利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

12 条记录 (耗时 0.045 秒)

    Power amplifier having depletion mode high electron mobility transistor
    3.
    发明授权
    Power amplifier having depletion mode high electron mobility transistor 有权
    具有耗尽型高电子迁移率晶体管的功率放大器

    公开(公告)号：US08294521B2

    公开(公告)日：2012-10-23

    申请号：US12855055

    申请日：2010-08-12

    申请人： Dong Min Kang ,  Hong Gu Ji ,  Hokyun Ahn ,  Jong-Won Lim ,  Woojin Chang ,  Sang-Heung Lee ,  Dong-Young Kim ,  Hae Cheon Kim

    发明人： Dong Min Kang ,  Hong Gu Ji ,  Hokyun Ahn ,  Jong-Won Lim ,  Woojin Chang ,  Sang-Heung Lee ,  Dong-Young Kim ,  Hae Cheon Kim

    IPC分类号： H03F3/04

    CPC分类号： H03F3/24 ,  H03F1/565 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/222

    摘要： Provided is a power amplifier including: a depletion mode high electron mobility transistor (D-mode HEMT) configured to amplify a signal inputted to a gate terminal and output the amplified signal through a drain terminal; an input matching circuit configured to serially ground the gate terminal; and a DC bias circuit connected between the drain terminal and a ground. Through the foregoing configuration, the HEMT may be biased only by a single DC bias circuit without any biasing means to provide a negative voltage. Also, superior matching characteristic may be provided in various operation frequency bands through a shunt inductor and a choke inductor.

    摘要翻译： 提供了一种功率放大器，包括：耗尽型高电子迁移率晶体管（D模式HEMT），被配置为放大输入到栅极端子的信号，并通过漏极端子输出放大的信号; 输入匹配电路，被配置为使所述栅极端子串联接地; 以及连接在漏极端子和地之间的DC偏置电路。 通过上述配置，HEMT可以仅由单个DC偏置电路偏压而没有任何偏置装置来提供负电压。 此外，可以通过并联电感器和扼流电感器在各种工作频带中提供优异的匹配特性。

    Method of manufacturing a field-effect transistor
    4.
    发明授权
    Method of manufacturing a field-effect transistor 有权
    制造场效应晶体管的方法

    公开(公告)号：US08586462B2

    公开(公告)日：2013-11-19

    申请号：US13307069

    申请日：2011-11-30

    申请人： Hokyun Ahn ,  Jong-Won Lim ,  Hyung Sup Yoon ,  Byoung-Gue Min ,  Sang-Heung Lee ,  Hae Cheon Kim ,  Eun Soo Nam

    发明人： Hokyun Ahn ,  Jong-Won Lim ,  Hyung Sup Yoon ,  Byoung-Gue Min ,  Sang-Heung Lee ,  Hae Cheon Kim ,  Eun Soo Nam

    IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L21/283

    CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

    摘要： Disclosed are a method of manufacturing a field-effect transistor. The disclosed method includes: providing a semiconductor substrate; forming a source ohmic metal layer on one side of the semiconductor substrate; forming a drain ohmic metal layer on another side of the semiconductor substrate; forming a gate electrode between the source ohmic metal layer and the drain ohmic metal layer, on an upper portion of the semiconductor substrate; forming an insulating film on the semiconductor substrate's upper portion including the source ohmic metal layer, the drain ohmic metal layer and the gate electrode; and forming a plurality of field electrodes on an upper portion of the insulating film, wherein the insulating film below the respective field electrodes has different thicknesses.

    摘要翻译： 公开了一种制造场效晶体管的方法。 所公开的方法包括：提供半导体衬底; 在半导体衬底的一侧上形成源极欧姆金属层; 在所述半导体衬底的另一侧上形成漏极欧姆金属层; 在所述源欧姆金属层和所述漏极欧姆金属层之间形成栅电极，在所述半导体衬底的上部; 在包括源欧姆金属层，漏极欧姆金属层和栅电极的半导体衬底的上部上形成绝缘膜; 以及在绝缘膜的上部形成多个场电极，其中各个场电极下方的绝缘膜具有不同的厚度。

    FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    5.
    发明申请
    FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
    场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：US20120153361A1

    公开(公告)日：2012-06-21

    申请号：US13307069

    申请日：2011-11-30

    申请人： Hokyun Ahn ,  Jong-Won Lim ,  Hyung Sup Yoon ,  Byoung-Gue Min ,  Sang-Heung Lee ,  Hae Cheon Kim ,  Eun Soo Nam

    发明人： Hokyun Ahn ,  Jong-Won Lim ,  Hyung Sup Yoon ,  Byoung-Gue Min ,  Sang-Heung Lee ,  Hae Cheon Kim ,  Eun Soo Nam

    IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L29/808

    CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

    摘要： Disclosed are a field-effect transistor and a manufacturing method thereof. The disclosed field-effect transistor includes: a semiconductor substrate; a source ohmic metal layer formed on one side of the semiconductor substrate; a drain ohmic metal layer formed on another side of the semiconductor substrate; a gate electrode formed between the source ohmic metal layer and the drain ohmic metal layer, on an upper portion of the semiconductor substrate; an insulating film formed on the semiconductor substrate's upper portion including the source ohmic metal layer, the drain ohmic metal layer and the gate electrode; and a plurality of field electrodes formed on an upper portion of the insulating film, wherein the insulating film below the respective field electrodes has different thicknesses.

    摘要翻译： 公开了场效应晶体管及其制造方法。 所公开的场效应晶体管包括：半导体衬底; 源极欧姆金属层，形成在半导体衬底的一侧上; 形成在所述半导体衬底的另一侧上的漏极欧姆金属层; 在所述源极欧姆金属层和所述漏极欧姆金属层之间形成的栅电极，位于所述半导体衬底的上部; 形成在包括源极欧姆金属层，漏极欧姆金属层和栅电极的半导体衬底的上部上的绝缘膜; 以及形成在绝缘膜的上部的多个场电极，其中，各个场电极下方的绝缘膜具有不同的厚度。

    OPTICAL INTERCONNECTION DEVICE
    7.
    发明申请
    OPTICAL INTERCONNECTION DEVICE 有权
    光学互连器件

    公开(公告)号：US20110037078A1

    公开(公告)日：2011-02-17

    申请号：US12847174

    申请日：2010-07-30

    申请人： Sang-Heung Lee ,  Hae Cheon Kim ,  Eun Soo Nam

    发明人： Sang-Heung Lee ,  Hae Cheon Kim ,  Eun Soo Nam

    IPC分类号： H01L31/12

    CPC分类号： H01L25/167 ,  G02B6/124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    摘要： Provided is an optical interconnection device. The optical interconnection device include: a first semiconductor chip disposed on a germanium-on-insulator (GOI) substrate; a light emitter on the GOI substrate, the light emitter receiving an electrical signal from the first semiconductor chip and outputting a light signal; a light detector on the GOI substrate, the light detector sensing the light signal and converting the sensed light signal into an electrical signal; and a second semiconductor chip on the GOI substrate, the second semiconductor chip receiving the electrical signal from the light detector.

    摘要翻译： 提供了一种光互连装置。 光学互连装置包括：布置在绝缘体上（锗）绝缘体（GOI）基板上的第一半导体芯片; 在GOI基板上的光发射器，光发射器接收来自第一半导体芯片的电信号并输出​​光信号; 在GOI基板上的光检测器，光检测器感测光信号并将感测到的光信号转换成电信号; 以及在GOI基板上的第二半导体芯片，第二半导体芯片从光检测器接收电信号。

    Optical interconnection device
    8.
    发明授权
    Optical interconnection device 有权
    光互连设备

    公开(公告)号：US08304859B2

    公开(公告)日：2012-11-06

    申请号：US12847174

    申请日：2010-07-30

    申请人： Sang-Heung Lee ,  Hae Cheon Kim ,  Eun Soo Nam

    发明人： Sang-Heung Lee ,  Hae Cheon Kim ,  Eun Soo Nam

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/14

    CPC分类号： H01L25/167 ,  G02B6/124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    摘要： Provided is an optical interconnection device. The optical interconnection device include: a first semiconductor chip disposed on a germanium-on-insulator (GOI) substrate; a light emitter on the GOI substrate, the light emitter receiving an electrical signal from the first semiconductor chip and outputting a light signal; a light detector on the GOI substrate, the light detector sensing the light signal and converting the sensed light signal into an electrical signal; and a second semiconductor chip on the GOI substrate, the second semiconductor chip receiving the electrical signal from the light detector.

    摘要翻译： 提供了一种光互连装置。 光学互连装置包括：布置在绝缘体上（锗）绝缘体（GOI）基板上的第一半导体芯片; 在GOI基板上的光发射器，光发射器接收来自第一半导体芯片的电信号并输出​​光信号; 在GOI基板上的光检测器，光检测器感测光信号并将感测到的光信号转换成电信号; 以及在GOI基板上的第二半导体芯片，第二半导体芯片从光检测器接收电信号。

    Feedback amplifier
    9.
    发明授权
    Feedback amplifier 有权
    反馈放大器

    公开(公告)号：US08421538B2

    公开(公告)日：2013-04-16

    申请号：US13185913

    申请日：2011-07-19

    申请人： Sang-Heung Lee ,  Hae Cheon Kim ,  Eun Soo Nam

    发明人： Sang-Heung Lee ,  Hae Cheon Kim ,  Eun Soo Nam

    IPC分类号： H03F3/04

    CPC分类号： H03F3/08 ,  H03F1/34 ,  H03F3/3432 ,  H03F2200/121 ,  H03F2200/141 ,  H03F2200/18

    摘要： Provided is a feedback amplifier including: an amplification circuit unit to generate an output voltage by amplifying an input voltage inputted through an input terminal; an output circuit unit to output the generated output voltage through an output terminal; a feedback circuit unit to control the gain of the amplification circuit unit by determining a total feedback resistance value using an external control signal and controlling an input current while the total feedback resistance value is determined; and a bias circuit unit to apply a bias voltage to the feedback circuit unit.

    摘要翻译： 提供一种反馈放大器，包括：放大电路单元，通过放大通过输入端子输入的输入电压来产生输出电压; 输出电路单元，用于通过输出端子输出产生的输出电压; 反馈电路单元，其通过使用外部控制信号确定总反馈电阻值来控制放大电路单元的增益，并且在确定总反馈电阻值的同时控制输入电流; 以及偏置电路单元，用于向反馈电路单元施加偏置电压。