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    Wafer succeptor apparatus
    2.
    发明授权
    Wafer succeptor apparatus 失效
    晶片接收器

    公开(公告)号：US5119541A

    公开(公告)日：1992-06-09

    申请号：US391556

    申请日：1989-07-25

    申请人： Tadahiro Ohmi ,  Masaru Umeda

    发明人： Tadahiro Ohmi ,  Masaru Umeda

    IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/673 ,  H01L21/687

    CPC分类号： H01L21/68757 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68771 ,  Y10S148/006 ,  Y10T29/413

    摘要： The present invention relates to a wafer succeptor apparatus for mouting and heating a semiconductor wafer provided in a reaction chamber of a semiconductor manufacturing apparatus and the like.A wafer succeptor apparatus according to the present invention is characterized by comprising a heat release supporter for supporting and heating a wafer, a dense coating film deposited on said heat release supporter and a gas discharge part provided in said heat release supporter where said supporter is not coated with said dense coating film for removing any impurity gas involved in said heat release supporter.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP88 / 00067 Sec。 371日期：1989年7月25日 本发明涉及用于对设置在半导体制造装置等的反应室中的半导体晶片进行套管和加热的晶片接收器装置。（e）日本1987年7月25日PCT。 根据本发明的晶片接收装置的特征在于包括用于支撑和加热晶片的散热支撑件，沉积在所述放热支撑件上的致密涂膜和设置在所述支持者不在的所述放热支撑件中的气体放电部分 涂覆有所述致密涂膜以去除所述放热支持体中涉及的任何杂质气体。

    Method of forming a monocrystalline film having a closed loop step portion on the substrate
    4.
    发明授权
    Method of forming a monocrystalline film having a closed loop step portion on the substrate 失效
    在基板上形成具有闭环台阶部分的单晶膜的方法

    公开(公告)号：US5362672A

    公开(公告)日：1994-11-08

    申请号：US465175

    申请日：1990-02-01

    申请人： Tadahiro Ohmi ,  Tadashi Shibata ,  Masaru Umeda

    发明人： Tadahiro Ohmi ,  Tadashi Shibata ,  Masaru Umeda

    IPC分类号： C23C14/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/84 ,  Y10S148/158

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, and particularly a method of forming a monocrystalline film on a substrate. The method includes the step of forming a conductor layer having a step portion on the surface of a substrate. The step portion includes a lateral face which surrounds the lower surface of the step portion to form a closed loop. After the conductor layer has been formed on the surface of the substrate, a monocrystalline film is formed directly on the substrate. Specifically, the film is formed on the lower surface of the step portion, while a DC potential is applied to the conductor layer.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP89 / 00599 Sec。 371日期1990年2月1日 102（e）1990年2月1日PCT PCT。1989年6月15日PCT公布。 公开号WO89 / 12908 日期：1989年12月28日。一种制造半导体器件的方法，特别是在衬底上形成单晶膜的方法。 该方法包括在衬底的表面上形成具有台阶部分的导体层的步骤。 台阶部分包括侧面，该侧面围绕台阶部分的下表面以形成闭环。 在衬底表面上形成导体层之后，直接在衬底上形成单晶膜。 具体地，在台阶部的下表面上形成膜，同时对导体层施加DC电位。

    Apparatus for forming film with surface reaction
    5.
    发明授权
    Apparatus for forming film with surface reaction 失效
    用于形成具有表面反应的膜的装置

    公开(公告)号：US4977855A

    公开(公告)日：1990-12-18

    申请号：US261833

    申请日：1988-09-28

    申请人： Tadahiro Ohmi ,  Masaru Umeda

    发明人： Tadahiro Ohmi ,  Masaru Umeda

    IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/48 ,  H01L21/205

    CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/483

    摘要： An apparatus for forming a high quality film at high speed includes a wafer susceptor provided wiht a vacuum exhaust system, a stock gas supply system, and a heating mechanism for directly heating the susceptor. A ceramic filter means is disposed in opposite juxtaposed face to face position relative to the wafer susceptor for blowing stock gas in a uniform manner against a wafer. Means for activating the stock gas is provided to thereby increase the probability of adsorption of the stock gas on the wafer surface.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP88 / 00066 Sec。 371日期：1988年9月28日 102（e）1988年9月28日PCT PCT申请日1988年1月28日。用于高速成膜高质量薄膜的装置包括设置有真空排气系统，原料气体供给系统和加热机构的晶片基座 用于直接加热感受器。 陶瓷过滤器装置相对于晶片基座相对并置的面对面设置，用于以均匀的方式将原料气体吹向晶片。 提供了用于激活原料气体的装置，从而增加了储备气体在晶片表面上的吸附概率。

    Reduced pressure device and method of making
    6.
    发明授权
    Reduced pressure device and method of making 失效
    减压装置及制作方法

    公开(公告)号：US5989722A

    公开(公告)日：1999-11-23

    申请号：US85238

    申请日：1998-05-27

    申请人： Tadahiro Ohmi ,  Masaru Umeda

    发明人： Tadahiro Ohmi ,  Masaru Umeda

    IPC分类号： C23C8/14 ,  C23C14/35 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  H01J37/32 ,  B32B9/00

    CPC分类号： H01J37/32174 ,  C23C14/35 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4404 ,  C23C8/14 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/186 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

    摘要： A reduced pressure device the reduced pressure chamber of which is constructed of stainless steel, and includes a passivation film formed on the exposed interior surface thereof. The film has a thickness more than 50 .ANG. and is composed of two or more layers. One layer contains mainly chrome oxide formed in the vicinity of the interface of the stainless steel and the passivation film. The other layer contains mainly iron oxide formed in the vicinity of the surface of the passivation film. A passivation film may also be used with a thickness of more than 50 .ANG. and containing mainly a mixture of the chrome oxide and the iron oxide. Lastly a passivation film may also be used with thickness of more than 50 .ANG. and containing mainly chrome oxide.

    摘要翻译： 一种减压装置，其减压室由不锈钢构成，并包括在其暴露的内表面上形成的钝化膜。 该膜的厚度大于50，由两层或多层组成。 一层主要含有形成在不锈钢和钝化膜界面附近的氧化铬。 另一层主要在钝化膜的表面附近形成氧化铁。 还可以使用钝化膜，其厚度大于50埃，并且主要含有氧化铬和氧化铁的混合物。 最后，钝化膜也可以使用，其厚度大于50，主要含有氧化铬。

    Semiconductor apparatus
    7.
    发明授权
    Semiconductor apparatus 失效
    半导体装置

    公开(公告)号：US5854116A

    公开(公告)日：1998-12-29

    申请号：US422640

    申请日：1995-04-14

    申请人： Tadahiro Ohmi ,  Tadashi Shibata ,  Masaru Umeda

    发明人： Tadahiro Ohmi ,  Tadashi Shibata ,  Masaru Umeda

    IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/2855 ,  H01L21/76838

    摘要： The present invention relates to a semiconductor apparatus adapted to a ultrahigh density integration process. A semiconductor apparatus of the present invention is characterized by including a high concentration impurity layer with the same type of conductivity as that of a semiconductor wafer provided on the back of the semiconductor wafer, and at least one layer of a low resistance electrode provided on said high concentration impurity layer.

    摘要翻译： 本发明涉及适用于超高密度集成处理的半导体装置。 本发明的半导体装置的特征在于包括具有与设置在半导体晶片的背面上的半导体晶片相同类型的导电性的高浓度杂质层，以及至少一层设置在所述半导体晶片上的低电阻电极 高浓度杂质层。

    Reduced pressure surface treatment apparatus
    8.
    发明授权
    Reduced pressure surface treatment apparatus 失效
    减压表面处理设备

    公开(公告)号：US5110438A

    公开(公告)日：1992-05-05

    申请号：US536548

    申请日：1990-07-10

    申请人： Tadahiro Ohmi ,  Tadashi Shibata ,  Masaru Umeda

    发明人： Tadahiro Ohmi ,  Tadashi Shibata ,  Masaru Umeda

    IPC分类号： H01L21/28 ,  C23C14/22 ,  C23C14/34 ,  C23C14/40 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  H01L21/00 ,  H01L21/285 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

    CPC分类号： H01L21/67017 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/32 ,  H01J2237/3348

    摘要： The reduced pressure surface treatment apparatus according the present invention comprises at least one vacuum chamber and an exhaust unit and a gas supply unit connected thereto, and it is characterized in that it is provided with a holder to hold the specimen, means to bombard the specimen with ions without depositing a thin film on said specimen surface, and means to control kinetic energy of said ions to a small value. The reduced pressure surface treatment method of this invention is characterized in that substances adsorbed on the wafer surface or natural oxide film layers are removed by impinging ions on the wafer surface under a vacuum condition.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP89 / 00026 Sec。 371日期1990年7月10日 102（e）日1990年7月10日PCT 1990年1月12日提交PCT。根据本发明的减压表面处理装置包括至少一个真空室和排气单元以及与其连接的气体供应单元，其特征在于 由于设置有用于保持试样的保持器，用离子轰击试样而不在所述试样表面上沉积薄膜的装置，以及将所述离子的动能控制在较小值的装置。 本发明的减压表面处理方法的特征在于，通过在真空条件下在晶片表面上冲击离子来去除吸附在晶片表面或自然氧化物膜层上的物质。

    Semiconductor device wirings with hillocks
    9.
    发明授权
    Semiconductor device wirings with hillocks 失效
    半导体器件与小丘配线

    公开(公告)号：US4984060A

    公开(公告)日：1991-01-08

    申请号：US359764

    申请日：1989-07-21

    申请人： Tadahiro Ohmi ,  Tadashi Shibata ,  Masaru Umeda

    发明人： Tadahiro Ohmi ,  Tadashi Shibata ,  Masaru Umeda

    IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

    CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L2924/0002

    摘要： A semiconductor device comprises metal wirings with its minimum line width of 1 .mu.m or less and on the surface of said metal wiring there is no hillock which has its height equal to or more than 1/4 of the minimum line width of said metal wiring. The main portion of said metal wiring is formed with pure metal, and is supplied in connection portion between the metal wiring and a semiconductor substrate with a barrier layer for preventing any atoms involved in said metal parts from diffusing into the semiconductor substrate.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP88 / 00972 Sec。 371日期：1989年7月21日 102（e）日期1989年7月21日PCT PCT日期为1988年9月24日。一种半导体器件包括其最小线宽为1μm或更小的金属布线，并且在所述金属布线的表面上没有小丘 高度等于或大于所述金属布线的最小线宽度的1/4。 所述金属布线的主要部分由纯金属形成，并且在金属布线和具有阻挡层的半导体基板之间的连接部分中供应，以防止参与所述金属部件的任何原子扩散到半导体基板中。

    Wafer carrying device and wafer carrying method
    10.
    发明授权
    Wafer carrying device and wafer carrying method 失效
    晶圆承载装置和晶圆承载方式

    公开(公告)号：US5921744A

    公开(公告)日：1999-07-13

    申请号：US900049

    申请日：1997-07-24

    申请人： Masayuki Toda ,  Takashi Onoda ,  Tadahiro Ohmi ,  Masaru Umeda ,  Yoichi Kanno

    发明人： Masayuki Toda ,  Takashi Onoda ,  Tadahiro Ohmi ,  Masaru Umeda ,  Yoichi Kanno

    IPC分类号： B65G51/03 ,  H01L21/677 ,  F16C32/06

    CPC分类号： H01L21/67787 ,  B65G51/03 ,  H01L21/67784 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/136

    摘要： A device is provided for carrying a thin plate-like substrate such as a semiconductor wafer and for controlling the position of the wafer by floating it with an inert gas of low impurity concentration. A transferring unit and a control unit are both respectively provided with gas nozzles for floating a wafer and with a gas exhausting and circulating system. A plurality of transferring and control units are sealingly interconnected. Each control unit has a vacuum suction hole at its control center, and is provided with nozzles for controlling the wafer in the radial and circumferential directions, respectively, and with nozzles for stopping the wafer and for transporting the wafer to the next unit. On the bottom of a control space defined by each control unit, grooves which extend from the vacuum suction hole are formed for improving the positional accuracy of stopping the wafer. The grooves have closed ends which are located inside the periphery of the wafer when the center of the wafer is positioned above and centered on the control center of the control unit.

    摘要翻译： 提供一种用于承载诸如半导体晶片的薄板状基板的装置，并且通过用低杂质浓度的惰性气体浮动来控制晶片的位置。 传送单元和控制单元分别设置有用于浮动晶片的气体喷嘴和排气和循环系统。 多个传送和控制单元被密封地互连。 每个控制单元在其控制中心具有一个真空抽吸孔，并且分别设有用于在径向和圆周方向上控制晶片的喷嘴和用于停止晶片并将晶片输送到下一个单元的喷嘴。 在由每个控制单元限定的控制空间的底部形成有从真空吸入孔延伸的槽，以提高晶片停止的位置精度。 当晶片的中心位于控制单元的控制中心上方并居中时，槽具有位于晶片周边内部的闭合端。