公开(公告)号：US20110204430A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13097479

申请日：2011-04-29

申请人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

发明人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

IPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792

摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same is provided to prevent charges stored in a charge trap layer from moving to neighboring memory cells. The method of fabricating a nonvolatile memory device, includes forming a first dielectric layer on a semiconductor substrate in which active regions are defined by isolation layers, forming a charge trap layer on the first dielectric layer, removing the first dielectric layer and the charge trap layer over the isolation layers, forming a second dielectric layer on the isolation layers including the charge trap layer, and forming a conductive layer on the second dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，以防止存储在电荷陷阱层中的电荷移动到相邻存储器单元。 制造非易失性存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一电介质层，其中有源区由隔离层限定，在第一电介质层上形成电荷陷阱层，去除第一介电层和电荷陷阱层 在隔离层上，在包括电荷陷阱层的隔离层上形成第二电介质层，并在第二介电层上形成导电层。

公开(公告)号：US20080230830A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US12052914

申请日：2008-03-21

申请人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

发明人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792

摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same is provided to prevent charges stored in a charge trap layer from moving to neighboring memory cells. The method of fabricating a nonvolatile memory device, includes forming a first dielectric layer on a semiconductor substrate in which active regions are defined by isolation layers, forming a charge trap layer on the first dielectric layer, removing the first dielectric layer and the charge trap layer over the isolation layers, forming a second dielectric layer on the isolation layers including the charge trap layer, and forming a conductive layer on the second dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，以防止存储在电荷陷阱层中的电荷移动到相邻存储器单元。 制造非易失性存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一电介质层，其中有源区由隔离层限定，在第一电介质层上形成电荷陷阱层，去除第一介电层和电荷陷阱层 在隔离层上，在包括电荷陷阱层的隔离层上形成第二电介质层，并在第二介电层上形成导电层。

公开(公告)号：US20130032911A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：US13251522

申请日：2011-10-03

申请人： Dong Ha JUNG ,  Ki Seon PARK ,  Su Ryun MIN

发明人： Dong Ha JUNG ,  Ki Seon PARK ,  Su Ryun MIN

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC分类号： G11C11/161 ,  H01L43/08

摘要： A vertical magnetic memory device includes a pinned layer including a plurality of first ferromagnetic layers that are alternately stacked with at least one first spacer, wherein the pinned layer is configured to have a vertical magnetization, a free layer including a plurality of second ferromagnetic layers that are alternately stacked with at least one second spacer, and a tunnel barrier coupled between the pinned layer and the free layer.

摘要翻译： 垂直磁存储器件包括被钉扎层，该被钉扎层包括与至少一个第一间隔件交替堆叠的多个第一铁磁层，其中钉扎层被配置为具有垂直磁化，自由层包括多个第二铁磁层， 交替地堆叠有至少一个第二间隔物，以及耦合在钉扎层和自由层之间的隧道势垒。

公开(公告)号：US20160099288A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：US14656410

申请日：2015-03-12

申请人： Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA ,  Yang Kon KIM ,  Bo Mi LEE ,  Guk Cheon KIM ,  Won Joon CHOI ,  Ki Seon PARK

发明人： Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA ,  Yang Kon KIM ,  Bo Mi LEE ,  Guk Cheon KIM ,  Won Joon CHOI ,  Ki Seon PARK

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, a non-magnetic intermediate layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer and an underlying layer provided on an opposite side of the first magnetic layer with respect to the intermediate layer, and the underlying layer contains AlN of a hcp structure.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储器包括第一磁性层，第二磁性层，设置在第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性中间层，以及设置在第一磁性层的相对侧上的下层 相对于中间层，下层包含hcp结构的AlN。

公开(公告)号：US20130075841A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13479670

申请日：2012-05-24

申请人： Ga Young HA ,  Ki Seon PARK

发明人： Ga Young HA ,  Ki Seon PARK

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  H01F41/307 ,  H01L43/12

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device includes forming plural layers of a MTJ device, depositing a conductive layer over the plural layers, forming a hard mask pattern used for patterning the plural layers over the conductive layer, where the conductive layer is exposed through the hard mask pattern, performing hydrogen peroxide process to volatilize the exposed conductive layer and removing the volatilized conductive layer, and patterning the plural layers by using the hard mask pattern as an etch mask to form the MTJ device.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：形成多层MTJ器件，在多个层上沉积导电层，形成用于在导电层上图案化多层的硬掩模图案，其中导电层通过硬 掩模图案，进行过氧化氢处理以使暴露的导电层挥发并除去挥发的导电层，并且通过使用硬掩模图案作为蚀刻掩模来图案化多个层以形成MTJ器件。