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    Patterning method
    5.
    发明授权
    Patterning method 有权
    图案化方法

    公开(公告)号：US08748323B2

    公开(公告)日：2014-06-10

    申请号：US12217645

    申请日：2008-07-07

    申请人： Han-Hui Hsu ,  Shih-Ping Hong ,  An-Chi Wei ,  Ming-Tsung Wu

    发明人： Han-Hui Hsu ,  Shih-Ping Hong ,  An-Chi Wei ,  Ming-Tsung Wu

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314

    CPC分类号： H01L21/76838 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

    摘要： A patterning method is provided. First, a substrate having an objective material layer thereon is provided. Thereafter, a mask layer is formed on the objective material layer. Afterwards, a patterned layer is formed over the mask layer, wherein a material of the patterned layer includes a metal-containing substance. Then, the mask layer is patterned to form a patterned mask layer. Further, the objective material layer is patterned, using the patterned mask layer as a mask.

    摘要翻译： 提供了图案化方法。 首先，提供其上具有目标材料层的基板。 此后，在目标材料层上形成掩模层。 之后，在掩模层上形成图案层，其中图案化层的材料包括含金属的物质。 然后，将掩模层图案化以形成图案化掩模层。 此外，使用图案化掩模层作为掩模来对目标材料层进行图案化。

    Patterning method
    6.
    发明申请
    Patterning method 有权
    图案化方法

    公开(公告)号：US20100000969A1

    公开(公告)日：2010-01-07

    申请号：US12217645

    申请日：2008-07-07

    申请人： Han-Hui Hsu ,  Shih-Ping Hong ,  An-Chi Wei ,  Ming-Tsung Wu

    发明人： Han-Hui Hsu ,  Shih-Ping Hong ,  An-Chi Wei ,  Ming-Tsung Wu

    IPC分类号： C23F1/00

    CPC分类号： H01L21/76838 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

    摘要： A patterning method is provided. First, a substrate having an objective material layer thereon is provided. Thereafter, a mask layer is formed on the objective material layer. Afterwards, a patterned layer is formed over the mask layer, wherein a material of the patterned layer includes a metal-containing substance. Then, the mask layer is patterned to form a patterned mask layer. Further, the objective material layer is patterned, using the patterned mask layer as a mask.

    摘要翻译： 提供了图案化方法。 首先，提供其上具有目标材料层的基板。 此后，在目标材料层上形成掩模层。 之后，在掩模层上形成图案层，其中图案化层的材料包括含金属的物质。 然后，将掩模层图案化以形成图案化掩模层。 此外，使用图案化掩模层作为掩模来对目标材料层进行图案化。

    METHODS FOR ETCHING MULTI-LAYER HARDMASKS
    9.
    发明申请
    METHODS FOR ETCHING MULTI-LAYER HARDMASKS 审中-公开
    蚀刻多层硬质合金的方法

    公开(公告)号：US20120094494A1

    公开(公告)日：2012-04-19

    申请号：US12904892

    申请日：2010-10-14

    申请人： Yu-Chung Chen ,  Shih-Ping Hong ,  Ming-Tsung Wu

    发明人： Yu-Chung Chen ,  Shih-Ping Hong ,  Ming-Tsung Wu

    IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

    摘要： A method to further adjust the final CD of a material to be etched during an etching process, and after a photolithographic patterning process can include patterning a semiconductor substrate using a mask layer. The mask layer can comprise a hardmask material having a protruding feature with an initial width. A first plasma comprising carbon and fluorine can be introduced into a chamber, where residual carbon and fluorine is deposited on at least the chamber wall. A portion of the mask layer can then be removed with a second plasma incorporating the residual carbon and fluorine, whereby remaining hardmask material forms a feature pattern where the protruding feature has a final width different from the initial width. The feature pattern can then be transferred to the semiconductor substrate using the final width of the at least one protruding feature provided by the remaining hardmask material.

    摘要翻译： 在蚀刻工艺期间和在光刻图案化工艺之后进一步调整待蚀刻材料的最终CD的方法可以包括使用掩模层图案化半导体衬底。 掩模层可以包括具有初始宽度的突出特征的硬掩模材料。 包括碳和氟的第一等离子体可以被引入室中，其中残留的碳和氟沉积在至少室壁上。 掩模层的一部分然后可以用包含残余碳和氟的第二等离子体去除，由此剩余的硬掩模材料形成突出特征具有不同于初始宽度的最终宽度的特征图案。 然后可以使用由剩余的硬掩模材料提供的至少一个突出特征的最终宽度将特征图案转移到半导体衬底。

    METHODS OF LOW TEMPERATURE OXIDATION
    10.
    发明申请
    METHODS OF LOW TEMPERATURE OXIDATION 有权
    低温氧化法

    公开(公告)号：US20090286364A1

    公开(公告)日：2009-11-19

    申请号：US12121382

    申请日：2008-05-15

    申请人： Shih-Ping Hong ,  Han-Hui Hsu

    发明人： Shih-Ping Hong ,  Han-Hui Hsu

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/28211 ,  C23C8/36 ,  H01J37/321 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

    摘要： A method for forming a dielectric is provided. The method includes providing a substrate having a silicon-containing semiconductor layer within a process chamber. The process chamber is capable of ionizing a process precursor to a plasma comprising an oxygen-containing element and a fluorocarbon-containing element. A surface portion of the silicon-containing material is oxidized by using the plasma to convert the surface portion into an oxidized dielectric material.

    摘要翻译： 提供了形成电介质的方法。 该方法包括在处理室内提供具有含硅半导体层的衬底。 处理室能够将工艺前体电离到包含含氧元素和含氟烃元素的等离子体中。 通过使用等离子体将含硅材料的表面部分氧化，将表面部分转化为氧化的电介质材料。