公开(公告)号：US20050181304A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：US11057832

申请日：2005-02-15

申请人： Takayuki Araki ,  Tsuneo Yamashita ,  Takuji Ishikawa ,  Tomohiro Yoshida ,  Takuya Hagiwara ,  Takamitsu Furukawa

发明人： Takayuki Araki ,  Tsuneo Yamashita ,  Takuji Ishikawa ,  Tomohiro Yoshida ,  Takuya Hagiwara ,  Takamitsu Furukawa

IPC分类号： C08F214/18 ,  C08F232/08 ,  G03C1/492 ,  G03F7/004 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： There is provided a method of forming a fine pattern by using a highly practicable fluorine-containing polymer which has a high transparency to exposure light having a short wavelength such as F2 laser and can improve dry etching resistance without remarkably lowering transparency. The method comprises (I) a step for preparing a resist composition comprising (a) a fluorine-containing polymer having protective group, (b) a photoacid generator and (c) a solvent; (II) a step for forming a resist film comprising the above-mentioned resist composition on a substrate or on a given layer on the substrate; (III) a step for exposing by selectively irradiating given areas of the resist film with energy ray, and (IV) a step for subjecting the exposed resist film to developing treatment and selectively removing the exposed portions of the resist film to form a fine pattern, in which the fluorine-containing polymer (a) having protective group is a fluorine-containing polymer comprising a structural unit (M2-1A) derived from a norbornene derivative having OH group and a structural unit (M2-1B) derived from a norbornene derivative having a saturated hydrocarbon group containing bicyclo saturated hydrocarbon structure as a protective group.

摘要翻译： 提供了一种通过使用对具有短波长的诸如F 2激光的曝光光具有高透明度的高度实用的含氟聚合物形成精细图案的方法，并且可以提高无干蚀刻电阻，而无需 显着降低透明度。 该方法包括（I）制备抗蚀剂组合物的步骤，其包含（a）具有保护基的含氟聚合物，（b）光致酸产生剂和（c）溶剂; （II）在衬底上或衬底上的给定层上形成包含上述抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜的步骤; （III）通过用能量射线选择性地照射抗蚀剂膜的给定区域进行曝光的步骤，以及（IV）对曝光的抗蚀剂膜进行显影处理并选择性地除去抗蚀剂膜的曝光部分以形成精细图案的步骤 其中，具有保护基的含氟聚合物（a）为含有衍生自具有OH基的降冰片烯衍生物的结构单元（M2-1A）和来自降冰片烯的结构单元（M2-1B）的含氟聚合物 具有含有双环饱和烃结构的饱和烃基作为保护基的衍生物。

公开(公告)号：US08530145B2

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US12979405

申请日：2010-12-28

申请人： Takuya Hagiwara

发明人： Takuya Hagiwara

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70458 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： In an exposure step, a combination of a first photomask and a second mask is used. The first mask has a real pattern corresponding to the pattern actually formed on the film to be processed, and a dummy pattern added for controlling pattern pitch in the first photomask within a prescribed range; and the second photomask has a pattern isolating a real-pattern-formed region from a dummy-pattern-formed region. In forming the pattern, after forming a film to be processed on a substrate, a first mask is formed on the film to be processed,by lithography, using the first photomask, and a second mask is formed on the film to be processed, by lithography, using the second photomask. Thereafter, the film to be processed is etched and removed using the first and second masks as masks to form the pattern.

摘要翻译： 在曝光步骤中，使用第一光掩模和第二掩模的组合。 第一掩模具有对应于实际形成在待处理的膜上的图案的实际图案，以及添加用于将第一光掩模中的图案间距控制在规定范围内的虚拟图案; 并且第二光掩模具有将实图案形成区域与伪图案形成区域隔离的图案。 在形成图案时，在基板上形成待处理的膜之后，通过光刻法，使用第一光掩模，在待加工的膜上形成第一掩模，并且在被处理膜上形成第二掩模，通过 光刻，使用第二光掩模。 此后，使用第一和第二掩模作为掩模蚀刻并除去待处理的膜以形成图案。

公开(公告)号：US08323879B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US12720924

申请日：2010-03-10

申请人： Mamoru Terai ,  Takuya Hagiwara

发明人： Mamoru Terai ,  Takuya Hagiwara

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341 ,  Y10T428/24802

摘要： The present invention relates to a method of forming a resist pattern for obtaining an electronic device in which a development defect is eliminated, and aims at providing a process that is simple and low-cost, and can impart a high hydrophobicity capable of high-speed scan. It relates to a method of forming a resist pattern including the steps of: providing immersion exposure to a resist film; solubilizing the resist film subjected to the immersion exposure in an alkaline developer; developing the resist film solubilized in the alkaline developer by alkali immersion; and performing a deionized water rinse treatment on the developed resist film in this order, wherein the step of solubilization in the alkaline developer is performed by exposing the resist film subjected to the immersion exposure to ozone gas without irradiating ultraviolet rays (hereinafter, sometimes referred to as ozone treatment).

摘要翻译： 本发明涉及一种形成抗蚀剂图形的方法，其用于获得其中消除显影缺陷的电子器件，并且旨在提供简单且低成本的工艺，并且可以赋予高速度的高疏水性 扫描 涉及一种形成抗蚀剂图案的方法，包括以下步骤：向抗蚀剂膜提供浸渍曝光; 将浸渍曝光的抗蚀剂膜溶解在碱性显影剂中; 通过碱浸渍显影溶解在碱性显影剂中的抗蚀剂膜; 并对所形成的抗蚀剂膜进行去离子水冲洗处理，其中在碱性显影剂中溶解的步骤是通过将经浸渍曝光的抗蚀剂膜暴露于臭氧气体而不照射紫外线（以下有时称为 作为臭氧处理）。

公开(公告)号：US20050100799A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10974813

申请日：2004-10-28

申请人： Takuya Hagiwara

发明人： Takuya Hagiwara

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/36 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70458 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： In an exposure step, a combination of a first photomask and a second mask is used. The first mask has a real pattern corresponding to the pattern actually formed on the film to be processed, and a dummy pattern added for controlling pattern pitch in the first photomask within a prescribed range; and the second photomask has a pattern isolating a real-pattern-formed region from a dummy-pattern-formed region. In forming the pattern, after forming a film to be processed on a substrate, a first mask is formed on the film to be processed, by lithography, using the first photomask, and a second mask is formed on the film to be processed, by lithography, using the second photomask. Thereafter, the film to be processed is etched and removed using the first and second masks as masks to form the pattern.

摘要翻译： 在曝光步骤中，使用第一光掩模和第二掩模的组合。 第一掩模具有对应于实际形成在待处理的膜上的图案的实际图案，以及添加用于将第一光掩模中的图案间距控制在规定范围内的虚拟图案; 并且第二光掩模具有将实图案形成区域与伪图案形成区域隔离的图案。 在形成图案时，在基板上形成待处理的膜之后，通过光刻法，使用第一光掩模，在待加工的膜上形成第一掩模，并且在被处理膜上形成第二掩模，通过 光刻，使用第二光掩模。 此后，使用第一和第二掩模作为掩模蚀刻并除去待处理的膜以形成图案。

公开(公告)号：US08808970B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US13591214

申请日：2012-08-21

申请人： Takuya Hagiwara

发明人： Takuya Hagiwara

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/0274 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76802

摘要： To improve the manufacturing yield of semiconductor devices. Over a semiconductor wafer, a film to be processed is formed; over that film, an antireflection film is formed; and, over the antireflection film, a resist layer is formed. Then, the resist layer is subjected to liquid immersion exposure, and a development and rinsing process to form a resist pattern. After that, the antireflection film and the film to be processed are etched sequentially using the resist pattern as an etching mask. In the development process of the resist layer, the antireflection film is exposed from parts from which the resist layer has been removed by the development process. When performing a rinsing process after the development, the water repellent property of the surface of the antireflection film exposed from the resist layer is not lower than the water repellent property of the surface of the resist layer.

摘要翻译： 提高半导体器件的制造成品率。 在半导体晶片上形成被处理膜， 在该膜上形成抗反射膜; 并且在抗反射膜上方形成抗蚀剂层。 然后，对抗蚀剂层进行液浸曝光，并进行显影和漂洗处理以形成抗蚀剂图案。 之后，使用抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，顺序地蚀刻防反射膜和待处理的膜。 在抗蚀剂层的显影过程中，抗反射膜通过显影处理从已经除去了抗蚀剂层的部分露出。 在显影后进行漂洗处理时，从抗蚀剂层露出的防反射膜的表面的防水性不低于抗蚀剂层的表面的防水性。

公开(公告)号：US08178983B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US12867670

申请日：2009-02-20

申请人： Takeo Ishibashi ,  Miwako Ishibashi, legal representative ,  Mamoru Terai ,  Takuya Hagiwara ,  Osamu Yokokoji ,  Yoko Takebe

发明人： Takeo Ishibashi ,  Mamoru Terai ,  Takuya Hagiwara ,  Osamu Yokokoji ,  Yoko Takebe

IPC分类号： H01L23/29 ,  B05D3/02

CPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

摘要： It is an object of the present invention to provide a water repellant composition for a substrate to be exposed which inhibits the back side of a substrate to be exposed from being contaminated by an immersion liquid, can improve adhesion between a film to be processed and an organic film directly overlying that film to inhibit film peeling, and has excellent workability, a method for forming a resist pattern, an electronic device produced by the formation method, a treatment method for imparting water repellency to a substrate to be exposed, a water repellent set for a substrate to be exposed, and a treatment method for imparting water repellency to a substrate to be exposed using the same. A water repellent composition for a substrate to be exposed including at least an organosilicon compound represented by the following general formula (1) and a solvent is used. In the formula, R1 is a monovalent organic group having 14 to 30 carbon atoms, each R2, R3, and R4 is independently a monovalent organic group or a hydrolyzable group having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R2, R3, and R4 is a hydrolyzable group.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种抑制待暴露基板的背面被浸没液体污染的待曝光基材的防水组合物，可提高被处理膜与 有机膜直接覆盖该膜以抑制膜剥离，并且具有优异的可加工性，形成抗蚀剂图案的方法，通过形成方法制造的电子器件，对待暴露的基底赋予拒水性的处理方法，防水剂 设置为要暴露的基底，以及用于使用其进行曝光的基底赋予拒水性的处理方法。 使用至少包含由以下通式（1）表示的有机硅化合物和溶剂的待曝光底物用防水组合物。 式中，R1为碳原子数为14〜30的一价有机基团，R2，R3，R4分别独立为1价有机基团或碳原子数1〜10的可水解基团，R2，R3， R4是可水解基团。

公开(公告)号：US07479366B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US10974813

申请日：2004-10-28

申请人： Takuya Hagiwara

发明人： Takuya Hagiwara

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70458 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： In an exposure step, a combination of a first photomask and a second mask is used. The first mask has a real pattern corresponding to the pattern actually formed on the film to be processed, and a dummy pattern added for controlling pattern pitch in the first photomask within a prescribed range; and the second photomask has a pattern isolating a real-pattern-formed region from a dummy-pattern-formed region. In forming the pattern, after forming a film to be processed on a substrate, a first mask is formed on the film to be processed, by lithography, using the first photomask, and a second mask is formed on the film to be processed, by lithography, using the second photomask. Thereafter, the film to be processed is etched and removed using the first and second masks as masks to form the pattern.

摘要翻译： 在曝光步骤中，使用第一光掩模和第二掩模的组合。 第一掩模具有对应于实际形成在待处理的膜上的图案的实际图案，以及添加用于将第一光掩模中的图案间距控制在规定范围内的虚拟图案; 并且第二光掩模具有将实图案形成区域与伪图案形成区域隔离的图案。 在形成图案时，在基板上形成待处理的膜之后，通过光刻法，使用第一光掩模，在待加工的膜上形成第一掩模，并且在被处理膜上形成第二掩模，通过 光刻，使用第二光掩模。 此后，使用第一和第二掩模作为掩模蚀刻并除去待处理的膜以形成图案。

公开(公告)号：US20110091819A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12979405

申请日：2010-12-28

申请人： Takuya Hagiwara

发明人： Takuya Hagiwara

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70458 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： In an exposure step, a combination of a first photomask and a second mask is used. The first mask has a real pattern corresponding to the pattern actually formed on the film to be processed, and a dummy pattern added for controlling pattern pitch in the first photomask within a prescribed range; and the second photomask has a pattern isolating a real-pattern-formed region from a dummy-pattern-formed region. In forming the pattern, after forming a film to be processed on a substrate, a first mask is formed on the film to be processed, by lithography, using the first photomask, and a second mask is formed on the film to be processed, by lithography, using the second photomask. Thereafter, the film to be processed is etched and removed using the first and second masks as masks to form the pattern.

摘要翻译： 在曝光步骤中，使用第一光掩模和第二掩模的组合。 第一掩模具有对应于实际形成在待处理的膜上的图案的实际图案，以及添加用于将第一光掩模中的图案间距控制在规定范围内的虚拟图案; 并且第二光掩模具有将实图案形成区域与伪图案形成区域隔离的图案。 在形成图案时，在基板上形成待处理的膜之后，通过光刻法，使用第一光掩模，在待加工的膜上形成第一掩模，并且在被处理膜上形成第二掩模，通过 光刻，使用第二光掩模。 此后，使用第一和第二掩模作为掩模蚀刻并除去待处理的膜以形成图案。

公开(公告)号：US20100104986A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12652760

申请日：2010-01-06

申请人： Takuya Hagiwara

发明人： Takuya Hagiwara

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70458 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： In an exposure step, a combination of a first photomask and a second mask is used. The first mask has a real pattern corresponding to the pattern actually formed on the film to be processed, and a dummy pattern added for controlling pattern pitch in the first photomask within a prescribed range; and the second photomask has a pattern isolating a real-pattern-formed region from a dummy-pattern-formed region. In forming the pattern, after forming a film to be processed on a substrate, a first mask is formed on the film to be processed, by lithography, using the first photomask, and a second mask is formed on the film to be processed, by lithography, using the second photomask. Thereafter, the film to be processed is etched and removed using the first and second masks as masks to form the pattern.

摘要翻译： 在曝光步骤中，使用第一光掩模和第二掩模的组合。 第一掩模具有对应于实际形成在待处理的膜上的图案的实际图案，以及添加用于将第一光掩模中的图案间距控制在规定范围内的虚拟图案; 并且第二光掩模具有将实图案形成区域与伪图案形成区域隔离的图案。 在形成图案时，在基板上形成待处理的膜之后，通过光刻法，使用第一光掩模，在待加工的膜上形成第一掩模，并且在被处理膜上形成第二掩模，通过 光刻，使用第二光掩模。 此后，使用第一和第二掩模作为掩模蚀刻并除去待处理的膜以形成图案。

公开(公告)号：US07666577B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US12332395

申请日：2008-12-11

申请人： Takuya Hagiwara

发明人： Takuya Hagiwara

IPC分类号： G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70458 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： In an exposure step, a combination of a first photomask and a second mask is used. The first mask has a real pattern corresponding to the pattern actually formed on the film to be processed, and a dummy pattern added for controlling pattern pitch in the first photomask within a prescribed range; and the second photomask has a pattern isolating a real-pattern-formed region from a dummy-pattern-formed region. In forming the pattern, after forming a film to be processed on a substrate, a first mask is formed on the film to be processed, by lithography, using the first photomask, and a second mask is formed on the film to be processed, by lithography, using the second photomask. Thereafter, the film to be processed is etched off and removed using the first and second masks as masks to form the pattern.

摘要翻译： 在曝光步骤中，使用第一光掩模和第二掩模的组合。 第一掩模具有对应于实际形成在待处理的膜上的图案的实际图案，以及添加用于将第一光掩模中的图案间距控制在规定范围内的虚拟图案; 并且第二光掩模具有将实图案形成区域与伪图案形成区域隔离的图案。 在形成图案时，在基板上形成待处理的膜之后，通过光刻法，使用第一光掩模，在待加工的膜上形成第一掩模，并且在被处理膜上形成第二掩模，通过 光刻，使用第二光掩模。 此后，使用第一和第二掩模作为掩模蚀刻掉被去除的膜并除去以形成图案。