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    Metal oxide resistive switching memory and method for manufacturing same
    1.
    发明授权
    Metal oxide resistive switching memory and method for manufacturing same 有权
    金属氧化物电阻式开关存储器及其制造方法

    公开(公告)号：US08735245B2

    公开(公告)日：2014-05-27

    申请号：US13510467

    申请日：2011-06-30

    申请人： Hangbing Lv ,  Ming Liu ,  Shibing Long ,  Qi Liu ,  Yanhua Wang ,  Jiebin Niu

    发明人： Hangbing Lv ,  Ming Liu ,  Shibing Long ,  Qi Liu ,  Yanhua Wang ,  Jiebin Niu

    IPC分类号： H01L21/8239 ,  G11C11/21

    CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16

    摘要： The present disclosure relates to the microelectronics field, and particularly, to a metal oxide resistive switching memory and a method for manufacturing the same. The method may comprise: forming a W-plug lower electrode above a MOS device; sequentially forming a cap layer, a first dielectric layer, and an etching block layer on the W-plug lower electrode; etching the etching block layer, the first dielectric layer, and the cap layer to form a groove for a first level of metal wiring; sequentially forming a metal oxide layer, an upper electrode layer, and a composite layer of a diffusion block layer/a seed copper layer/a plated copper layer in the groove for the first level of metal wiring; patterning the upper electrode layer and the composite layer by CMP, to form a memory cell and the first level of metal wiring in the groove in the first dielectric layer; and performing subsequent processes to complete the metal oxide resistive switching memory. According to the present disclosure, the manufacture process can be simplified, without incorporating additional exposure steps in the standard process, resulting in advantages such as reduced cost.

    摘要翻译： 本公开涉及微电子领域，特别涉及金属氧化物电阻式开关存储器及其制造方法。 该方法可以包括：在MOS器件之上形成W形插塞下电极; 在W型插塞下电极上依次形成覆盖层，第一电介质层和蚀刻阻挡层; 蚀刻蚀刻阻挡层，第一介电层和盖层，以形成用于第一级金属布线的凹槽; 在用于第一级金属布线的槽中依次形成金属氧化物层，上电极层和扩散阻挡层/种子铜层/镀覆铜层的复合层; 通过CMP图案化上电极层和复合层，以在第一介电层中的沟槽中形成存储单元和第一级金属布线; 以及执行后续处理以完成金属氧化物电阻式切换存储器。 根据本公开，可以简化制造过程，而不在标准方法中引入额外的暴露步骤，导致诸如降低成本的优点。

    RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND MEMORY
    2.
    发明申请
    RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND MEMORY 有权
    电阻随机访问存储单元和存储器

    公开(公告)号：US20130119341A1

    公开(公告)日：2013-05-16

    申请号：US13512797

    申请日：2011-10-13

    申请人： Qi Liu ,  Ming Liu ,  Shibing Long ,  Hangbing Lv

    发明人： Qi Liu ,  Ming Liu ,  Shibing Long ,  Hangbing Lv

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/14 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253

    摘要： A Resistive Random Access Memory (RRAM) cell and a memory are disclosed. In one embodiment, the RRAM cell comprises a two-state resistor and a resistive switching memory cell connected in series. The two-state resistor can supply relatively large currents under both positive and negative voltage polarities. As a result, it is possible to reduce leakage paths in a crossbar array of memory cells, and thus to suppress reading crosstalk.

    摘要翻译： 公开了电阻随机存取存储器（RRAM）单元和存储器。 在一个实施例中，RRAM单元包括串联连接的双态电阻器和电阻式开关存储器单元。 双态电阻器可以在正极和负极极性下提供相对较大的电流。 结果，可以减少存储单元的交叉开关阵列中的泄漏路径，从而抑制读取串扰。

    Resistive random access memory cell and memory
    3.
    发明授权
    Resistive random access memory cell and memory 有权
    电阻随机存取存储单元和存储器

    公开(公告)号：US08642989B2

    公开(公告)日：2014-02-04

    申请号：US13512797

    申请日：2011-10-13

    申请人： Qi Liu ,  Ming Liu ,  Shibing Long ,  Hangbing Lv

    发明人： Qi Liu ,  Ming Liu ,  Shibing Long ,  Hangbing Lv

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/14 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253

    摘要： A Resistive Random Access Memory (RRAM) cell and a memory are disclosed. In one embodiment, the RRAM cell comprises a two-state resistor and a resistive switching memory cell connected in series. The two-state resistor can supply relatively large currents under both positive and negative voltage polarities. As a result, it is possible to reduce leakage paths in a crossbar array of memory cells, and thus to suppress reading crosstalk.

    摘要翻译： 公开了电阻随机存取存储器（RRAM）单元和存储器。 在一个实施例中，RRAM单元包括串联连接的双态电阻器和电阻式开关存储器单元。 双态电阻器可以在正极和负极极性下提供相对较大的电流。 结果，可以减少存储单元的交叉开关阵列中的泄漏路径，从而抑制读取串扰。

    METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
    4.
    发明申请
    METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME 有权
    金属氧化物电阻开关存储器及其制造方法

    公开(公告)号：US20120305883A1

    公开(公告)日：2012-12-06

    申请号：US13510467

    申请日：2011-06-30

    申请人： Hangbing Lv ,  Ming Liu ,  Shibing Long ,  Qi Liu ,  Yanhua Wang ,  Jiebin Niu

    发明人： Hangbing Lv ,  Ming Liu ,  Shibing Long ,  Qi Liu ,  Yanhua Wang ,  Jiebin Niu

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16

    摘要： The present disclosure relates to the microelectronics field, and particularly, to a metal oxide resistive switching memory and a method for manufacturing the same. The method may comprise: forming a W-plug lower electrode above a MOS device; sequentially forming a cap layer, a first dielectric layer, and an etching block layer on the W-plug lower electrode; etching the etching block layer, the first dielectric layer, and the cap layer to form a groove for a first level of metal wiring; sequentially forming a metal oxide layer, an upper electrode layer, and a composite layer of a diffusion block layer/a seed copper layer/a plated copper layer in the groove for the first level of metal wiring; patterning the upper electrode layer and the composite layer by CMP, to form a memory cell and the first level of metal wiring in the groove in the first dielectric layer; and performing subsequent processes to complete the metal oxide resistive switching memory. According to the present disclosure, the manufacture process can be simplified, without incorporating additional exposure steps in the standard process, resulting in advantages such as reduced cost.

    摘要翻译： 本公开涉及微电子领域，特别涉及金属氧化物电阻式开关存储器及其制造方法。 该方法可以包括：在MOS器件之上形成W形插塞下电极; 在W型插塞下电极上依次形成覆盖层，第一电介质层和蚀刻阻挡层; 蚀刻蚀刻阻挡层，第一介电层和盖层，以形成用于第一级金属布线的凹槽; 在用于第一级金属布线的槽中依次形成金属氧化物层，上电极层和扩散阻挡层/种子铜层/镀覆铜层的复合层; 通过CMP图案化上电极层和复合层，以在第一介电层中的沟槽中形成存储单元和第一级金属布线; 以及执行后续处理以完成金属氧化物电阻式切换存储器。 根据本公开，可以简化制造过程，而不在标准方法中引入额外的暴露步骤，导致诸如降低成本的优点。

    TECHNIQUES FOR IMPROVED GRAPHICS ENCODING
    6.
    发明申请
    TECHNIQUES FOR IMPROVED GRAPHICS ENCODING 审中-公开
    改进图形编码技术

    公开(公告)号：US20140192071A1

    公开(公告)日：2014-07-10

    申请号：US13977046

    申请日：2012-06-21

    申请人： Qi Liu ,  Xianchao Xu

    发明人： Qi Liu ,  Xianchao Xu

    IPC分类号： H04N19/85

    CPC分类号： G06F3/14 ,  G06T9/00 ,  H04N19/176 ,  H04N19/51 ,  H04N19/85

    摘要： Techniques for improved graphics encoding are described. In one embodiment, for example, a device may include a processor circuit and a graphics encoding module, and the graphics encoding module may be operative to receive graphics buffer update information identifying one or more of a plurality of regions of a graphics buffer, the identified one or more regions including updated graphics information, retrieve the updated graphics information from the identified one or more regions of the graphics buffer, encode the updated graphics information, and transmit the encoded updated graphics information. Other embodiments are described and claimed.

    摘要翻译： 描述了用于改进图形编码的技术。 在一个实施例中，例如，设备可以包括处理器电路和图形编码模块，并且图形编码模块可操作以接收识别图形缓冲器的多个区域中的一个或多个的图形缓冲器更新信息，所识别的 包括更新的图形信息的一个或多个区域从所识别的图形缓冲器的一个或多个区域检索更新的图形信息，对更新的图形信息进行编码，并发送编码的更新的图形信息。 描述和要求保护其他实施例。

    ASSAY FOR A TYPE II COLLAGEN BIOMARKER
    7.
    发明申请
    ASSAY FOR A TYPE II COLLAGEN BIOMARKER 审中-公开
    一种II型胶原生物标记物的测定

    公开(公告)号：US20130260400A1

    公开(公告)日：2013-10-03

    申请号：US13825795

    申请日：2011-09-16

    申请人： Anne-Christine B. Jensen ,  Qi Liu ,  Jianxia Wang

    发明人： Anne-Christine B. Jensen ,  Qi Liu ,  Jianxia Wang

    IPC分类号： G01N33/68

    CPC分类号： G01N33/6887 ,  C07K16/18 ,  G01N33/6878 ,  G01N2333/78 ,  G01N2800/105

    摘要： An assay for Type II collagen fragments in serum, plasma, or synovial fluid obtains a quantitative measure of the concentration of all protein fragments in a serum, plasma, or synovial fluid sample that are reactive with an antibody, or immunoreactive antibody fragment, having specific reactivity with a C-terminal epitope present in the amino acid sequence GPPGRDGAAG and lacking specific reactivity with an amino acid sequence comprising the amino acid sequence GPPGRDGAAGV, which may be Mab NB44-3C1 as produced by the cell line deposited in HPA Culture Collection Logistics Office with Accession Number 10091402.

    摘要翻译： 在血清，血浆或滑液中的II型胶原片段的测定法获得与抗体或免疫反应性抗体片段反应的血清，血浆或滑液样品中所有蛋白质片段的浓度的定量测量，所述抗体或免疫反应性抗体片段具有特异性 与存在于氨基酸序列GPPGRDGAAG中的C-末端表位的反应性，并且与包含氨基酸序列GPPGRDGAAGV的氨基酸序列缺乏特异性反应性，所述氨基酸序列可以是由存储在HPA培养物理处所的细胞系产生的Mab NB44-3C1 登录号10091402。

    EXPANSION DEVICE
    8.
    发明申请
    EXPANSION DEVICE 有权
    扩展设备

    公开(公告)号：US20130058026A1

    公开(公告)日：2013-03-07

    申请号：US13602317

    申请日：2012-09-03

    申请人： Ching-Sung Chang ,  Ju-Nan Chang ,  Shih-Chin Tseng ,  Chen-Chen Liu ,  Qi Liu

    发明人： Ching-Sung Chang ,  Ju-Nan Chang ,  Shih-Chin Tseng ,  Chen-Chen Liu ,  Qi Liu

    IPC分类号： G06F1/16

    CPC分类号： G06F1/1632

    摘要： An expansion device is disclosed which includes an input/output body, a connection part, a turning structure, and at least one slot. The input/output body at least includes a first and a second input/output module, where the first and the second input/output modules are respectively disposed on two opposite surfaces of the input/output body. The connection part is disposed on one side of the input/output body. The turning structure is disposed to connect the input/output body and the connection part, wherein the connection part and the input/output body are turnable on the turning structure. The at least one slot is disposed on the connection part and configured to hold at least one mobile device.

    摘要翻译： 公开了一种包括输入/​​输出主体，连接部分，转动结构以及至少一个狭槽的扩展装置。 输入/输出主体至少包括第一和第二输入/输出模块，其中第一和第二输入/输出模块分别设置在输入/输出主体的两个相对的表面上。 连接部分设置在输入/输出主体的一侧。 转动结构设置成连接输入/输出主体和连接部分，其中连接部分和输入/输出主体可在转动结构上转动。 所述至少一个狭槽设置在所述连接部分上并被构造成保持至少一个移动装置。

    Holding Device for Holding Mobile Products
    9.
    发明申请
    Holding Device for Holding Mobile Products 有权
    持有移动产品的控股装置

    公开(公告)号：US20120300376A1

    公开(公告)日：2012-11-29

    申请号：US13480859

    申请日：2012-05-25

    申请人： Ching-Sung Chang ,  Shih-Chin Tseng ,  Ju-Nan Chang ,  Chen-Chen Liu ,  Qi Liu

    发明人： Ching-Sung Chang ,  Shih-Chin Tseng ,  Ju-Nan Chang ,  Chen-Chen Liu ,  Qi Liu

    IPC分类号： H05K7/00

    CPC分类号： G06F1/1626 ,  G06F1/1632

    摘要： A holding device for mobile products includes a first holding frame and a second holding frame, and the first holding frame is provided for holding a first mobile product and the second holding frame is provided for holding a second mobile product. The first holding frame and the second holding frame are configured to be electrically connected by a wire connection or a wireless connection. When the first holding frame and the second holding frame are holding the first and second mobile products respectively, the mobile products can be electrically connected through the first holding frame and the second holding frame to add functionality to each of the mobile products.

    摘要翻译： 用于移动产品的保持装置包括第一保持框架和第二保持框架，并且第一保持框架被设置用于保持第一移动产品，并且第二保持框架被设置用于保持第二移动产品。 第一保持框架和第二保持框架被配置为通过有线连接或无线连接电连接。 当第一保持框架和第二保持框架分别保持第一和第二移动产品时，移动产品可以通过第一保持框架和第二保持框架电连接以向每个移动产品添加功能。