C08F2/06 ,  C08F212/00 ,  C08F220/00 ,  H05K1/00 ,  H05K3/28 ,  C08F118/02

CPC分类号： C08F2/06 ,  H05K3/285 ,  H05K3/4676

摘要： Disclosed are methods of preparing solution polymers and compositions derived therefrom.

摘要翻译： 公开了制备溶液聚合物的方法和由其衍生的组合物。

公开(公告)号：US06852367B2

公开(公告)日：2005-02-08

申请号：US10194851

申请日：2002-07-12

申请人： Yujian You ,  Robert H. Gore ,  Michael K. Gallagher

发明人： Yujian You ,  Robert H. Gore ,  Michael K. Gallagher

IPC分类号： C08L83/04 ,  C08J9/26 ,  C08K5/09 ,  B05D7/24

CPC分类号： C08J9/26 ,  C08J2201/046 ,  C08J2383/04 ,  C08K5/09 ,  C08L83/02 ,  C09D183/02 ,  C08L83/00

摘要： Disclosed are stable organo polysilica resin composition containing a B-staged organo polysilica resin and an organic acid, methods of stabilizing such B-staged organo polysilica resin compositions and methods of manufacturing electronic devices using such stable compositions.

摘要翻译： 公开了含有B阶有机聚硅氧烷树脂和有机酸的稳定的有机聚硅氧烷树脂组合物，稳定这种B阶有机聚硅氧烷树脂组合物的方法和使用这种稳定组合物制造电子器件的方法。

公开(公告)号：US06667147B2

公开(公告)日：2003-12-23

申请号：US10289932

申请日：2002-11-07

申请人： Michael K. Gallagher ,  Yujian You

发明人： Michael K. Gallagher ,  Yujian You

IPC分类号： G03F700

CPC分类号： H01L21/02137 ,  B29C67/202 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/481 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047 ,  H05K1/024 ,  H05K2201/0116 ,  Y10T428/24331

摘要： Disclosed are methods of manufacturing electronic devices, particularly integrated circuits. Such methods include the use of low dielectric constant material prepared by using a removable porogen material.

公开(公告)号：US06602804B2

公开(公告)日：2003-08-05

申请号：US10186397

申请日：2002-07-01

申请人： Craig S. Allen ,  Nikoi Annan ,  Robert M. Blankenship ,  Michael K. Gallagher ,  Robert H. Gore ,  Angelo A. Lamola ,  Yujian You

发明人： Craig S. Allen ,  Nikoi Annan ,  Robert M. Blankenship ,  Michael K. Gallagher ,  Robert H. Gore ,  Angelo A. Lamola ,  Yujian You

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： C08J9/26 ,  C08J2201/046 ,  C08J2383/04 ,  H05K1/0313 ,  H05K3/0011 ,  Y10S438/96

摘要： Porous dielectric materials having low dielectric constants useful in electronic component manufacture are disclosed along with methods of preparing the porous dielectric materials. Also disclosed are methods of forming integrated circuits containing such porous dielectric materials.

公开(公告)号：US06596467B2

公开(公告)日：2003-07-22

申请号：US09948388

申请日：2001-09-08

申请人： Michael K. Gallagher ,  Yujian You

发明人： Michael K. Gallagher ,  Yujian You

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/02137 ,  B29C67/202 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/481 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047 ,  H05K1/024 ,  H05K2201/0116 ,  Y10T428/24331

摘要： Disclosed are methods of manufacturing electronic devices, particularly integrated circuits. Such methods include the use of low dielectric constant material prepared by using a removable porogen material.