公开(公告)号：US5804523A

公开(公告)日：1998-09-08

申请号：US853410

申请日：1997-05-09

申请人： Takehiro Oda ,  Koichi Tanaka ,  Tomohiro Iwaida ,  Sentaro Yamamoto ,  Shoji Kohsaka ,  Masahiro Sato ,  Hideki Uchimura ,  Kenichi Tajima

发明人： Takehiro Oda ,  Koichi Tanaka ,  Tomohiro Iwaida ,  Sentaro Yamamoto ,  Shoji Kohsaka ,  Masahiro Sato ,  Hideki Uchimura ,  Kenichi Tajima

IPC分类号： C04B35/593 ,  C04B35/587

CPC分类号： C04B35/593 ,  C04B35/5935

摘要： A sintered product of silicon nitride containing not smaller than 70 mol % of a .beta.-silicon nitride as well as an element of the Group 3a at least including Lu of periodic table and impurity oxygen, wherein when the content of the element of the Group 3a of periodic table and the content of the impurity oxygen are, respectively, expressed being reckoned as the amount of an oxide of the element of the Group 3a of periodic table (RE.sub.2 O.sub.3) and as the amount of SiO.sub.2 of impurity oxygen, their total amount is from 2 to 30 mol %, the molar ratio (SiO.sub.2 /RE.sub.2 O.sub.3) of the amount of the element of the Group 3a of periodic table reckoned as the oxide (RE.sub.2 O.sub.3) thereof to the amount of impurity oxygen reckoned as SiO.sub.2 is from 1.6 to 10, and the intergranular phase of the sintered product chiefly comprises a crystal phase consisting of the element of the Group 3a of periodic table, silicon and oxygen and a process for producing the same. The sintered product has a large strength from room temperature through up to high temperatures and maintains excellent resistance against oxidation even at high temperatures, and exhibits excellent resistance against creeping and excellent breaking toughness.

摘要翻译： 包含不小于70mol％的β-氮化硅的氮化硅的烧结产品以及至少包括Lu的元素周期表和杂质氧的第3a族的元素，其中当第3a族元素的含量 的周期表和杂质氧的含量分别表示为元素周期表（RE 2 O 3）的第3a族元素的氧化物的量和杂质氧的SiO 2的量，它们的总量是 2〜30摩尔％时，作为氧化物（RE 2 O 3）的元素周期表中的元素的量与作为SiO 2计算的杂质氧的量的摩尔比（SiO 2 / RE 2 O 3）为1.6〜10 ，并且烧结体的晶间相主要包含由元素周期表第3a族元素，硅和氧组成的结晶相及其制造方法。 该烧结体从室温至高温具有很大的强度，即使在高温下也能保持优异的抗氧化性，并且具有优异的抗蠕变性和优异的断裂韧性。

公开(公告)号：US20100260972A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12669941

申请日：2008-03-28

申请人： Takehiro Oda ,  Teppei Kayama ,  Masahito Nakanishi

发明人： Takehiro Oda ,  Teppei Kayama ,  Masahito Nakanishi

IPC分类号： C04B35/565 ,  B32B18/00 ,  C04B35/52

CPC分类号： F41H5/0492 ,  C04B35/575 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  Y10T428/24479

摘要： This invention provides a protective member comprising a ceramic body comprising a plurality of first phases (2) composed mainly of silicon carbide and a plurality of second phases (3) having a composition different from the composition of the first phase (2) and containing at least boron, silicon and carbon. A part of the second phase is present in the first phase as a whole, and at least a part of the remaining part of the second phase is present between a plurality of the first phases.

摘要翻译： 本发明提供了一种保护构件，其包括陶瓷体，陶瓷体包括主要由碳化硅组成的多个第一相（2）和具有与第一相（2）的组成不同的组成的多个第二相（3） 最少的硼，硅和碳。 第二相的一部分作为整体存在于第一相中，并且第二相的剩余部分的至少一部分存在于多个第一相之间。

公开(公告)号：US20070203012A1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：US11679224

申请日：2007-02-27

申请人： Takehiro Oda ,  Masahito Nakanishi ,  Teppei Kayama

发明人： Takehiro Oda ,  Masahito Nakanishi ,  Teppei Kayama

IPC分类号： C01B31/36 ,  C04B35/563 ,  C04B35/565

CPC分类号： C04B35/563 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/425

摘要： The compressive strength of a boron carbide sintered compact is improved by controlling crystals of the boron carbide to a polycrystalline structure having a grain size distribution in which coarse crystals with a grain size of 20 μm or more and fine crystals with a grain size of 10 μm or less are mixed in an appropriate ratio. Furthermore, a protective member having an improved compressive strength can be provided using the boron carbide sintered compact having a polycrystalline structure in which coarse crystals and fine crystals are mixed in an appropriate ratio or a boron carbide sintered compact containing graphite and silicon carbide.

摘要翻译： 碳化硼烧结体的抗压强度通过将碳化硼的晶体控制为晶粒尺寸分布的多晶结构而改善，其中粒径为20μm以上的粗晶体和粒径为10μm的微细晶体 或更少的混合物。 此外，可以使用具有多晶结构的碳化硼烧结体来提供具有改善的抗压强度的保护构件，其中粗结晶和细晶体以适当的比例混合，或者含有石墨和碳化硅的碳化硼烧结体。

公开(公告)号：US07829491B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11720278

申请日：2005-11-22

申请人： Takehiro Oda

发明人： Takehiro Oda

IPC分类号： C04B35/599

CPC分类号： C04B35/597 ,  C04B35/591 ,  C04B35/593 ,  C04B35/5935 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

摘要： A silicon nitride sintered body comprising β-sialon expressed by a composition formula of Si6−ZAlZOZN8−Z, wherein z value being the dissolved amount is 0.1 to 1, as a main phase, a grain boundary phase and Fe silicide particles. The grain boundary phase contains RE (Group III elements in the periodic table)-Al—Si—O, and component ratios of Al, Si and RE in terms of Al2O3, SiO2, RE2O3, respectively is 5 to 50 mass % of Al2O3, 5 to 20 mass % of SiO2, and the balanced amount of RE2O3, the grain boundary phase is contained in a range of 20 volume % or less to 100 volume % of the sintered body, and the Fe silicide particles is contained in 0.02 to 3 mass % in terms of Fe to 100 mass % of the sintered body. Its high thermal shock resistance provides suitable applications to members for molten metal, hot working, and digging.

摘要翻译： 包含由Si6-ZAlZOZN8-Z的组成式表示的硅酸钠烧结体，其中z值为溶解量为0.1〜1，作为主相，晶界相和Fe硅化物粒子。 晶界相包含RE（元素周期表中的III族元素）-Al-Si-O，以Al2O3，SiO2，RE2O3表示的Al，Si和RE的组分比分别为Al2O3的5〜50质量％ 5〜20质量％的SiO 2，平均量的RE 2 O 3，晶界相的含量在烧结体的体积的20体积％以下且100体积％以下，硅化铁粒子的含量为0.02〜3 以烧结体的Fe〜100质量％为基准的质量％。 其高耐热冲击性为熔融金属，热加工和挖掘的成员提供了适合的应用。

公开(公告)号：US07642209B2

公开(公告)日：2010-01-05

申请号：US10569753

申请日：2004-08-25

申请人： Yoshihiro Okawa ,  Takehiro Oda

发明人： Yoshihiro Okawa ,  Takehiro Oda

IPC分类号： C04B35/591 ,  C04B35/596

CPC分类号： C04B35/591 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  Y10T428/12576

摘要： A silicon nitride sintered material includes a silicon nitride crystal and a grain boundary layer that contains at least two of a first metal silicide (a metal silicide having, as a first metal element, at least one selected from the group consisting of Fe, Cr, Mn and Cu), a second metal silicide (a metal silicide having, as a second metal element, at least one of W or Mo) and a third metal silicide (a metal silicide having a plurality of metal elements including the first metal element and the second metal element), wherein the grain boundary layer has neighboring phase where at least two of the first through third metal silicides exist in contact with each other.

摘要翻译： 氮化硅烧结体包括氮化硅晶体和晶界层，其含有第一金属硅化物（具有作为第一金属元素的金属硅化物中的至少两种，选自Fe，Cr， Mn和Cu），第二金属硅化物（具有作为第二金属元素的W或Mo中的至少一种的金属硅化物）和第三金属硅化物（具有多个金属元素的金属硅化物，包括第一金属元素和 所述第二金属元素），其中所述晶界层具有彼此相互接触的所述第一至第三金属硅化物中的至少两个的相邻相。

公开(公告)号：US07557054B2

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：US11679224

申请日：2007-02-27

申请人： Takehiro Oda ,  Masahito Nakanishi ,  Teppei Kayama

发明人： Takehiro Oda ,  Masahito Nakanishi ,  Teppei Kayama

IPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/565 ,  F41H5/00

CPC分类号： C04B35/563 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/425

摘要： The compressive strength of a boron carbide sintered compact is improved by controlling crystals of the boron carbide to a polycrystalline structure having a grain size distribution in which coarse crystals with a grain size of 20 μm or more and fine crystals with a grain size of 10 μm or less are mixed in an appropriate ratio. Furthermore, a protective member having an improved compressive strength can be provided using the boron carbide sintered compact having a polycrystalline structure in which coarse crystals and fine crystals are mixed in an appropriate ratio or a boron carbide sintered compact containing graphite and silicon carbide.

摘要翻译： 碳化硼烧结体的抗压强度通过将碳化硼的晶体控制为晶粒尺寸分布的多晶结构而改善，其中粒径为20μm以上的粗晶体和粒径为10μm的微细晶体 或更少的混合物。 此外，可以使用具有多晶结构的碳化硼烧结体来提供具有改善的抗压强度的保护构件，其中粗结晶和细晶体以适当的比例混合，或者含有石墨和碳化硅的碳化硼烧结体。

公开(公告)号：US20080227618A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US11946783

申请日：2007-11-28

申请人： Nobuyuki HORIUCHI ,  Teppei Kayama ,  Masahito Nakanishi ,  Takehiro Oda

发明人： Nobuyuki HORIUCHI ,  Teppei Kayama ,  Masahito Nakanishi ,  Takehiro Oda

IPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/56

CPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/64 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/668 ,  F41H5/0414 ,  F41H5/0492

摘要： A boron carbide sintered body having a plurality of pores, comprises a boron carbide as a main component and a plurality of graphite particles dispersed in the sinter. The graphite particles is exposed to the pores or is in the vicinity of the pores.

摘要翻译： 具有多个孔的碳化硼烧结体包含碳化硼作为主要成分和分散在烧结体中的多个石墨颗粒。 石墨颗粒暴露于孔中或在孔附近。

公开(公告)号：US07776773B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11946783

申请日：2007-11-28

申请人： Nobuyuki Horiuchi ,  Teppei Kayama ,  Masahito Nakanishi ,  Takehiro Oda

发明人： Nobuyuki Horiuchi ,  Teppei Kayama ,  Masahito Nakanishi ,  Takehiro Oda

IPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/577 ,  F41H5/00

CPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/64 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/668 ,  F41H5/0414 ,  F41H5/0492

摘要： A boron carbide sintered body having a plurality of pores, comprises a boron carbide as a main component and a plurality of graphite particles dispersed in the sinter. The graphite particles is exposed to the pores or is in the vicinity of the pores.

摘要翻译： 具有多个孔的碳化硼烧结体包含碳化硼作为主要成分和分散在烧结体中的多个石墨颗粒。 石墨颗粒暴露于孔中或在孔附近。

公开(公告)号：US20090023577A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US11720278

申请日：2005-11-22

申请人： Takehiro Oda

发明人： Takehiro Oda

IPC分类号： C04B35/584 ,  B29C67/04

CPC分类号： C04B35/597 ,  C04B35/591 ,  C04B35/593 ,  C04B35/5935 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

摘要： A silicon nitride sintered body comprising β-sialon expressed by a composition formula of Si6-ZAlZOZN8-Z, wherein z value being the dissolved amount is 0.1 to 1, as a main phase, a grain boundary phase and Fe silicide particles. The grain boundary phase contains RE (Group III elements in the periodic table)-Al—Si—O, and component ratios of Al, Si and RE in terms of Al2O3, SiO2, RE2O3, respectively is 5 to 50 mass % of Al2O3, 5 to 20 mass % of SiO2, and the balanced amount of RE2O3, the grain boundary phase is contained in a range of 20 volume % or less to 100 volume % of the sintered body, and the Fe silicide particles is contained in 0.02 to 3 mass % in terms of Fe to 100 mass % of the sintered body. Its high thermal shock resistance provides suitable applications to members for molten metal, hot working, and digging.

摘要翻译： 包含由Si6-ZAlZOZN8-Z的组成式表示的β-赛隆的氮化硅烧结体，其中作为主相的z值为0.1〜1，晶界相和Fe·硅化物粒子。 晶界相包含RE（元素周期表中的III族元素）-Al-Si-O，以Al2O3，SiO2，RE2O3表示的Al，Si和RE的组分比分别为Al2O3的5〜50质量％ 5〜20质量％的SiO 2，平均量的RE 2 O 3，晶界相的含量在烧结体的体积的20体积％以下且100体积％以下，硅化铁粒子的含量为0.02〜3 以烧结体的Fe〜100质量％为基准的质量％。 其高耐热冲击性为熔融金属，热加工和挖掘的成员提供了适合的应用。

公开(公告)号：US20070184569A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US10569753

申请日：2004-08-25

申请人： Yoshihiro Okawa ,  Takehiro Oda

发明人： Yoshihiro Okawa ,  Takehiro Oda

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C04B35/591 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  Y10T428/12576

摘要： A silicon nitride sintered material includes a silicon nitride crystal and a grain boundary layer that contains at least two of a first metal silicide (a metal silicide having, as a first metal element, at least one selected from the group consisting of Fe, Cr, Mn and Cu), a second metal silicide (a metal silicide having, as a second metal element, at least one of W or Mo) and a third metal silicide (a metal silicide having a plurality of metal elements including the first metal element and the second metal element), wherein the grain boundary layer has neighboring phase where at least two of the first through third metal silicides exist in contact with each other.

摘要翻译： 氮化硅烧结体包括氮化硅晶体和晶界层，其含有第一金属硅化物（具有作为第一金属元素的金属硅化物中的至少两种，选自Fe，Cr， Mn和Cu），第二金属硅化物（具有作为第二金属元素的W或Mo中的至少一种的金属硅化物）和第三金属硅化物（具有多个金属元素的金属硅化物，包括第一金属元素和 所述第二金属元素），其中所述晶界层具有彼此相互接触的所述第一至第三金属硅化物中的至少两个的相邻相。