公开(公告)号：US20100092895A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12449735

申请日：2008-02-25

申请人： Ruzhi Zhang ,  Wookyu Kim ,  David J. Abdallah ,  PingHung Lu ,  Mark O. Neissor ,  Ralph R. Dammel ,  Ari Karkkainen

发明人： Ruzhi Zhang ,  Wookyu Kim ,  David J. Abdallah ,  PingHung Lu ,  Mark O. Neissor ,  Ralph R. Dammel ,  Ari Karkkainen

IPC分类号： G03F7/20 ,  C08G77/04 ,  C08G77/38

CPC分类号： C08G77/045 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3124

摘要： A polymer comprising a siloxane polymer having at least one Si—OH group and at least one Si—OR group, where R is condensation stabilizing group optionally having a reactive functional group, wherein the siloxane polymer, when placed into a solvent, has a weight average molecular weight increase of less than or equal to 50% after aging for one week at 40° C. as measured by GPC is provided.

摘要翻译： 包含具有至少一个Si-OH基团和至少一个Si-OR基团的硅氧烷聚合物的聚合物，其中R是任选具有反应性官能团的缩合稳定基团，其中所述硅氧烷聚合物在置于溶剂中时具有重量 提供了通过GPC测量的在40℃下老化1周后的平均分子量增加小于或等于50％。

公开(公告)号：US08524441B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12449735

申请日：2008-02-25

申请人： Ruzhi Zhang ,  WooKyu Kim ,  David J. Abdallah ,  PingHung Lu ,  Mark O. Neisser ,  Ralph R. Dammel ,  Ari Karkkainen

发明人： Ruzhi Zhang ,  WooKyu Kim ,  David J. Abdallah ,  PingHung Lu ,  Mark O. Neisser ,  Ralph R. Dammel ,  Ari Karkkainen

IPC分类号： C09D183/04

CPC分类号： C08G77/045 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3124

摘要： A polymer comprising a siloxane polymer having at least one Si—OH group and at least one Si—OR group, where R is condensation stabilizing group optionally having a reactive functional group, wherein the siloxane polymer, when placed into a solvent, has a weight average molecular weight increase of less than or equal to 50% after aging for one week at 40° C. as measured by GPC is provided.

摘要翻译： 包含具有至少一个Si-OH基团和至少一个Si-OR基团的硅氧烷聚合物的聚合物，其中R是任选具有反应性官能团的缩合稳定基团，其中所述硅氧烷聚合物在置于溶剂中时具有重量 提供了通过GPC测量的在40℃下老化1周后的平均分子量增加小于或等于50％。

公开(公告)号：US07416834B2

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：US11527862

申请日：2006-09-27

申请人： David J. Abdallah ,  Ralph R. Dammel

发明人： David J. Abdallah ,  Ralph R. Dammel

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/2041

摘要： The present invention relates to a spin-on antireflective coating composition for a photoresist comprising a polymer, a crosslinking compound and a thermal acid generator, where the polymer comprises at least one functional moiety capable of increasing the refractive index of the antireflective coating composition to a value equal or greater than 1.8 at exposure radiation used for imaging the photoresist and a functional moiety capable of absorbing exposure radiation used for imaging the photoresist. The invention further relates to a process for imaging the antireflective coating of the present invention.

公开(公告)号：US07816071B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US11338462

申请日：2006-01-24

申请人： David J. Abdallah ,  Mark O. Neisser ,  Ralph R. Dammel ,  Georg Pawlowski ,  John Biafore ,  Andrew R. Romano

发明人： David J. Abdallah ,  Mark O. Neisser ,  Ralph R. Dammel ,  Georg Pawlowski ,  John Biafore ,  Andrew R. Romano

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  Y10S430/151

摘要： A process for imaging a photoresist comprising the steps of, a) forming a stack of multiple layers of organic antireflective coatings on a substrate; b) forming a coating of a photoresist over the upper layer of the stack of multiple layers of organic antireflective coatings; c) imagewise exposing the photoresist with an exposure equipment; and, d) developing the coating with a developer.

摘要翻译： 一种用于对光致抗蚀剂进行成像的方法，包括以下步骤：a）在衬底上形成多层有机抗反射涂层的叠层; b）在多层有机抗反射涂层的堆叠的上层上形成光致抗蚀剂的涂层; c）用曝光设备成像曝光光致抗蚀剂; 和d）用显影剂显影涂层。

公开(公告)号：US20100040838A1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：US12192621

申请日：2008-08-15

申请人： David J. Abdallah ,  Ralph R. Dammel ,  Mark Neisser

发明人： David J. Abdallah ,  Ralph R. Dammel ,  Mark Neisser

IPC分类号： B44C1/22 ,  B32B5/00

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0752 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  Y10T428/24802

摘要： The present invention relates to a process for forming an reverse tone image on a device comprising; a) forming an absorbing underlayer on a substrate; b) forming a coating of a positive photoresist over the underlayer; c) forming a photoresist pattern; d) treating the first photoresist pattern with a hardening compound, thereby forming a hardened photoresist pattern; e) forming a silicon coating over the hardened photoresist pattern from a silicon coating composition; f) dry etching the silicon coating to remove the silicon coating till the silicon coating has about the same thickness as the photoresist pattern; and, g) dry etching to remove the photoresist and the underlayer, thereby forming a trench beneath the original position of the photoresist pattern. The invention further relates to a product of the above process and to a microelectronic device made from using the above process.

摘要翻译： 本发明涉及一种在装置上形成反向色调图像的方法，包括： a）在基底上形成吸收性底层; b）在底层上形成正性光致抗蚀剂的涂层; c）形成光致抗蚀剂图案; d）用硬化化合物处理第一光致抗蚀剂图案，从而形成硬化的光致抗蚀剂图案; e）从硅涂层组合物在硬化的光致抗蚀剂图案上形成硅涂层; f）干蚀刻硅涂层以去除硅涂层，直到硅涂层具有与光致抗蚀剂图案大致相同的厚度; 并且g）干蚀刻以除去光致抗蚀剂和底层，从而在光致抗蚀剂图案的原始位置下形成沟槽。 本发明还涉及上述方法的产品和使用上述方法制造的微电子器件。

公开(公告)号：US20080076059A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11527862

申请日：2006-09-27

申请人： David J. Abdallah ,  Ralph R. Dammel

发明人： David J. Abdallah ,  Ralph R. Dammel

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/2041

摘要： The present invention relates to a spin-on antireflective coating composition for a photoresist comprising a polymer, a crosslinking compound and a thermal acid generator, where the polymer comprises at least one functional moiety capable of increasing the refractive index of the antireflective coating composition to a value equal or greater than 1.8 at exposure radiation used for imaging the photoresist and a functional moiety capable of absorbing exposure radiation used for imaging the photoresist. The invention further relates to a process for imaging the antireflective coating of the present invention.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于光致抗蚀剂的旋涂防反射涂料组合物，其包含聚合物，交联化合物和热酸产生剂，其中聚合物包含至少一个能够将抗反射涂料组合物的折射率增加至 在用于成像光致抗蚀剂的曝光辐射下的值等于或大于1.8，以及能够吸收用于成像光致抗蚀剂的曝光辐射的功能部件。 本发明还涉及本发明的抗反射涂层成像方法。

公开(公告)号：US20080008954A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11425817

申请日：2006-06-22

申请人： David J. Abdallah ,  Ruzhi Zhang

发明人： David J. Abdallah ,  Ruzhi Zhang

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  C09D183/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/114

摘要： High silicon-content resin composition that can be used to form thin film thermosets, useful in forming low k dielectric constant materials and as well as hard mask materials with anti-reflective properties for the photolithography industry are disclosed.

摘要翻译： 公开了可用于形成薄膜热固性材料的高含硅树脂组合物，其可用于形成低k介电常数材料以及具有用于光刻工业的抗反射性能的硬掩模材料。

公开(公告)号：US20070298349A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11425813

申请日：2006-06-22

申请人： Ruzhi Zhang ,  Mark O. Neisser ,  Woo-Kyu Kim ,  David J. Abdallah ,  Francis Houlihan ,  Ping-Hung Lu ,  Hong Zhuang

发明人： Ruzhi Zhang ,  Mark O. Neisser ,  Woo-Kyu Kim ,  David J. Abdallah ,  Francis Houlihan ,  Ping-Hung Lu ,  Hong Zhuang

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： C09D183/04 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282

摘要： The present invention relates to a novel antireflective coating composition for forming an underlayer for a photoresist comprising an acid generator and a novel siloxane polymer, where the siloxane polymer comprises at least one absorbing chromophore and at least one self-crosslinking functionality of structure (1), where m is 0 or 1, W and W′ are independently a valence bond or a connecting group linking the cyclic ether to the silicon of the polymer and L is selected from hydrogen, W′ and W, or L and W′ are combined to comprise a cycloaliphatic linking group linking the cyclic ether to the silicon of the polymer. The invention also relates to a process for imaging the photoresist coated over the novel antireflective coating composition and provides good lithographic results. The invention further relates to a novel siloxane polymer, where the siloxane polymer comprises at least one absorbing chromophore and at least one self-crosslinking functionality of structure (1).

摘要翻译： 本发明涉及一种用于形成光致抗蚀剂底层的新型抗反射涂料组合物，其包含酸产生剂和新型硅氧烷聚合物，其中硅氧烷聚合物包含至少一种吸收发色团和至少一种结构（1）的自交联官能团， 其中m为0或1，W和W'独立地为价键或连接环状醚与聚合物硅的连接基团，L选自氢，W'和W，或L和W'组合 包括将环醚与聚合物的硅连接的脂环族连接基团。 本发明还涉及一种用于对涂覆在新型抗反射涂料组合物上的光致抗蚀剂进行成像的方法，并提供良好的光刻结果。 本发明还涉及新的硅氧烷聚合物，其中硅氧烷聚合物包含至少一种吸收发色团和至少一种结构（1）的自交联官能团。

公开(公告)号：US07704670B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11425817

申请日：2006-06-22

申请人： David J. Abdallah ,  Ruzhi Zhang

发明人： David J. Abdallah ,  Ruzhi Zhang

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/091 ,  C09D183/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/114

摘要： High silicon-content resin composition that can be used to form thin film thermosets, useful in forming low k dielectric constant materials and as well as hard mask materials with anti-reflective properties for the photolithography industry are disclosed.

摘要翻译： 公开了可用于形成薄膜热固性材料的高含硅树脂组合物，其可用于形成低k介电常数材料以及具有用于光刻工业的抗反射性能的硬掩模材料。

公开(公告)号：US07553905B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US11262639

申请日：2005-10-31

申请人： David J. Abdallah ,  Jian Yin ,  Mark O. Neisser

发明人： David J. Abdallah ,  Jian Yin ,  Mark O. Neisser

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08K5/07

CPC分类号： C08F8/30 ,  C08F212/08 ,  C08F220/18 ,  C09D133/06 ,  G03F7/091 ,  Y10S438/952 ,  C08L2666/04 ,  C08F216/08 ,  C08F2220/281

摘要： Novel self-crosslinking polymers are provided and which are useful in antireflective coatings to reduce outgassing.

摘要翻译： 提供了新颖的自交联聚合物，并且其可用于减反射涂料以减少除气。