公开(公告)号：US20160035898A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：US14879423

申请日：2015-10-09

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Xianyu WENXU ,  Woo-young Yang ,  Chang-youl Moon ,  Yong-young Park ,  Jeong-yub Lee

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/161 ,  H01L29/45 ,  H01L29/16 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/868

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device using a metal oxide includes forming a metal oxide layer on a substrate, forming an amorphous semiconductor layer on the metal oxide layer, and forming a polycrystalline semiconductor layer by crystallizing the amorphous semiconductor layer using the metal oxide layer.

摘要翻译： 使用金属氧化物的半导体器件的制造方法包括在基板上形成金属氧化物层，在金属氧化物层上形成非晶质半导体层，通过使用金属氧化物层使非晶半导体层结晶而形成多晶半导体层。

公开(公告)号：US09515189B2

公开(公告)日：2016-12-06

申请号：US14879423

申请日：2015-10-09

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Xianyu Wenxu ,  Woo-young Yang ,  Chang-youl Moon ,  Yong-young Park ,  Jeong-yub Lee

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/45 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/868

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device using a metal oxide includes forming a metal oxide layer on a substrate, forming an amorphous semiconductor layer on the metal oxide layer, and forming a polycrystalline semiconductor layer by crystallizing the amorphous semiconductor layer using the metal oxide layer.

公开(公告)号：US09293596B2

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：US14642326

申请日：2015-03-09

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Wenxu Xianyu ,  Chang-youl Moon ,  Jeong-yub Lee ,  Chang-seung Lee

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L27/12 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/78684 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603

摘要： A graphene device may include a channel layer including graphene, a first electrode and second electrode on a first region and second region of the channel layer, respectively, and a capping layer covering the channel layer and the first and second electrodes. A region of the channel layer between the first and second electrodes is exposed by an opening in the capping layer. A gate insulating layer may be on the capping layer to cover the region of the channel layer, and a gate may be on the gate insulating layer.

公开(公告)号：US09184052B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US13949588

申请日：2013-07-24

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Xianyu Wenxu ,  Woo-young Yang ,  Chang-youl Moon ,  Yong-young Park ,  Jeong-yub Lee

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/868

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device using a metal oxide includes forming a metal oxide layer on a substrate, forming an amorphous semiconductor layer on the metal oxide layer, and forming a polycrystalline semiconductor layer by crystallizing the amorphous semiconductor layer using the metal oxide layer.

摘要翻译： 使用金属氧化物的半导体器件的制造方法包括在基板上形成金属氧化物层，在金属氧化物层上形成非晶质半导体层，通过使用金属氧化物层使非晶半导体层结晶而形成多晶半导体层。

公开(公告)号：US09056424B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US13918066

申请日：2013-06-14

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Xianyu Wenxu ,  Jeong-yub Lee ,  Chang-youl Moon ,  Yong-young Park ,  Woo-young Yang ,  Yong-sung Kim ,  Joo-ho Lee

IPC分类号： B44C1/17 ,  B29C65/16 ,  B32B37/26 ,  B32B38/10 ,  B32B43/00 ,  B29C67/24 ,  H01L51/00 ,  H01L51/10 ,  H01L51/44

CPC分类号： B29C67/24 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/102 ,  H01L51/442 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： A method of transferring graphene includes forming a sacrificial layer and a graphene layer sequentially on a first substrate, bonding the graphene layer to a target layer, and removing the sacrificial layer using a laser and separating the first substrate from the graphene layer.

摘要翻译： 转移石墨烯的方法包括在第一基板上顺序地形成牺牲层和石墨烯层，将石墨烯层粘合到目标层，以及使用激光去除牺牲层并将第一基板与石墨烯层分离。