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    ALL-INKJET PRINTED THIN FILM TRANSISTOR
    5.
    发明申请
    ALL-INKJET PRINTED THIN FILM TRANSISTOR 审中-公开
    全印刷薄膜晶体管

    公开(公告)号：US20070146426A1

    公开(公告)日：2007-06-28

    申请号：US11275366

    申请日：2005-12-28

    申请人： Brian Nelson ,  Dennis Vogel ,  Mark Napierala ,  Tzu-Chen Lee

    发明人： Brian Nelson ,  Dennis Vogel ,  Mark Napierala ,  Tzu-Chen Lee

    IPC分类号： B41J2/135

    CPC分类号： H01L51/0005 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

    摘要： A method is provided for making a thin film transistor comprising the steps of: providing a substrate; applying a gate electrode ink by inkjet printing; applying a dielectric ink over by inkjet printing; applying a semiconductor ink by inkjet printing; and applying a source and drain electrode ink by inkjet printing. In some embodiments the semiconductor ink comprises a solvent and a semiconducting material comprising: 1-99.9% by weight of a polymer; and 0.1-99% by weight of a functionalized pentacene compound as described herein.

    摘要翻译： 提供了一种用于制造薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：提供衬底; 通过喷墨印刷施加栅电极油墨; 通过喷墨印刷施加电介质墨; 通过喷墨印刷应用半导体油墨; 以及通过喷墨印刷施加源电极和漏电极墨。 在一些实施方案中，半导体油墨包括溶剂和半导体材料，其包含：1-99.9重量％的聚合物; 和0.1-99重量％的如本文所述的官能化并五苯化合物。

    Perfluoroether acyl oligothiophene compounds
    6.
    发明申请
    Perfluoroether acyl oligothiophene compounds 有权
    全氟醚酰基低聚噻吩化合物

    公开(公告)号：US20060205172A1

    公开(公告)日：2006-09-14

    申请号：US11076268

    申请日：2005-03-09

    申请人： Christopher Gerlach ,  David Ender ,  Dennis Vogel

    发明人： Christopher Gerlach ,  David Ender ,  Dennis Vogel

    IPC分类号： H01L21/76

    CPC分类号： C07D333/28 ,  B82Y30/00 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0036

    摘要： Semiconductor devices are described that include a semiconductor layer that comprises a perfluoroether acyl oligothiophene compound, preferably an α,ω-bis-perfluoroether acyl oligothiophene compound. Additionally, methods of making semiconductor devices are described that include depositing a semiconductor layer that contains a perfluoroether acyl oligothiophene compound, preferably an α,ω-bis(2-perfluoroether acyl oligothiophene compound.

    摘要翻译： 描述了半导体器件，其包括包含全氟醚酰基低聚噻吩化合物，优选α，ω-双 - 全氟醚酰基低聚噻吩化合物的半导体层。 此外，描述了制造半导体器件的方法，其包括沉积含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物，优选α，ω-双（2-全氟醚酰基低聚噻吩化合物）的半导体层。

    Semiconductors containing perfluoroether acyl oligothiohpene compounds
    7.
    发明申请
    Semiconductors containing perfluoroether acyl oligothiohpene compounds 有权
    含全氟醚酰基低聚硫辛烯化合物的半导体

    公开(公告)号：US20060202191A1

    公开(公告)日：2006-09-14

    申请号：US11075978

    申请日：2005-03-09

    申请人： Christopher Gerlach ,  David Ender ,  Dennis Vogel

    发明人： Christopher Gerlach ,  David Ender ,  Dennis Vogel

    IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L35/24 ,  H01L51/00

    CPC分类号： H01L51/0068 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545

    摘要： Semiconductor devices are described that include a semiconductor layer that comprises a perfluoroether acyl oligothiophene compound, preferably an α,ω-bis-perfluoroether acyl oligothiophene compound. Additionally, methods of making semiconductor devices are described that include depositing a semiconductor layer that contains a perfluoroether acyl oligothiophene compound, preferably an α,ω-bis(2-perfluoroether acyl oligothiophene compound.

    摘要翻译： 描述了半导体器件，其包括包含全氟醚酰基低聚噻吩化合物，优选α，ω-双 - 全氟醚酰基低聚噻吩化合物的半导体层。 此外，描述了制造半导体器件的方法，其包括沉积包含全氟醚酰基低聚噻吩化合物，优选α，ω-双（2-全氟醚酰基低聚噻吩化合物）的半导体层。

    Bioactive Compositions Comprising Triazines
    8.
    发明申请
    Bioactive Compositions Comprising Triazines 审中-公开
    包含三嗪的生物活性组合物

    公开(公告)号：US20080039533A1

    公开(公告)日：2008-02-14

    申请号：US10595050

    申请日：2004-07-29

    申请人： Hassan Sahouani ,  Robert Scherrer ,  Mouhannad Jumaa ,  Isidro Zarraga ,  Kim Vogel ,  Dennis Vogel ,  Wei Zou

    发明人： Hassan Sahouani ,  Robert Scherrer ,  Mouhannad Jumaa ,  Isidro Zarraga ,  Kim Vogel ,  Dennis Vogel ,  Wei Zou

    IPC分类号： A61K47/22

    CPC分类号： A61K9/0019 ,  A61K47/22

    摘要： Compositions and methods including a bioactive compound and a triazine compound comprising: formula (I) or formula (II) and proton tautomers and salts thereof . Each R2 is independently selected from any electron donating group, electron withdrawing group and electron neutral group. R3 is selected from the group consisting of substituted heteroaromatic rings, unsubstituted heteroaromatic rings, substituted heterocyclic rings, and unsubstituted heterocyclic rings, that are linked to the triazine group through a nitrogen atom within a ring of R3.

    摘要翻译： 包括生物活性化合物和三嗪化合物的组合物和方法，其包含式（I）或式（II）和质子互变异构体及其盐。 每个R 2独立地选自任何给电子基团，吸电子基团和电子中性基团。 R 3选自取代的杂芳环，未取代的杂芳环，取代的杂环和未取代的杂环，其通过R 3环中的氮原子与三嗪基连接， SUB> 3 。

    6,13-Bis(thienyl)pentacene compounds
    10.
    发明申请
    6,13-Bis(thienyl)pentacene compounds 有权
    6,13-​​双（噻吩基）并五苯化合物

    公开(公告)号：US20070023748A1

    公开(公告)日：2007-02-01

    申请号：US11192950

    申请日：2005-07-29

    申请人： Dennis Vogel ,  Kim Vogel

    发明人： Dennis Vogel ,  Kim Vogel

    IPC分类号： C07D409/02 ,  H01L51/00

    CPC分类号： H01L51/0055 ,  C07D333/06 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

    摘要： 6,13-bis(thienyl)pentacene compounds are described that can be used as a semiconductor material. Semiconductor devices that contain the 6,13-bis(thienyl)pentacene compounds and methods of making such semiconductor devices are also described.

    摘要翻译： 描述了可用作半导体材料的6,13-​​双（噻吩基）并五苯化合物。 还描述了含有6,13-​​双（噻吩基）并五苯化合物的半导体器件和制造这种半导体器件的方法。