公开(公告)号：US20120132986A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13251676

申请日：2011-10-03

申请人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Byung-Lyul Park ,  Kwang-Jin Moon ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

发明人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Byung-Lyul Park ,  Kwang-Jin Moon ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/1207

摘要： A semiconductor device includes a substrate having a plurality of horizontal channel transistors formed thereon, an insulation layer structure on the substrate and covering the horizontal transistors, and a plurality of vertical channel transistors on the insulation layer structure.

摘要翻译： 半导体器件包括其上形成有多个水平沟道晶体管的衬底，在衬底上的绝缘层结构并覆盖水平晶体管，以及在绝缘层结构上的多个垂直沟道晶体管。

公开(公告)号：US08390120B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12913748

申请日：2010-10-27

申请人： Kwang-Jin Moon ,  Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

发明人： Kwang-Jin Moon ,  Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a via structure and a conductive structure. The via structure has a surface with a planar portion and a protrusion portion. The conductive structure is formed over at least part of the planar portion and not over at least part of the protrusion portion of the via structure. For example, the conductive structure is formed only onto the planar portion and not onto any of the protrusion portion for forming high quality connection between the conductive structure and the via structure.

摘要翻译： 半导体器件包括通孔结构和导电结构。 通孔结构具有平坦部分和突出部分的表面。 导电结构形成在平面部分的至少一部分上，而不是在通孔结构的突出部分的至少一部分之上。 例如，导电结构仅形成在平面部分上，而不形成在任何突出部分上，用于在导电结构和通孔结构之间形成高质量的连接。

公开(公告)号：US20140217603A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：US13756593

申请日：2013-02-01

申请人： Kwang-jin Moon ,  Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

发明人： Kwang-jin Moon ,  Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a via structure and a conductive structure. The via structure has a surface with a planar portion and a protrusion portion. The conductive structure is formed over at least part of the planar portion and not over at least part of the protrusion portion of the via structure. For example, the conductive structure is formed only onto the planar portion and not onto any of the protrusion portion for forming high quality connection between the conductive structure and the via structure.

摘要翻译： 半导体器件包括通孔结构和导电结构。 通孔结构具有平坦部分和突出部分的表面。 导电结构形成在平面部分的至少一部分上，而不是在通孔结构的突出部分的至少一部分之上。 例如，导电结构仅形成在平面部分上，而不形成在任何突出部分上，用于在导电结构和通孔结构之间形成高质量的连接。

公开(公告)号：US20110316168A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12913748

申请日：2010-10-27

申请人： Kwang-Jin Moon ,  Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

发明人： Kwang-Jin Moon ,  Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a via structure and a conductive structure. The via structure has a surface with a planar portion and a protrusion portion. The conductive structure is formed over at least part of the planar portion and not over at least part of the protrusion portion of the via structure. For example, the conductive structure is formed only onto the planar portion and not onto any of the protrusion portion for forming high quality connection between the conductive structure and the via structure.

摘要翻译： 半导体器件包括通孔结构和导电结构。 通孔结构具有平坦部分和突出部分的表面。 导电结构形成在平面部分的至少一部分上，而不是在通孔结构的突出部分的至少一部分之上。 例如，导电结构仅形成在平面部分上，而不形成在任何突出部分上，用于在导电结构和通孔结构之间形成高质量的连接。

公开(公告)号：US08546162B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13243763

申请日：2011-09-23

申请人： Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Pil-Kyu Kang ,  Gil-Heyun Choi ,  Kwang-Jin Moon

发明人： Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Pil-Kyu Kang ,  Gil-Heyun Choi ,  Kwang-Jin Moon

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G02B6/138 ,  G02B6/136

摘要： A method for forming a light guide layer with improved transmission reliability in a semiconductor substrate, the method including forming a trench in the semiconductor substrate, forming a cladding layer and a preliminary light guide layer in the trench such that only one of opposite side end portions of the preliminary light guide layer is in contact with an inner sidewall of the trench, and performing a thermal treatment on the substrate to change the preliminary light guide layer into the light guide layer.

摘要翻译： 一种在半导体衬底中形成具有改善的透射可靠性的导光层的方法，所述方法包括在所述半导体衬底中形成沟槽，在所述沟槽中形成包覆层和预备导光层，使得只有一个相对侧端部 所述预备光导层与所述沟槽的内侧壁接触，并对所述基板进行热处理，以将所述初步导光层改变为所述导光层。

公开(公告)号：US08873901B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13494445

申请日：2012-06-12

申请人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

发明人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/30 ,  G02B6/124 ,  G02B6/42

CPC分类号： G02B6/305 ,  G02B6/124 ,  G02B6/30 ,  G02B6/4204 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12147

摘要： Optical input/output (I/O) devices, which include a substrate including a trench, a waveguide within the trench of the substrate; and a photodetector within the trench and optically connected to the waveguide. An upper surface of the photodetector is at a same level as an upper surface of the waveguide.

摘要翻译： 光输入/输出（I / O）器件，其包括衬底，其包括沟槽，衬底的沟槽内的波导; 以及在沟槽内的光电检测器，并且光学连接到波导。 光检测器的上表面与波导的上表面处于同一水平。

公开(公告)号：US20120314991A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13412210

申请日：2012-03-05

申请人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

发明人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

IPC分类号： G02B6/12 ,  H01L29/06

CPC分类号： G02B6/124 ,  G02B6/136 ,  G02B6/4206 ,  G02B6/43

摘要： Semiconductor devices having an optical transceiver include a cladding on a substrate, a protrusion vertically extending trough the cladding and materially in continuity with the substrate, and a coupler on the cladding and the protrusion.

摘要翻译： 具有光收发器的半导体器件包括在衬底上的包层，垂直延伸穿过覆层并与衬底物理连续的突起，以及在包层和突起上的耦合器。

公开(公告)号：US09103974B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US13412210

申请日：2012-03-05

申请人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

发明人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/34 ,  G02B6/124 ,  G02B6/42 ,  G02B6/43 ,  G02B6/136

CPC分类号： G02B6/124 ,  G02B6/136 ,  G02B6/4206 ,  G02B6/43

摘要： Semiconductor devices having an optical transceiver include a cladding on a substrate, a protrusion vertically extending trough the cladding and materially in continuity with the substrate, and a coupler on the cladding and the protrusion.

摘要翻译： 具有光收发器的半导体器件包括在衬底上的包层，垂直延伸穿过覆层并与衬底物理连续的突起，以及在包层和突起上的耦合器。

公开(公告)号：US20120314993A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13494445

申请日：2012-06-12

申请人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

发明人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

IPC分类号： G02B6/12

CPC分类号： G02B6/305 ,  G02B6/124 ,  G02B6/30 ,  G02B6/4204 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12147

摘要： Optical input/output (I/O) devices, which include a substrate including a trench, a waveguide within the trench of the substrate; and a photodetector within the trench and optically connected to the waveguide. An upper surface of the photodetector is at a same level as an upper surface of the waveguide.

摘要翻译： 光输入/输出（I / O）器件，其包括衬底，其包括沟槽，衬底的沟槽内的波导; 以及在沟槽内的光电检测器，并且光学连接到波导。 光检测器的上表面与波导的上表面处于同一水平。

公开(公告)号：US20120108034A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13239992

申请日：2011-09-22

申请人： Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Pil-Kyu Kang

发明人： Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Pil-Kyu Kang

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： H01L27/10876 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

摘要： Provided are a substrate structure which may solve problems generated in a manufacturing process while having a relatively low resistance buried wiring, a method for manufacturing the substrate structure, and a semiconductor device and a method for manufacturing the same using the substrate structure. The substrate structure may include a supporting substrate, an insulating layer disposed on the supporting substrate, a line-shaped conductive layer pattern disposed in the insulating layer to extend in a first direction, and a line-shaped semiconductor pattern disposed in the insulating layer and on the conductive layer pattern to extend in the first direction and having a top surface exposed to the outside of the insulating layer.

摘要翻译： 提供了可以解决制造工艺中产生的问题的基板结构，同时具有相对低的电阻埋地布线，制造基板结构的方法和半导体器件及其使用该基板结构的方法。 衬底结构可以包括支撑衬底，设置在支撑衬底上的绝缘层，设置在绝缘层中以沿第一方向延伸的线状导电层图案和布置在绝缘层中的线状半导体图案，以及 在导电层图案上沿着第一方向延伸并且具有暴露于绝缘层外侧的顶表面。