利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

16 条记录 (耗时 0.033 秒)

    DIFFUSION-AGENT COMPOSITION, METHOD FOR FORMING IMPURITY-DIFFUSION LAYER, AND SOLAR CELL
    2.
    发明申请
    DIFFUSION-AGENT COMPOSITION, METHOD FOR FORMING IMPURITY-DIFFUSION LAYER, AND SOLAR CELL 有权
    扩散剂组合物，形成扩散层和太阳能电池的方法

    公开(公告)号：US20140227865A1

    公开(公告)日：2014-08-14

    申请号：US14342959

    申请日：2012-09-03

    申请人： Takashi Kamizono ,  Toshiro Morita

    发明人： Takashi Kamizono ,  Toshiro Morita

    IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/225

    CPC分类号： H01L21/2225 ,  H01L21/225 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

    摘要： A diffusion-agent composition including a borate ester (A); a polyhydric alcohol (B) represented by general formula (1); and an alkoxysilane compound (C). In general formula (1), k represents an integer from 0 to 3, m represents an integer of 1 or more, and R2 and R3 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a C1-5 alkyl group, or a C1-5 hydroxyalkyl group. When there are a plurality of R2s and R3s, the plurality of R2s and R3s may be the same as or different from one another. When k is 2 or more, the plurality of R2s and R3s always include at least one or more hydroxyl groups or C1-5 hydroxyalkyl groups having 1 to 5 carbon atoms. R4 and R5 each independently represent a hydrogen atom or a C1-3 alkyl group.

    摘要翻译： 包含硼酸酯（A）的扩散剂组合物; 由通式（1）表示的多元醇（B）; 和烷氧基硅烷化合物（C）。 通式（1）中，k表示0〜3的整数，m表示1以上的整数，R2和R3各自独立地表示氢原子，羟基，C1-5烷基或C1 -5羟烷基。 当存在多个R2和R3时，多个R2和R3可以彼此相同或不同。 当k为2以上时，多个R 2和R 3总是包含至少一个以上的羟基或碳原子数为1〜5的C 1-5羟烷基。 R4和R5各自独立地表示氢原子或C1-3烷基。

    FILM-FORMING COMPOSITION
    4.
    发明申请
    FILM-FORMING COMPOSITION 审中-公开
    成膜组合物

    公开(公告)号：US20090292053A1

    公开(公告)日：2009-11-26

    申请号：US12307848

    申请日：2007-07-02

    申请人： Toshiro Morita

    发明人： Toshiro Morita

    IPC分类号： C08K3/18

    CPC分类号： C08L71/02 ,  C08L83/04 ,  C09D171/02 ,  C09D183/00 ,  C09D183/04 ,  C09D183/16 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  C08L83/00

    摘要： A film-forming composition for use in a coating diffusion method, capable of diffusing a dopant at a higher concentration, and further capable of concomitantly forming a silica-based coating film is provided. A film-forming composition for constituting a diffusion film provided for diffusing a dopant element into a silicon wafer, the film-forming composition including: (A) a polymeric silicon compound; (B) an oxide of the dopant element, or a salt including the dopant element; and (C) porogene.

    摘要翻译： 提供一种用于涂布扩散方法的能够以更高浓度扩散掺杂剂并且还能够同时形成二氧化硅基涂膜的成膜组合物。 一种用于构成用于将掺杂剂元素扩散到硅晶片中的扩散膜的成膜组合物，所述成膜组合物包括：（A）聚合物硅化合物; （B）掺杂剂元素的氧化物，或包含掺杂剂元素的盐; 和（C）孔隙。

    Film-forming composition
    5.
    发明授权
    Film-forming composition 有权
    成膜组合物

    公开(公告)号：US08563409B2

    公开(公告)日：2013-10-22

    申请号：US13175341

    申请日：2011-07-01

    申请人： Toshiro Morita

    发明人： Toshiro Morita

    IPC分类号： H01L21/22

    CPC分类号： C08L71/02 ,  C08L83/04 ,  C09D171/02 ,  C09D183/00 ,  C09D183/04 ,  C09D183/16 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  C08L83/00

    摘要： A film-forming composition for use in a coating diffusion method, capable of diffusing a dopant at a higher concentration, and further capable of concomitantly forming a silica-based coating film is provided. A film-forming composition for constituting a diffusion film provided for diffusing a dopant element into a silicon wafer, the film-forming composition including: (A) a polymeric silicon compound; (B) an oxide of the dopant element, or a salt including the dopant element; and (C) porogene.

    摘要翻译： 提供一种用于涂布扩散方法的能够以更高浓度扩散掺杂剂并且还能够同时形成二氧化硅基涂膜的成膜组合物。 一种用于构成用于将掺杂剂元素扩散到硅晶片中的扩散膜的成膜组合物，所述成膜组合物包括：（A）聚合物硅化合物; （B）掺杂剂元素的氧化物，或包含掺杂剂元素的盐; 和（C）孔隙。

    FILM-FORMING COMPOSITION
    9.
    发明申请
    FILM-FORMING COMPOSITION 有权
    成膜组合物

    公开(公告)号：US20090014845A1

    公开(公告)日：2009-01-15

    申请号：US12160176

    申请日：2006-12-19

    申请人： Toshiro Morita ,  Isao Sato

    发明人： Toshiro Morita ,  Isao Sato

    IPC分类号： H01L23/58 ,  C08L83/04 ,  C08K5/057 ,  C08K5/59 ,  C08K5/51

    CPC分类号： H01L21/3122 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/316

    摘要： An SiO2-based film-forming composition giving a protective film which, after impurity diffusion, can be easily stripped off and which has a higher protective effect. The film-forming composition is one for forming a protective film which in the diffusion of an impurity into a silicon wafer, serves to partly prevent the impurity diffusion. This film-forming composition comprises a high-molecular silicon compound and a compound having a protective element which undergoes covalent bonding to the element to be diffused in the impurity diffusion and thereby comes to have eight valence electrons. The protective element is preferably gallium or aluminum when phosphorus is used as the element to be diffused, and is preferably tantalum, niobium, arsenic, or antimony when boron is used as the diffusion element.

    摘要翻译： 提供保护膜的SiO 2系膜形成组合物，其在杂质扩散后容易剥离并具有较高的保护效果。 成膜组合物是用于形成保护膜的组合物，其在将杂质扩散到硅晶片中用于部分地防止杂质扩散。 该成膜组合物包含高分子硅化合物和具有保护元素的化合物，该保护元素与待杂质扩散的元素进行共价键合，从而具有8价电子。 当使用磷作为扩散元件时，保护元件优选为镓或铝，并且当使用硼作为扩散元件时，保护元件优选为钽，铌，砷或锑。