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    WRAP-AROUND CONTACTS FOR FINFET AND TRI-GATE DEVICES
    3.
    发明申请
    WRAP-AROUND CONTACTS FOR FINFET AND TRI-GATE DEVICES 审中-公开
    FINFET和三门设备的缠绕接头

    公开(公告)号：US20110147840A1

    公开(公告)日：2011-06-23

    申请号：US12646651

    申请日：2009-12-23

    申请人： Stephen M. Cea ,  Rishabh Mehandru ,  Lucian Shifren ,  Kelin Kuhn

    发明人： Stephen M. Cea ,  Rishabh Mehandru ,  Lucian Shifren ,  Kelin Kuhn

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/86

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L2029/7858

    摘要： A semiconductor device comprises a substrate and a semiconductor body formed on the substrate. The semiconductor body comprises a source region; and a drain region. The source region or the drain region, or combinations thereof, comprises a first side surface, a second side surface, and a top surface. The first side surface is opposite the second side surface, the top surface is opposite the bottom surface. The source region or the drain region, or combinations thereof, comprise a metal layer formed on the substantially all of the first side surface, substantially all of the second side surface, and the top surface.

    摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上的衬底和半导体本体。 半导体主体包括源极区域; 和漏区。 源区或漏区，或其组合包括第一侧表面，第二侧表面和顶表面。 第一侧表面与第二侧表面相对，顶表面与底表面相对。 源极区域或漏极区域或其组合包括形成在基本上所有第一侧表面上的基本上所有的第二侧表面和顶表面上的金属层。

    Methods of forming replacement metal gate structures with recessed channel
    4.
    发明申请
    Methods of forming replacement metal gate structures with recessed channel 有权
    用凹槽形成更换金属栅极结构的方法

    公开(公告)号：US20090302398A1

    公开(公告)日：2009-12-10

    申请号：US12157556

    申请日：2008-06-10

    申请人： Bernhard Sell ,  Rishabh Mehandru

    发明人： Bernhard Sell ,  Rishabh Mehandru

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/66621

    摘要： Methods and associated structures of forming a microelectronic device are described. Those methods may comprise forming a transistor comprising a metal gate disposed on a gate dielectric that is disposed on a substrate, and a source/drain region disposed adjacent a channel region of the transistor. The source/drain region comprises a source/drain extension comprising a vertex point, wherein a top surface of the channel region is substantially planar with the vertex point.

    摘要翻译： 描述形成微电子器件的方法和相关结构。 这些方法可以包括形成包括设置在设置在衬底上的栅极电介质上的金属栅极的晶体管，以及邻近晶体管的沟道区域设置的源极/漏极区域。 源极/漏极区域包括源极/漏极延伸部分，其包括顶点，其中沟道区域的顶表面与顶点基本上是平面的。

    Metal gate structures with recessed channel
    5.
    发明授权
    Metal gate structures with recessed channel 有权
    带凹槽的金属门结构

    公开(公告)号：US07943992B2

    公开(公告)日：2011-05-17

    申请号：US12157556

    申请日：2008-06-10

    申请人： Bernhard Sell ,  Rishabh Mehandru

    发明人： Bernhard Sell ,  Rishabh Mehandru

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/66621

    摘要： Methods and associated structures of forming a microelectronic device are described. Those structures may comprise a transistor comprising a metal gate disposed on a gate dielectric that is disposed on a substrate, and a source/drain region disposed adjacent a channel region of the transistor. The source/drain region comprises a source/drain extension comprising a vertex point, wherein a top surface of the channel region is substantially planar with the vertex point.

    摘要翻译： 描述形成微电子器件的方法和相关结构。 这些结构可以包括晶体管，其包括设置在基板上的栅极电介质上的金属栅极和与晶体管的沟道区域相邻设置的源极/漏极区域。 源极/漏极区域包括源极/漏极延伸部分，其包括顶点，其中沟道区域的顶表面与顶点基本上是平面的。

    Drive current enhancement in tri-gate MOSFETS by introduction of compressive metal gate stress using ion implantation
    7.
    发明申请
    Drive current enhancement in tri-gate MOSFETS by introduction of compressive metal gate stress using ion implantation 审中-公开
    通过使用离子注入引入压缩金属栅极应力来驱动三栅极MOSFET的电流增强

    公开(公告)号：US20110147804A1

    公开(公告)日：2011-06-23

    申请号：US12646673

    申请日：2009-12-23

    申请人： Rishabh Mehandru ,  Cory E. Weber ,  Ashutosh Ashutosh ,  Jack Hwang

    发明人： Rishabh Mehandru ,  Cory E. Weber ,  Ashutosh Ashutosh ,  Jack Hwang

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L29/7845 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

    摘要： A semiconductor device comprises a fin and a metal gate film. The fin is formed on a surface of a semiconductor material. The metal gate film formed on the fin and comprises ions implanted in the metal gate film to form a compressive stress within the metal gate. In one exemplary embodiment, the surface of the semiconductor material comprises a (100) crystalline lattice orientation, and an orientation of the fin is along a direction with respect to the crystalline lattice of the semiconductor. In another exemplary embodiment, the surface of the semiconductor material comprises a (100) crystalline lattice orientation, and the orientation of the fin is along a direction with respect to the crystalline lattice of the semiconductor. The fin comprises an out-of-plane compression that is generated by the compressive stress within the metal gate film.

    摘要翻译： 半导体器件包括翅片和金属栅极膜。 翅片形成在半导体材料的表面上。 金属栅极膜形成在翅片上并且包括注入金属栅极膜中的离子，以在金属栅极内形成压应力。 在一个示例性实施例中，半导体材料的表面包括（100）晶格取向，并且鳍的取向相对于半导体的晶格沿着<100>方向。 在另一个示例性实施例中，半导体材料的表面包括（100）晶格取向，鳍的取向相对于半导体的晶格沿着<110>方向。 翅片包括由金属栅膜内的压应力产生的平面外压缩。