公开(公告)号：US07776773B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11946783

申请日：2007-11-28

申请人： Nobuyuki Horiuchi ,  Teppei Kayama ,  Masahito Nakanishi ,  Takehiro Oda

发明人： Nobuyuki Horiuchi ,  Teppei Kayama ,  Masahito Nakanishi ,  Takehiro Oda

IPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/577 ,  F41H5/00

CPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/64 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/668 ,  F41H5/0414 ,  F41H5/0492

摘要： A boron carbide sintered body having a plurality of pores, comprises a boron carbide as a main component and a plurality of graphite particles dispersed in the sinter. The graphite particles is exposed to the pores or is in the vicinity of the pores.

摘要翻译： 具有多个孔的碳化硼烧结体包含碳化硼作为主要成分和分散在烧结体中的多个石墨颗粒。 石墨颗粒暴露于孔中或在孔附近。

公开(公告)号：US20130153014A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13810788

申请日：2011-09-26

申请人： Ryo Matsuoka ,  Manabu Kyuzo ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Rui Kamada ,  Daisuke Toyota ,  Yoshihide Okawa

发明人： Ryo Matsuoka ,  Manabu Kyuzo ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Rui Kamada ,  Daisuke Toyota ,  Yoshihide Okawa

IPC分类号： H01L31/065 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/065 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A photoelectric converter is disclosed. The photoelectric converter includes an electrode layer and a semiconductor layer. The semiconductor layer is on the electrode layer. The semiconductor layer contains a chalcopyrite compound semiconductor. The semiconductor layer comprises a plurality of sub-layers. The plurality of sub-layers comprises a first sub-layer. The first sub-layer is located closest to the electrode layer. The first sub-layer has a first thickness smaller than an average thickness of the rest of the plurality of sub-layers.

摘要翻译： 公开了一种光电转换器。 光电转换器包括电极层和半导体层。 半导体层在电极层上。 半导体层含有黄铜矿化合物半导体。 半导体层包括多个子层。 多个子层包括第一子层。 第一子层位于最靠近电极层的位置。 第一子层具有小于多个子层中的其余部分的平均厚度的第一厚度。

公开(公告)号：US20100091404A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12642708

申请日：2009-12-18

申请人： Yucong WANG ,  Shuji Nakazawa ,  Yuuya Nakao ,  Takuya Gentsu ,  Nobuyuki Horiuchi

发明人： Yucong WANG ,  Shuji Nakazawa ,  Yuuya Nakao ,  Takuya Gentsu ,  Nobuyuki Horiuchi

IPC分类号： G11B5/60 ,  G11B5/127

CPC分类号： G11B5/3106 ,  G11B5/102 ,  G11B5/3173 ,  G11B5/40 ,  G11B5/6011 ,  Y10T428/1157

摘要： A substrate for a magnetic read/write head is disclosed. The substrate can reduce detachment of crystal grains when the substrate is machined. The substrate may be machined when the substrate is cut into strips or a flow path surface recess is formed to produce the magnetic read/write head. The reduced detachment of crystal grains makes the magnetic read/write head more resilient to chipping, which allows the magnetic read/write head to have a lower and more stable flying height that increases recording density.

摘要翻译： 公开了一种用于磁读/写头的衬底。 当加工衬底时，衬底可以减少晶粒的分离。 当衬底被切割成条带时或者形成流路表面凹部以产生磁读/写头时，可以对衬底进行加工。 晶粒的分离减少使得磁读/写头对切屑更具弹性，这使得磁读/写头具有更低和更稳定的飞行高度，从而提高了记录密度。

公开(公告)号：US08318330B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12642708

申请日：2009-12-18

申请人： Yucong Wang ,  Shuji Nakazawa ,  Yuuya Nakao ,  Takuya Gentsu ,  Nobuyuki Horiuchi

发明人： Yucong Wang ,  Shuji Nakazawa ,  Yuuya Nakao ,  Takuya Gentsu ,  Nobuyuki Horiuchi

IPC分类号： G11B5/127 ,  C04B35/117

CPC分类号： G11B5/3106 ,  G11B5/102 ,  G11B5/3173 ,  G11B5/40 ,  G11B5/6011 ,  Y10T428/1157

摘要： A substrate for a magnetic read/write head is disclosed. The substrate can reduce detachment of crystal grains when the substrate is machined. The substrate may be machined when the substrate is cut into strips or a flow path surface recess is formed to produce the magnetic read/write head. The reduced detachment of crystal grains makes the magnetic read/write head more resilient to chipping, which allows the magnetic read/write head to have a lower and more stable flying height that increases recording density.

摘要翻译： 公开了一种用于磁读/写头的衬底。 当加工衬底时，衬底可以减少晶粒的分离。 当衬底被切割成条带时或者形成流路表面凹部以产生磁读/写头时，可以对衬底进行加工。 晶粒的分离减少使得磁读/写头对切屑更具弹性，这使得磁读/写头具有更低和更稳定的飞行高度，从而提高了记录密度。

公开(公告)号：US08772826B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13701150

申请日：2011-05-30

申请人： Hideaki Asao ,  Rui Kamada ,  Shuichi Kasai ,  Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Kazumasa Umesato

发明人： Hideaki Asao ,  Rui Kamada ,  Shuichi Kasai ,  Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Kazumasa Umesato

IPC分类号： H01L29/88 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L31/0272 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/541

摘要： It is an object to provide a photoelectric conversion device with high photoelectric conversion efficiency. The photoelectric conversion device includes an electrode layer, and a light absorbing layer located on the electrode layer. The light absorbing layer is comprised of a plurality of stacked semiconductor layers containing a chalcopyrite-based compound semiconductor. The semiconductor layers contain oxygen. A molar concentration of the oxygen in surfaces and their vicinities of the semiconductor layers where the semiconductor layers are stacked on each other is higher than average molar concentrations of the oxygen in the semiconductor layers.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种具有高光电转换效率的光电转换装置。 光电转换装置包括电极层和位于电极层上的光吸收层。 光吸收层由含有黄铜矿类化合物半导体的多个层叠半导体层构成。 半导体层含有氧。 半导体层彼此层叠的半导体层的表面的摩尔浓度及其附近的摩尔浓度高于半导体层中的氧的平均摩尔浓度。

公开(公告)号：US20130069187A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13701150

申请日：2011-05-30

申请人： Hideaki Asao ,  Rui Kamada ,  Shuichi Kasai ,  Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Kazumasa Umesato

发明人： Hideaki Asao ,  Rui Kamada ,  Shuichi Kasai ,  Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Kazumasa Umesato

IPC分类号： H01L31/0272

CPC分类号： H01L31/0272 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/541

摘要： It is an object to provide a photoelectric conversion device with high photoelectric conversion efficiency. The photoelectric conversion device includes an electrode layer, and a light absorbing layer located on the electrode layer. The light absorbing layer is comprised of a plurality of stacked semiconductor layers containing a chalcopyrite-based compound semiconductor. The semiconductor layers contain oxygen. A molar concentration of the oxygen in surfaces and their vicinities of the semiconductor layers where the semiconductor layers are stacked on each other is higher than average molar concentrations of the oxygen in the semiconductor layers.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种具有高光电转换效率的光电转换装置。 光电转换装置包括电极层和位于电极层上的光吸收层。 光吸收层由含有黄铜矿类化合物半导体的多个层叠半导体层构成。 半导体层含有氧。 半导体层彼此层叠的半导体层的表面的摩尔浓度及其附近的摩尔浓度高于半导体层中的氧的平均摩尔浓度。

公开(公告)号：US20110308616A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US13203823

申请日：2010-09-17

申请人： Rui Kamada ,  Shuji Nakazawa ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Shintaro Kubo ,  Yusuke Miyamichi

发明人： Rui Kamada ,  Shuji Nakazawa ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Shintaro Kubo ,  Yusuke Miyamichi

IPC分类号： H01L31/0264

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： It is aimed to provide a photoelectric conversion device having high adhesion between a light-absorbing layer and an electrode layer as well as high photoelectric conversion efficiency. In order to achieve this object, the photoelectric conversion device includes a first layer and a second layer provided on the first layer. Further, in the photoelectric conversion device, the first layer includes an electrode layer, the second layer includes a light-absorbing layer including a group I-III-VI compound semiconductor, the light-absorbing layer includes a first region and a second region located farther from the first layer than the first region, and an average grain diameter of crystal grains in the second region is larger than an average grain diameter of crystal grains in the first region.

摘要翻译： 旨在提供一种在光吸收层和电极层之间具有高粘附性的光电转换装置以及高的光电转换效率。 为了实现该目的，光电转换装置包括设置在第一层上的第一层和第二层。 此外，在光电转换装置中，第一层包括电极层，第二层包括含有I-III-VI族化合物半导体的光吸收层，光吸收层包括第一区域和位于 比第一区域更远离第一层，并且第二区域中的晶粒的平均粒径大于第一区域中的晶粒的平均粒径。