公开(公告)号：US07953134B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US12347392

申请日：2008-12-31

申请人： Ming-Ta Chin ,  Kuo-Feng Huang ,  Ping-Fei Shen ,  Ching-Jen Wang ,  Shih-Pang Chang

发明人： Ming-Ta Chin ,  Kuo-Feng Huang ,  Ping-Fei Shen ,  Ching-Jen Wang ,  Shih-Pang Chang

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/343 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3407

摘要： A semiconductor light-emitting device includes a substrate, a first cladding layer over the substrate, an active region on the first cladding layer, and a second cladding layer on the active region, wherein the active region includes a first type barrier layer that is doped and a second type barrier layer that is undoped, the first type barrier layer being closer to the first cladding layer than the second type barrier layer.

摘要翻译： 一种半导体发光器件，包括：衬底，衬底上的第一覆层，第一覆层上的有源区和有源区上的第二覆层，其中有源区包括掺杂的第一类阻挡层 以及不掺杂的第二类型阻挡层，所述第一类型阻挡层比所述第二类型阻挡层更靠近所述第一包覆层。

公开(公告)号：US08664087B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13310342

申请日：2011-12-02

申请人： Shih-Pang Chang ,  Hung-Chi Yang ,  Yu-Jiun Shen

发明人： Shih-Pang Chang ,  Hung-Chi Yang ,  Yu-Jiun Shen

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L21/02458 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/30617 ,  H01L33/0079

摘要： A method of manufacturing a semiconductor structure is disclosed, which includes providing a substrate comprising a bottom surface and a growth surface opposite to the bottom surface; forming a buffer layer comprising a first surface which is not a C-plane substantially parallel with the bottom surface on the growth surface; forming a semiconductor structure on the buffer layer; forming at least one cavity in the buffer layer; extending the cavity along a main extending direction; separating the substrate and the semiconductor structure; wherein the main extending direction is substantially not parallel with the normal direction of the first surface.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体结构的方法，其包括提供包括底表面和与底表面相对的生长表面的基底; 形成缓冲层，所述缓冲层包括第一表面，所述第一表面不是与生长表面上的底表面基本平行的C平面; 在缓冲层上形成半导体结构; 在所述缓冲层中形成至少一个空腔; 沿着主延伸方向延伸空腔; 分离衬底和半导体结构; 其中所述主延伸方向基本上不与所述第一表面的法线方向平行。

公开(公告)号：US20130320296A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13488764

申请日：2012-06-05

申请人： Chun-Ta Yu ,  Chien-Yuan Tseng ,  Yu-Yao Lin ,  Shih-Pang Chang ,  Hung-Chih Yang

发明人： Chun-Ta Yu ,  Chien-Yuan Tseng ,  Yu-Yao Lin ,  Shih-Pang Chang ,  Hung-Chih Yang

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： A light-emitting device comprises a semiconductor stacked structure, the semiconductor stacked structure comprising a p-type semiconductor layer, a n-type semiconductor layer and an multiple quantum well structure between the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer, wherein the multiple quantum well structure comprises a first multiple quantum well structure near the n-type semiconductor layer and a second multiple quantum well structure near the p-type semiconductor layer, wherein the first multiple quantum well structure has positive interface bound charge and the second multiple quantum well structure has zero interface bound charge.

摘要翻译： 发光器件包括半导体堆叠结构，在p型半导体层和n型半导体层之间的半导体层叠结构包括p型半导体层，n型半导体层和多量子阱结构， 其中所述多量子阱结构包括靠近所述n型半导体层的第一多量子阱结构和在所述p型半导体层附近的第二多量子阱结构，其中所述第一多量子阱结构具有正界面结合的电荷， 多量子阱结构具有零界面界限电荷。