公开(公告)号：US08344409B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US13178323

申请日：2011-07-07

申请人： Wei-Chih Peng ,  Ta-Cheng Hsu ,  Yu-Jiun Shen ,  Ching-Fu Tsai

发明人： Wei-Chih Peng ,  Ta-Cheng Hsu ,  Yu-Jiun Shen ,  Ching-Fu Tsai

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/10 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0547 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/5275 ,  Y02E10/52

摘要： An optoelectronic device comprising, a substrate and a first transition stack formed on the substrate comprising a first transition layer formed on the substrate having a hollow component formed inside the first transition layer, a second transition layer formed on the first transition layer, and a reflector rod formed inside the second transition layer.

公开(公告)号：US20100276724A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12769744

申请日：2010-04-29

申请人： Hung-Chih YANG ,  Yu-Jiun Shen ,  Hsin-Mao Liu

发明人： Hung-Chih YANG ,  Yu-Jiun Shen ,  Hsin-Mao Liu

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L2933/0091

摘要： The application illustrates a light-emitting device including a contact layer and a current spreading layer on the contact layer. A part of the contact layer is a rough structure and a part of the contact layer is a flat structure. A part of the current spreading layer is a rough structure and a part of the current spreading layer is a flat structure. The rough region of the contact layer and the rough region of the current spreading layer are substantially overlapped.

摘要翻译： 该应用示出了在接触层上包括接触层和电流扩散层的发光器件。 接触层的一部分是粗糙结构，接触层的一部分是平坦结构。 电流扩散层的一部分是粗糙结构，并且电流扩展层的一部分是平坦结构。 接触层的粗糙区域和电流扩散层的粗糙区域基本上重叠。

公开(公告)号：US08362501B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12769744

申请日：2010-04-29

申请人： Hung-Chih Yang ,  Yu-Jiun Shen ,  Hsin-Mao Liu

发明人： Hung-Chih Yang ,  Yu-Jiun Shen ,  Hsin-Mao Liu

IPC分类号： H01L33/22

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L2933/0091

摘要： The application illustrates a light-emitting device including a contact layer and a current spreading layer on the contact layer. A part of the contact layer is a rough structure and a part of the contact layer is a flat structure. A part of the current spreading layer is a rough structure and a part of the current spreading layer is a flat structure. The rough region of the contact layer and the rough region of the current spreading layer are substantially overlapped.

摘要翻译： 该应用示出了在接触层上包括接触层和电流扩散层的发光器件。 接触层的一部分是粗糙结构，并且接触层的一部分是平坦结构。 电流扩散层的一部分是粗糙结构，并且电流扩展层的一部分是平坦结构。 接触层的粗糙区域和电流扩散层的粗糙区域基本上重叠。

公开(公告)号：US20120142142A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13310342

申请日：2011-12-02

申请人： Shih-Pang CHANG ,  Hung-Chi YANG ,  Yu-Jiun SHEN

发明人： Shih-Pang CHANG ,  Hung-Chi YANG ,  Yu-Jiun SHEN

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02458 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/30617 ,  H01L33/0079

摘要： A method of manufacturing a semiconductor structure is disclosed, which includes providing a substrate comprising a bottom surface and a growth surface opposite to the bottom surface; forming a buffer layer comprising a first surface which is not a C-plane substantially parallel with the bottom surface on the growth surface; forming a semiconductor structure on the buffer layer; forming at least one cavity in the buffer layer; extending the cavity along a main extending direction; separating the substrate and the semiconductor structure; wherein the main extending direction is substantially not parallel with the normal direction of the first surface.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体结构的方法，其包括提供包括底表面和与底表面相对的生长表面的基底; 形成缓冲层，所述缓冲层包括第一表面，所述第一表面不是与生长表面上的底表面基本平行的C平面; 在缓冲层上形成半导体结构; 在所述缓冲层中形成至少一个空腔; 沿着主延伸方向延伸空腔; 分离衬底和半导体结构; 其中所述主延伸方向基本上不与所述第一表面的法线方向平行。

公开(公告)号：US20080308818A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US11808963

申请日：2007-06-14

申请人： Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Yu-Jiun Shen

发明人： Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Yu-Jiun Shen

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： C09K11/7734 ,  H01L33/502 ,  H05B33/0806

摘要： A light-emitting device includes an LED chip emitting a primary light, and a phosphor deposited on the LED chip for absorbing the primary light to excite a secondary light, wherein the wavelength of the primary light is shorter than 430 nm and the LED chip is driven by current density greater than 200 mA/cm2. The wavelength-converting light-emitting device has a high light efficiency and a stable color temperature, wherein LED chip is diced from a wafer made by means of a phosphor-on-chip process.

摘要翻译： 发光装置包括发射初级光的LED芯片和沉积在LED芯片上用于吸收初级光以激发二次光的荧光体，其中初级光的波长短于430nm，LED芯片为 由电流密度大于200mA / cm2驱动。 波长转换发光装置具有高的光效率和稳定的色温，其中LED芯片由通过片上荧光体制造的晶片切割。

公开(公告)号：US20140103290A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：US13653140

申请日：2012-10-16

申请人： Sheng-Horng YEN ,  Ta-Cheng Hsu ,  Yu-Jiun Shen

发明人： Sheng-Horng YEN ,  Ta-Cheng Hsu ,  Yu-Jiun Shen

IPC分类号： H01L33/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： A light-emitting device comprises a first semiconductor layer; a second semiconductor layer; a light-emitting layer formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; a first electron blocking layer formed between the first semiconductor layer and the light-emitting layer; and a second electron blocking layer formed between the second semiconductor layer and the light-emitting layer, wherein the thickness of the second electron blocking layer is not equal to that of the first electron blocking layer, and/or the band gap energy of the second electron blocking layer is not equal to that of the first electron blocking layer.

摘要翻译： 发光器件包括第一半导体层; 第二半导体层; 形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层; 形成在第一半导体层和发光层之间的第一电子阻挡层; 以及形成在第二半导体层和发光层之间的第二电子阻挡层，其中第二电子阻挡层的厚度不等于第一电子阻挡层的厚度和/或第二电子阻挡层的带隙能量 电子阻挡层不等于第一电子阻挡层的电子阻挡层。

公开(公告)号：US20120104440A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13178323

申请日：2011-07-07

申请人： Wei-Chih PENG ,  Ta-Cheng Hsu ,  Yu-Jiun Shen ,  Ching-Fu Tsai

发明人： Wei-Chih PENG ,  Ta-Cheng Hsu ,  Yu-Jiun Shen ,  Ching-Fu Tsai

IPC分类号： H01L33/60 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L33/10 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0547 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/5275 ,  Y02E10/52

摘要： An optoelectronic device comprising, a substrate and a first transition stack formed on the substrate comprising a first transition layer formed on the substrate having a hollow component formed inside the first transition layer, a second transition layer formed on the first transition layer, and a reflector rod formed inside the second transition layer.

摘要翻译： 一种光电子器件，包括：衬底和形成在衬底上的第一过渡堆叠，包括形成在衬底上的第一过渡层，其具有形成在第一过渡层内部的中空部件，形成在第一过渡层上的第二过渡层，以及反射器 杆形成在第二过渡层内。

公开(公告)号：US20070152207A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11647170

申请日：2006-12-29

申请人： Shih-Nan Yen ,  Jung-Tu Chiu ,  Yu-Jiun Shen ,  Ching-Fu Tsai

发明人： Shih-Nan Yen ,  Jung-Tu Chiu ,  Yu-Jiun Shen ,  Ching-Fu Tsai

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/025

摘要： A semiconductor light-emitting device comprises a substrate; and an active layer formed over the substrate comprising a well layer having an unintentionally-doped impurities; a first barrier layer; and a second barrier layer, wherein the well layer is disposed between the first barrier layer and the second barrier layer, the first barrier layer comprises an n-type-impurities-intentionally-doped portion near to the well layer, and an n-type-impurities-unintentionally-doped portion distant from the well layer; the second barrier layer comprises an n-type-impurities-unintentionally-doped portion near to the well layer.

摘要翻译： 半导体发光器件包括衬底; 以及形成在所述衬底上的有源层，包括具有无意掺杂杂质的阱层; 第一阻挡层; 以及第二阻挡层，其中所述阱层设置在所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间，所述第一势垒层包括靠近所述阱层的n型杂质有意掺杂部分，以及n型 远离阱层的非有意掺杂部分; 第二阻挡层包括靠近阱层的n型杂质无意掺杂部分。

公开(公告)号：US08664087B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13310342

申请日：2011-12-02

申请人： Shih-Pang Chang ,  Hung-Chi Yang ,  Yu-Jiun Shen

发明人： Shih-Pang Chang ,  Hung-Chi Yang ,  Yu-Jiun Shen

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L21/02458 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/30617 ,  H01L33/0079

摘要： A method of manufacturing a semiconductor structure is disclosed, which includes providing a substrate comprising a bottom surface and a growth surface opposite to the bottom surface; forming a buffer layer comprising a first surface which is not a C-plane substantially parallel with the bottom surface on the growth surface; forming a semiconductor structure on the buffer layer; forming at least one cavity in the buffer layer; extending the cavity along a main extending direction; separating the substrate and the semiconductor structure; wherein the main extending direction is substantially not parallel with the normal direction of the first surface.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体结构的方法，其包括提供包括底表面和与底表面相对的生长表面的基底; 形成缓冲层，所述缓冲层包括第一表面，所述第一表面不是与生长表面上的底表面基本平行的C平面; 在缓冲层上形成半导体结构; 在所述缓冲层中形成至少一个空腔; 沿着主延伸方向延伸空腔; 分离衬底和半导体结构; 其中所述主延伸方向基本上不与所述第一表面的法线方向平行。

公开(公告)号：US08232563B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US11808963

申请日：2007-06-14

申请人： Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Yu-Jiun Shen

发明人： Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Yu-Jiun Shen

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： C09K11/7734 ,  H01L33/502 ,  H05B33/0806

摘要： A light-emitting device includes an LED chip emitting a primary light, and a phosphor deposited on the LED chip for absorbing the primary light to excite a secondary light, wherein the wavelength of the primary light is shorter than 430 nm and the LED chip is driven by current density greater than 200 mA/cm2. The wavelength-converting light-emitting device has a high light efficiency and a stable color temperature, wherein LED chip is diced from a wafer made by means of a phosphor-on-chip process.

摘要翻译： 发光装置包括发射初级光的LED芯片和沉积在LED芯片上用于吸收初级光以激发二次光的荧光体，其中初级光的波长短于430nm，LED芯片为 由电流密度大于200mA / cm2驱动。 波长转换发光装置具有高的光效率和稳定的色温，其中LED芯片由通过片上荧光体制造的晶片切割。