公开(公告)号：US08551876B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US13212187

申请日：2011-08-18

申请人： Yu-Ren Wang ,  Te-Lin Sun ,  Szu-Hao Lai ,  Po-Chun Chen ,  Chih-Hsun Lin ,  Che-Nan Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Chiu-Hsien Yeh

发明人： Yu-Ren Wang ,  Te-Lin Sun ,  Szu-Hao Lai ,  Po-Chun Chen ,  Chih-Hsun Lin ,  Che-Nan Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Chiu-Hsien Yeh

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

摘要： A manufacturing method for a semiconductor device having a metal gate includes providing a substrate having at least a first semiconductor device formed thereon, forming a first gate trench in the first semiconductor device, forming a first work function metal layer in the first gate trench, and performing a decoupled plasma oxidation to the first work function metal layer.

摘要翻译： 具有金属栅极的半导体器件的制造方法包括提供至少形成有第一半导体器件的衬底，在第一半导体器件中形成第一栅极沟槽，在第一栅极沟槽中形成第一功函数金属层，以及 对第一功函数金属层进行解耦等离子体氧化。

公开(公告)号：US20130045594A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13212187

申请日：2011-08-18

申请人： Yu-Ren Wang ,  Te-Lin Sun ,  Szu-Hao Lai ,  Po-Chun Chen ,  Chih-Hsun Lin ,  Che-Nan Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Chiu-Hsien Yeh

发明人： Yu-Ren Wang ,  Te-Lin Sun ,  Szu-Hao Lai ,  Po-Chun Chen ,  Chih-Hsun Lin ,  Che-Nan Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Chiu-Hsien Yeh

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

摘要： A manufacturing method for a semiconductor device having a metal gate includes providing a substrate having at least a first semiconductor device formed thereon, forming a first gate trench in the first semiconductor device, forming a first work function metal layer in the first gate trench, and performing a decoupled plasma oxidation to the first work function metal layer.

摘要翻译： 具有金属栅极的半导体器件的制造方法包括提供至少形成有第一半导体器件的衬底，在第一半导体器件中形成第一栅极沟槽，在第一栅极沟槽中形成第一功函数金属层，以及 对第一功函数金属层进行解耦等离子体氧化。

公开(公告)号：US20130012012A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13179558

申请日：2011-07-10

申请人： Chien-Liang Lin ,  Yu-Ren Wang ,  Ying-Wei Yen ,  Shao-Wei Wang ,  Te-Lin Sun ,  Szu-Hao Lai ,  Po-Chun Chen ,  Chih-Hsun Lin ,  Che-Nan Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Chiu-Hsien Yeh

发明人： Chien-Liang Lin ,  Yu-Ren Wang ,  Ying-Wei Yen ,  Shao-Wei Wang ,  Te-Lin Sun ,  Szu-Hao Lai ,  Po-Chun Chen ,  Chih-Hsun Lin ,  Che-Nan Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Chiu-Hsien Yeh

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/51

摘要： A semiconductor process includes the following steps. A substrate having an oxide layer thereon is provided. A high temperature process higher than 1000° C. is performed to form a melting layer between the substrate and the oxide layer. A removing process is performed to remove the oxide layer and the melting layer.

摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 提供其上具有氧化物层的衬底。 进行高于1000℃的高温处理，以在基板和氧化物层之间形成熔融层。 进行去除处理以去除氧化物层和熔化层。

公开(公告)号：US20120306028A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13118561

申请日：2011-05-30

申请人： Yu-Ren Wang ,  Te-Lin Sun ,  Szu-Hao Lai ,  Po-Chun Chen ,  Chih-Hsun Lin ,  Che-Nan Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Chiu-Hsien Yeh ,  Chien-Liang Lin ,  Shao-Wei Wang ,  Ying-Wei Yen

发明人： Yu-Ren Wang ,  Te-Lin Sun ,  Szu-Hao Lai ,  Po-Chun Chen ,  Chih-Hsun Lin ,  Che-Nan Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Chiu-Hsien Yeh ,  Chien-Liang Lin ,  Shao-Wei Wang ,  Ying-Wei Yen

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor process is provided, including: a substrate is provided, a buffer layer is formed, and a dielectric layer having a high dielectric constant is formed, wherein the methods of forming the buffer layer include: (1) an oxidation process is performed; and a baking process is performed; Alternatively, (2) an oxidation process is performed; a thermal nitridation process is performed; and a plasma nitridation process is performed; Or, (3) a decoupled plasma oxidation process is performed. Furthermore, a semiconductor structure fabricated by the last process is also provided.

摘要翻译： 提供一种半导体工艺，包括：提供衬底，形成缓冲层，形成介电常数高的介电层，其中形成缓冲层的方法包括：（1）进行氧化处理; 进行烘烤处理; 或者，（2）进行氧化处理; 进行热氮化处理; 并进行等离子体氮化处理; 或者，（3）进行去耦等离子体氧化处理。 此外，还提供了通过最后工艺制造的半导体结构。

公开(公告)号：US09000568B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US13244948

申请日：2011-09-26

申请人： Szu-Hao Lai ,  Yu-Ren Wang ,  Po-Chun Chen ,  Chih-Hsun Lin ,  Che-Nan Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Chiu-Hsien Yeh ,  Te-Lin Sun

发明人： Szu-Hao Lai ,  Yu-Ren Wang ,  Po-Chun Chen ,  Chih-Hsun Lin ,  Che-Nan Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Chiu-Hsien Yeh ,  Te-Lin Sun

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

摘要： A semiconductor structure includes a substrate, an oxide layer, a metallic oxynitride layer and a metallic oxide layer. The oxide layer is located on the substrate. The metallic oxynitride layer is located on the oxide layer. The metallic oxide layer is located on the metallic oxynitride layer. In addition, the present invention also provides a semiconductor process for forming the semiconductor structure.

摘要翻译： 半导体结构包括基板，氧化物层，金属氧氮化物层和金属氧化物层。 氧化物层位于衬底上。 金属氮氧化物层位于氧化物层上。 金属氧化物层位于金属氮氧化物层上。 此外，本发明还提供了一种用于形成半导体结构的半导体工艺。

公开(公告)号：US20130075874A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13244948

申请日：2011-09-26

申请人： Szu-Hao Lai ,  Yu-Ren Wang ,  Po-Chun Chen ,  Chih-Hsun Lin ,  Che-Nan Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Chiu-Hsien Yeh ,  Te-Lin Sun

发明人： Szu-Hao Lai ,  Yu-Ren Wang ,  Po-Chun Chen ,  Chih-Hsun Lin ,  Che-Nan Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Chiu-Hsien Yeh ,  Te-Lin Sun

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

摘要： A semiconductor structure includes a substrate, an oxide layer, a metallic oxynitride layer and a metallic oxide layer. The oxide layer is located on the substrate. The metallic oxynitride layer is located on the oxide layer. The metallic oxide layer is located on the metallic oxynitride layer. In addition, the present invention also provides a semiconductor process for forming the semiconductor structure.

摘要翻译： 半导体结构包括基板，氧化物层，金属氧氮化物层和金属氧化物层。 氧化物层位于衬底上。 金属氮氧化物层位于氧化物层上。 金属氧化物层位于金属氮氧化物层上。 此外，本发明还提供了一种用于形成半导体结构的半导体工艺。

公开(公告)号：US08940615B2

公开(公告)日：2015-01-27

申请号：US13607798

申请日：2012-09-09

申请人： Te-Lin Sun ,  Chien-Liang Lin ,  Yu-Ren Wang

发明人： Te-Lin Sun ,  Chien-Liang Lin ,  Yu-Ren Wang

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/7846

摘要： The present invention provides a method of forming an isolation structure. A substrate is provided, and a trench is formed in the substrate. Next, a semiconductor layer is formed on a surface of the trench. A nitridation is carried out to form a nitridation layer in the semiconductor layer. Lastly, an insulation layer is filled into the trench.

摘要翻译： 本发明提供一种形成隔离结构的方法。 提供衬底，并且在衬底中形成沟槽。 接下来，在沟槽的表面上形成半导体层。 进行氮化，以在半导体层中形成氮化层。 最后，将绝缘层填充到沟槽中。

公开(公告)号：US20130078818A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13241232

申请日：2011-09-23

申请人： Chien-Liang Lin ,  Shih-Hung Tsai ,  Chun-Hsien Lin ,  Te-Lin Sun ,  Shao-Wei Wang ,  Ying-Wei Yen ,  Yu-Ren Wang

发明人： Chien-Liang Lin ,  Shih-Hung Tsai ,  Chun-Hsien Lin ,  Te-Lin Sun ,  Shao-Wei Wang ,  Ying-Wei Yen ,  Yu-Ren Wang

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854

摘要： A semiconductor process includes the following steps. A substrate is provided. At least a fin-shaped structure is formed on the substrate and an oxide layer is formed on the substrate without the fin-shaped structure forming thereon. A thermal treatment process is performed to form a melting layer on at least a part of the sidewall of the fin-shaped structure.

摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 提供基板。 至少在基板上形成翅片状结构，在基板上形成氧化层，而不形成翅片状结构。 进行热处理工艺以在鳍状结构的侧壁的至少一部分上形成熔融层。

公开(公告)号：US08889523B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13342191

申请日：2012-01-02

申请人： Te-Lin Sun ,  Chien-Liang Lin ,  Yu-Ren Wang ,  Ying-Wei Yen

发明人： Te-Lin Sun ,  Chien-Liang Lin ,  Yu-Ren Wang ,  Ying-Wei Yen

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/02 ,  H01L21/318 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/02247 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76237

摘要： A semiconductor process includes the following steps. A substrate having a recess is provided. A decoupled plasma nitridation process is performed to nitride the surface of the recess for forming a nitrogen containing liner on the surface of the recess. A nitrogen containing annealing process is then performed on the nitrogen containing liner.

摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 提供具有凹部的基板。 进行解耦等离子体氮化处理以在凹部的表面上氮化用于形成含氮衬垫的凹部的表面。 然后对含氮衬垫进行含氮退火工艺。

公开(公告)号：US08741784B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13237232

申请日：2011-09-20

申请人： Chien-Liang Lin ,  Te-Lin Sun ,  Ying-Wei Yen ,  Yu-Ren Wang

发明人： Chien-Liang Lin ,  Te-Lin Sun ,  Ying-Wei Yen ,  Yu-Ren Wang

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/518

摘要： A process for fabricating a semiconductor device is described. A silicon oxide layer is formed. A nitridation process including at least two steps is performed to nitridate the silicon oxide layer into a silicon oxynitride (SiON) layer. The nitridation process comprises a first nitridation step and a second nitridation step in sequence, wherein the first nitridation step and the second nitridation step are different in the setting of at least one parameter.

摘要翻译： 对半导体装置的制造方法进行说明。 形成氧化硅层。 进行包括至少两个步骤的氮化处理以将氧化硅层氮化成氮氧化硅（SiON）层。 氮化工艺包括依次进行第一氮化步骤和第二氮化步骤，其中第一氮化步骤和第二氮化步骤在至少一个参数的设定中是不同的。