公开(公告)号：US08587093B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US11855425

申请日：2007-09-14

申请人： Peter Mardilovich ,  Randy Hoffman ,  Gregory Herman

发明人： Peter Mardilovich ,  Randy Hoffman ,  Gregory Herman

IPC分类号： H01L29/51

CPC分类号： H01L21/022 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/4757 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0537

摘要： Embodiments of methods, apparatuses, devices, and/or systems for forming a solution processed device are described.

摘要翻译： 描述了用于形成解决方案处理设备的方法，设备，设备和/或系统的实施例。

公开(公告)号：US20080108177A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11936721

申请日：2007-11-07

申请人： Randy Hoffman ,  Peter Mardilovich ,  Gregory Herman

发明人： Randy Hoffman ,  Peter Mardilovich ,  Gregory Herman

IPC分类号： H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： An exemplary embodiment includes a semiconductor device. The semiconductor device can include a channel including one or more compounds of the formula AxBxOx, wherein each A is selected from the group of Cu, Ag, Sb, each B is selected from the group of Cu, Ag, Sb, Zn, Cd, Ga, In, Ge, Sn, and Pb, each O is atomic oxygen, each x is independently a non-zero integer, and each of A and B are different.

摘要翻译： 示例性实施例包括半导体器件。 半导体器件可以包括通道，其包括一种或多种下式的化合物：其中每个A选自 每个B选自Cu，Ag，Sb，Zn，Cd，Ga，In，Ge，Sn和Pb中的每一个，每个O是原子氧，每个x独立地是非 - 零整数，A和B各自不同。

公开(公告)号：US07772049B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US11936721

申请日：2007-11-07

申请人： Randy Hoffman ,  Peter Mardilovich ,  Gregory Herman

发明人： Randy Hoffman ,  Peter Mardilovich ,  Gregory Herman

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L35/24 ,  H01L51/00 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： An exemplary embodiment includes a semiconductor device. The semiconductor device can include a channel including one or more compounds of the formula AxBxOx, wherein each A is selected from the group of Cu, Ag, Sb, each B is selected from the group of Cu, Ag, Sb, Zn, Cd, Ga, In, Ge, Sn, and Pb, each O is atomic oxygen, each x is independently a non-zero integer, and each of A and B are different.

摘要翻译： 示例性实施例包括半导体器件。 半导体器件可以包括一种包含一种或多种式AxBxOx的化合物的通道，其中每个A选自Cu，Ag，Sb，每个B选自Cu，Ag，Sb，Zn，Cd， Ga，In，Ge，Sn和Pb，每个O都是原子氧，每个x独立地是非零整数，并且A和B各自不同。

公开(公告)号：US20050199961A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US10799961

申请日：2004-03-12

申请人： Randy Hoffman ,  Gregory Herman ,  Peter Mardilovich

发明人： Randy Hoffman ,  Gregory Herman ,  Peter Mardilovich

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L31/0328

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78648

摘要： One exemplary embodiment includes a semiconductor device. The semiconductor device can include a channel including one or more compounds of the formula AxBxOx wherein each A is selected from the group of Ga, In, each B is selected from the group of Ge, Sn, Pb, each O is atomic oxygen, each x is independently a non-zero integer, and each of A and B are different.

摘要翻译： 一个示例性实施例包括半导体器件。 半导体器件可以包括通道，其包括一种或多种下式的化合物：其中每个A选自下组： 的Ga，In，每个B选自Ge，Sn，Pb组，每个O是原子氧，每个x独立地是非零整数，并且A和B各自不同。

公开(公告)号：US20050199879A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US10799318

申请日：2004-03-12

申请人： Randy Hoffman ,  Peter Mardilovich ,  Gregory Herman

发明人： Randy Hoffman ,  Peter Mardilovich ,  Gregory Herman

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78648

摘要： A semiconductor device can include a channel including a first binary oxide and a second binary oxide.

摘要翻译： 半导体器件可以包括包括第一二元氧化物和第二二元氧化物的沟道。

公开(公告)号：US20080006877A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11855425

申请日：2007-09-14

申请人： Peter Mardilovich ,  Randy Hoffman ,  Gregory Herman

发明人： Peter Mardilovich ,  Randy Hoffman ,  Gregory Herman

IPC分类号： H01L29/78 ,  B05C1/00 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L21/022 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/4757 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0537

摘要： Embodiments of methods, apparatuses, devices, and/or systems for forming a solution processed device are described.

摘要翻译： 描述了用于形成解决方案处理设备的方法，设备，设备和/或系统的实施例。

公开(公告)号：US07309895B2

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：US11043647

申请日：2005-01-25

申请人： Randy Hoffman ,  Peter Mardilovich ,  Gregory Herman

发明人： Randy Hoffman ,  Peter Mardilovich ,  Gregory Herman

IPC分类号： H01L31/0392

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： An exemplary embodiment includes a semiconductor device. The semiconductor device can include a channel including one or more compounds of the formula AxBxOx, wherein each A is selected from the group of Cu, Ag, Sb, each B is selected from the group of Cu, Ag, Sb, Zn, Cd, Ga, In, Ge, Sn, and Pb, each O is atomic oxygen, each x is independently a non-zero integer, and each of A and B are different.

摘要翻译： 示例性实施例包括半导体器件。 半导体器件可以包括通道，其包括一种或多种下式的化合物：其中每个A选自 每个B选自Cu，Ag，Sb，Zn，Cd，Ga，In，Ge，Sn和Pb中的每一个，每个O是原子氧，每个x独立地为非 - 零整数，A和B各自不同。

公开(公告)号：US07291522B2

公开(公告)日：2007-11-06

申请号：US10975873

申请日：2004-10-28

申请人： Gregory Herman ,  Peter Mardilovich ,  Randy Hoffman

发明人： Gregory Herman ,  Peter Mardilovich ,  Randy Hoffman

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7391

摘要： In one method of forming a semiconductor device, a first electrode is formed electrically coupled with a semiconductor material. After the first electrode is formed, an insulator is formed over the semiconductor material adjoining the first electrode and extending a selected distance from the first electrode. After the insulator is formed, a second electrode is formed electrically coupled with the semiconductor material adjoining the insulator.

摘要翻译： 在形成半导体器件的一种方法中，第一电极形成为与半导体材料电耦合。 在形成第一电极之后，在与第一电极相邻并且从第一电极延伸选定距离的半导体材料上形成绝缘体。 在形成绝缘体之后，第二电极与邻接绝缘体的半导体材料电耦合。

公开(公告)号：US20060163655A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11043647

申请日：2005-01-25

申请人： Randy Hoffman ,  Peter Mardilovich ,  Gregory Herman

发明人： Randy Hoffman ,  Peter Mardilovich ,  Gregory Herman

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： An exemplary embodiment includes a semiconductor device. The semiconductor device can include a channel including one or more compounds of the formula AxBxOx, wherein each A is selected from the group of Cu, Ag, Sb, each B is selected from the group of Cu, Ag, Sb, Zn, Cd, Ga, In, Ge, Sn, and Pb, each O is atomic oxygen, each x is independently a non-zero integer, and each of A and B are different.

摘要翻译： 示例性实施例包括半导体器件。 半导体器件可以包括通道，其包括一种或多种下式的化合物：其中每个A选自 每个B选自Cu，Ag，Sb，Zn，Cd，Ga，In，Ge，Sn和Pb中的每一个，每个O是原子氧，每个x独立地是非 - 零整数，A和B各自不同。

公开(公告)号：US20060086976A1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：US10971337

申请日：2004-10-22

申请人： Peter Mardilovich ,  Laura Kramer ,  Gregory Herman ,  Randy Hoffman ,  David Punsalan

发明人： Peter Mardilovich ,  Laura Kramer ,  Gregory Herman ,  Randy Hoffman ,  David Punsalan

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/312 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7869

摘要： Embodiments of methods, apparatuses, devices, and/or systems for forming a component having dielectric sub-layers are described.

摘要翻译： 描述了用于形成具有电介质子层的部件的方法，装置，装置和/或系统的实施例。