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    Multi-layer thin film in a ballistic electron emitter
    1.
    发明申请
    Multi-layer thin film in a ballistic electron emitter 审中-公开
    弹道电子发射器中的多层薄膜

    公开(公告)号：US20060151777A1

    公开(公告)日：2006-07-13

    申请号：US11033768

    申请日：2005-01-12

    申请人： Steven Naberhuis ,  Huei-Pei Kuo ,  Si-Ty Lam ,  Henryk Birecki ,  Xia Sheng

    发明人： Steven Naberhuis ,  Huei-Pei Kuo ,  Si-Ty Lam ,  Henryk Birecki ,  Xia Sheng

    IPC分类号： H01L29/06

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022

    摘要： An electron emitter that includes a metal film having a set of layers that are selected and arranged to adhere the metal film to a remainder of a structure of the electron emitter while avoiding electron loss in the metal film. A multiple layer metal film according to the present techniques enables a balance among adhesion properties, metal diffusion, and oxide properties that might otherwise hinder the performance of an electron emitter.

    摘要翻译： 一种电子发射器，其包括具有一组层的金属膜，所述层被选择并布置成将金属膜附着到电子发射体的其余部分，同时避免金属膜中的电子损失。 根据本技术的多层金属膜能够在粘合性能，金属扩散性以及可能阻碍电子发射体性能的氧化物性质之间取得平衡。

    Anodizing process for improving electron emission in electronic devices
    2.
    发明申请
    Anodizing process for improving electron emission in electronic devices 审中-公开
    用于改善电子器件中电子发射的阳极氧化工艺

    公开(公告)号：US20050051764A1

    公开(公告)日：2005-03-10

    申请号：US10656635

    申请日：2003-09-04

    申请人： Huei-Pei Kuo ,  Xia Sheng ,  Henryk Birecki ,  Si-Ty Lam ,  Steven Naberhuis

    发明人： Huei-Pei Kuo ,  Xia Sheng ,  Henryk Birecki ,  Si-Ty Lam ,  Steven Naberhuis

    IPC分类号： H01J1/312 ,  H01J9/02 ,  H01L29/06

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/025

    摘要： A method is presented for forming pores within a central area of a semi-conductive or conductive surface. The method includes forming a semi-conductive or conductive surface on a substrate. This semi-conductive or conductive surface is formed in a manner ensuring that upon application of an electric field at the semi-conductive or conductive surface an intensity of the electric field at a central area of the surface is at least as great as an intensity of the electric field at a perimeter of the surface. Finally, the method includes anodizing the semi-conductive or conductive surface by generating the electric field at the semi-conductive or conductive surface to form a porous region within the semi-conductive or conductive surface.

    摘要翻译： 提出了一种用于在半导体或导电表面的中心区域内形成孔的方法。 该方法包括在衬底上形成半导体或导电表面。 这种半导体或导电表面以确保在半导体或导电表面上施加电场的方式形成，表面中心区域处的电场的强度至少等于 表面周边的电场。 最后，该方法包括通过在半导体或导电表面处产生电场来在半导体或导电表面内形成多孔区域来阳极氧化半导体或导电表面。

    Field-enhanced MIS/MIM electron emitters
    5.
    发明授权
    Field-enhanced MIS/MIM electron emitters 失效
    场增强MIS / MIM电子发射器

    公开(公告)号：US06822380B2

    公开(公告)日：2004-11-23

    申请号：US09975296

    申请日：2001-10-12

    申请人： Xia Sheng ,  Henryk Birecki ,  Si-Ty Lam ,  Huei-Pei Kuo ,  Steven Louis Naberhuis

    发明人： Xia Sheng ,  Henryk Birecki ,  Si-Ty Lam ,  Huei-Pei Kuo ,  Steven Louis Naberhuis

    IPC分类号： H01J1312

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312

    摘要： In an electron emitter based on Metal-Insulator-Semiconductor or Metal-Insulator-Metal emitters, field emission structures are enclosed within the emitter structure. The electron emitter may include a conductive substrate and an electron supply layer formed on the conductive substrate. The electron supply layer, for example undoped polysilicon, has protrusions formed on its surface. The sharpness and density of protrusions may be controlled. Above the electron supply layer and the protrusions, an insulator may be formed thereby enclosing the protrusions. A top conductive layer may be formed above the insulator. The enclosed protrusions are relatively insensitive to vacuum contamination. The thinness of the insulator allows high intensity electric fields at the protrusions to be generated with low applied voltage. Field-enhanced injection of electrons into the insulator and thence through the top conductive layer results. Furthermore, electron beam dispersion and divergence are minimized.

    摘要翻译： 在基于金属绝缘体半导体或金属 - 绝缘体 - 金属发射体的电子发射器中，场致发射结构被封装在发射极结构内。 电子发射器可以包括形成在导电衬底上的导电衬底和电子供给层。 电子供应层，例如未掺杂的多晶硅，在其表面上形成突起。 可以控制突起的清晰度和密度。 在电子供给层和突起之上，可以形成绝缘体，从而包围突起。 可以在绝缘体上方形成顶部导电层。 封闭的突起对真空污染相对不敏感。 绝缘体的薄度允许在低的施加电压下产生突起处的高强度电场。 电场增强注入绝缘体，从而通过顶​​层导电层注入电子。 此外，电子束分散和发散最小化。

    Class of electron beam based data storage devices and methods of use thereof
    6.
    发明授权
    Class of electron beam based data storage devices and methods of use thereof 失效
    基于电子束的数据存储装置的类别及其使用方法

    公开(公告)号：US07057997B2

    公开(公告)日：2006-06-06

    申请号：US10420746

    申请日：2003-04-23

    申请人： Henryk Birecki ,  Huei-Pei Kuo ,  Si-Ty Lam ,  Gary A. Gibson

    发明人： Henryk Birecki ,  Huei-Pei Kuo ,  Si-Ty Lam ,  Gary A. Gibson

    IPC分类号： G11B7/00

    CPC分类号： G11B7/244 ,  B82Y10/00 ,  G11B7/245 ,  G11B9/10 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/149

    摘要： An ultra-high-density data storage device that includes at least one energy beam emitter and a data storage medium that itself includes an organic material. The organic material may include one or more Langmuir-Blodgett layers and may include a conductive polymer. Localized presence or absence of localized disorder in the Langmuir-Blodgett layers may be used to detect data bits formed in the data storage medium. The presence or absence of one-dimensional conductivity in the organic material may also be used to read data bits formed in the data storage medium.

    摘要翻译： 一种超高密度数据存储设备，其包括至少一个能量束发射器和本身包括有机材料的数据存储介质。 有机材料可以包括一个或多个Langmuir-Blodgett层，并且可以包括导电聚合物。 Langmuir-Blodgett层中本地化存在或不存在局部紊乱可用于检测在数据存储介质中形成的数据位。 有机材料中存在或不存在一维电导率也可用于读取在数据存储介质中形成的数据位。

    Data storage device
    10.
    发明授权
    Data storage device 有权
    数据存储设备

    公开(公告)号：US06872964B2

    公开(公告)日：2005-03-29

    申请号：US10644503

    申请日：2003-08-20

    申请人： Steven L. Naberhuis ,  Huel-Pel Kuo ,  Si-Ty Lam ,  Henryk Birecki

    发明人： Steven L. Naberhuis ,  Huel-Pel Kuo ,  Si-Ty Lam ,  Henryk Birecki

    IPC分类号： G11B9/00 ,  G11B9/10 ,  H01J1/308 ,  H01L29/06

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B9/10 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1445 ,  H01J1/308

    摘要： The present disclosure relates to a data storage device, comprising a plurality of electron emitters adapted to emit electron beams, the electron emitters each having a planar emission surface, and a storage medium in proximity to the electron emitter, the storage medium having a plurality of storage areas that are capable of at least two distinct states that represent data, the state of the storage areas being changeable in response to bombardment by electron beams emitted by the electron emitters.

    摘要翻译： 本公开涉及一种数据存储装置，包括适于发射电子束的多个电子发射器，每个具有平面发射表面的电子发射器和靠近电子发射器的存储介质，所述存储介质具有多个 能够具有表示数据的至少两个不同状态的存储区域，存储区域的状态可响应于由电子发射器发射的电子束的轰击而变化。