公开(公告)号：US20080230830A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US12052914

申请日：2008-03-21

申请人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

发明人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792

摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same is provided to prevent charges stored in a charge trap layer from moving to neighboring memory cells. The method of fabricating a nonvolatile memory device, includes forming a first dielectric layer on a semiconductor substrate in which active regions are defined by isolation layers, forming a charge trap layer on the first dielectric layer, removing the first dielectric layer and the charge trap layer over the isolation layers, forming a second dielectric layer on the isolation layers including the charge trap layer, and forming a conductive layer on the second dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，以防止存储在电荷陷阱层中的电荷移动到相邻存储器单元。 制造非易失性存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一电介质层，其中有源区由隔离层限定，在第一电介质层上形成电荷陷阱层，去除第一介电层和电荷陷阱层 在隔离层上，在包括电荷陷阱层的隔离层上形成第二电介质层，并在第二介电层上形成导电层。

公开(公告)号：US20110204430A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13097479

申请日：2011-04-29

申请人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

发明人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

IPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792

摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same is provided to prevent charges stored in a charge trap layer from moving to neighboring memory cells. The method of fabricating a nonvolatile memory device, includes forming a first dielectric layer on a semiconductor substrate in which active regions are defined by isolation layers, forming a charge trap layer on the first dielectric layer, removing the first dielectric layer and the charge trap layer over the isolation layers, forming a second dielectric layer on the isolation layers including the charge trap layer, and forming a conductive layer on the second dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，以防止存储在电荷陷阱层中的电荷移动到相邻存储器单元。 制造非易失性存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一电介质层，其中有源区由隔离层限定，在第一电介质层上形成电荷陷阱层，去除第一介电层和电荷陷阱层 在隔离层上，在包括电荷陷阱层的隔离层上形成第二电介质层，并在第二介电层上形成导电层。

公开(公告)号：US20120307567A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13483521

申请日：2012-05-30

申请人： Se Jun KIM ,  Hea Jong Yang

发明人： Se Jun KIM ,  Hea Jong Yang

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/16

CPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3409

摘要： A method of operating a non-volatile memory device includes erasing a memory cell block, supplying a first drain turn-on voltage higher than a target level to the drain select line of the memory cell block, and performing a soft program operation by supplying a soft program voltage to the word lines of the memory cell block.

摘要翻译： 一种操作非易失性存储器件的方法包括擦除存储器单元块，将高于目标电平的第一漏极导通电压提供给存储器单元块的漏极选择线，并且通过提供一个 软编程电压到存储单元块的字线。