公开(公告)号：US20240025811A1

公开(公告)日：2024-01-25

申请号：US18460797

申请日：2023-09-05

申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  TOSHIBA MATERIALS CO., LTD.

发明人： Katsuyuki AOKI ,  Takayuki FUKASAWA ,  Naoto HOUTSUKI ,  Yoshihito YAMAGATA ,  Kentaro IWAI

IPC分类号： C04B35/584

CPC分类号： C04B35/584 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/96

摘要： A silicon nitride sintered body having improved wear resistance and a wear-resistant member using the silicon nitride sintered body are provided. A silicon nitride sintered body according to an embodiment includes silicon nitride crystal grains and a grain boundary phase. An average value of solid solution oxygen amounts of the silicon nitride crystal grains in a 20 μm×20 μm region at any cross section is not less than 0.2 wt %. In a 50 μm×50 μm region at any cross section, an average value of major diameters of the silicon nitride crystal grains is not less than 0.1 μm and not more than 10 μm, and an average value of aspect ratios of the silicon nitride crystal grains is not less than 1.5 and not more than 10.

公开(公告)号：US10017427B2

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：US14650486

申请日：2013-12-06

申请人： SAINT-GOBAIN CENTRE DE RECHERCHES ET D'ETUDES EUROPEEN ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

发明人： Sylvain Deville ,  Florian Bouville

IPC分类号： B28B1/00 ,  C04B38/00 ,  C04B38/04 ,  C04B35/10 ,  C04B35/26 ,  C04B35/472 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/499 ,  C04B35/52 ,  C04B35/583 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B111/00

CPC分类号： C04B38/0061 ,  B28B1/007 ,  C04B35/10 ,  C04B35/111 ,  C04B35/26 ,  C04B35/472 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/499 ,  C04B35/52 ,  C04B35/522 ,  C04B35/583 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/63488 ,  C04B38/00 ,  C04B38/04 ,  C04B2111/0037 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/9607 ,  Y10T428/24744 ,  C04B38/0051

摘要： Preparation of a slip including more than 4% and less than 50% of ceramic particles and including more than 1% of orientable ceramic particles made of a material including an oriented function, as volume percentage on the basis of the set of ceramic particles, wherein the fraction of non-orientable ceramic particles has a median length less than ten times the median length of the orientable ceramic particles if the set of ceramic particles includes less than 80%, as volume percentage, of orientable ceramic particles, oriented freezing of the slip by movement of a solidification front at a speed less than the speed of encapsulation of the ceramic particles; elimination of the crystals of solidified liquid phase of said block, optionally, sintering.

公开(公告)号：US10002714B2

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：US15134799

申请日：2016-04-21

申请人： TDK Corporation

发明人： Saori Takeda ,  Masahito Furukawa ,  Masanori Kosuda ,  Shirou Ootsuki ,  Yasunori Harada

IPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/12 ,  H01G4/08 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C23C14/08

CPC分类号： H01G4/33 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/088 ,  H01G4/085 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

摘要： The present invention relates to a dielectric element such as a thin-film capacitor including a dielectric film. The dielectric film contains a main component represented by the general formula (Ba1-xCax)z(Ti1-yZry)O3 wherein 0

公开(公告)号：US09655237B2

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：US14241789

申请日：2012-10-11

申请人： HITACHI METALS, LTD.

发明人： Youichirou Kaga

IPC分类号： H05K1/03 ,  C04B35/64 ,  H01L23/15 ,  B32B18/00 ,  C04B35/583 ,  C04B35/587 ,  C04B37/02

CPC分类号： H05K1/0306 ,  B32B18/00 ,  C04B35/583 ,  C04B35/587 ,  C04B35/64 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/361 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2203/1126 ,  H05K2203/1131 ,  Y10T428/24421 ,  H01L2924/00

摘要： A silicon nitride substrate including a phase encompassed of silicon nitride particles, and intergranular phase formed from a sintering aid, wherein a separation layer is formed on the surface of a molded body including silicon nitride powder, sintering aid powder, and organic binder, by using a boron nitride paste containing boron nitride powder, organic binder, and organic solvent; the separation layer and molded body are heated; the organic binder is removed from the separation layer and molded body; subsequently molded bodies stacked with a separation layer therebetween, are sintered. Boron nitride paste contains 0.01 to 0.50% by oxygen mass and 0.001 to 0.5% by carbon mass, and c/a is within range of 0.02 to 10.00, where c is oxygen content in the powder of the boron nitride paste, and a carbon content in the degreased separation layer, which includes 0.2 to 3.5 mg/cm2 of hexagonal boron nitride powder.

公开(公告)号：US09440887B2

公开(公告)日：2016-09-13

申请号：US14438756

申请日：2013-10-21

申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  TOSHIBA MATERIALS CO., LTD.

发明人： Kai Funaki ,  Michiyasu Komatsu ,  Haruhiko Yamaguti ,  Katsuyuki Aoki

IPC分类号： C04B35/587 ,  F16C33/32 ,  F16C33/62 ,  F16C33/14 ,  C04B35/593

CPC分类号： C04B35/587 ,  C04B35/593 ,  C04B35/5935 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  F16C33/145 ,  F16C33/32 ,  F16C33/62 ,  F16C2206/60

摘要： The present invention provides a silicon nitride sintered body comprising a silicon nitride crystalline particle and a grain boundary phase, the silicon nitride sintered body having an area ratio of the grain boundary phase per 100 μm×100 μm unit area of 15 to 35% when an arbitrary cross section thereof is photographed. Further, it is preferable that the area ratio of the grain boundary phase per 100 μm×100 μm unit area is 15 to 25%. Furthermore, the silicon nitride sintered body is suitable for a wear resistant member. Due to above structure, there can be provided a silicon nitride sintered body and a wear resistant member having a high processability (workability) and an excellent sliding property.

摘要翻译： 本发明提供一种氮化硅烧结体，其包含氮化硅结晶粒子和晶界相，所述氮化硅烧结体，当每100μm×100μm单位面积的晶界相的面积比为15〜35％时， 拍摄其任意横截面。 此外，优选每100μm×100μm单位面积的晶界相的面积比为15〜25％。 此外，氮化硅烧结体适用于耐磨构件。 由于上述结构，可以提供具有高加工性（可加工性）和优异的滑动性能的氮化硅烧结体和耐磨构件。

公开(公告)号：US09388083B2

公开(公告)日：2016-07-12

申请号：US13581171

申请日：2011-02-24

申请人： Mami Iida ,  Mieko Yashima ,  Yuusaku Ishimine ,  Kazuhiro Ishikawa

发明人： Mami Iida ,  Mieko Yashima ,  Yuusaku Ishimine ,  Kazuhiro Ishikawa

IPC分类号： B32B7/02 ,  C04B35/565 ,  C04B35/626 ,  C04B35/638 ,  F16C33/62 ,  F16J15/34

CPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/783 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  F16C33/62 ,  F16C2206/56 ,  F16J15/3496 ,  Y10T428/24421

摘要： Disclosed are a silicon carbide sintered body and a sliding component using the same, and a protective body which, even when fine cracks are generated due to thermal shock or mechanical impact over prolonged use, are capable of inhibiting development of the cracks. The silicon carbide sintered body contains silicon carbide grains as a major component and has a relative density of 95% or more. On an observation surface of the silicon carbide sintered body, coarse silicon carbide grains 1b having a surface area of 170 μm2 or more occupy 6 area % or more and 15 area % or less. The silicon carbide sintered body has excellent mechanical properties such as strength and rigidity. Even when fine cracks are generated due to thermal shock or mechanical impact, coarse silicon carbide grains 1b are capable of inhibiting development of the cracks.

摘要翻译： 公开了一种碳化硅烧结体和使用该碳化硅烧结体的滑动部件，以及即使当长时间使用时由于热冲击或机械冲击而产生微细裂纹的保护体也能够抑制裂纹的发展。 碳化硅烧结体含有碳化硅晶粒作为主要成分，相对密度为95％以上。 在碳化硅烧结体的观察面上，表面积为170μm2以上的粗大碳化硅晶粒1b占面积％以上且面积％以下15面积％以下。 碳化硅烧结体具有优异的机械性能，例如强度和刚性。 即使由于热冲击或机械冲击而产生细小的裂缝，粗大的碳化硅晶粒1b也能够抑制裂纹的发展。

公开(公告)号：US09321691B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：US14408181

申请日：2013-05-17

申请人： SAINT-GOBAIN CENTRE DE RECHERCHES ET D'ETUDES EUROPEEN ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

发明人： Gilles Rossiquet ,  Eric Jorge

IPC分类号： C04B35/565 ,  F41H5/04 ,  C04B35/573 ,  C04B35/626

CPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/573 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62655 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  F41H5/0414 ,  F41H5/0421

摘要： A product obtained by solid-phase sintering of a silicon carbide powder and of a sintering additive, the product having a relative density of greater than 98.5% and including: more than 92% by weight of SiC present in the form of grains, less than 2% by weight of elemental oxygen, less than 6% by weight, in total, of other elements, wherein more than 10% by number of the SiC grains, on the basis of the total number of the grains, have an elongation factor F of greater than 3 (F>3), wherein more than 50% by number of the grains, the elongation factor F of which is greater than 3, have a width of greater than 3 micrometers, and wherein the other SiC grains in the product have a mean equivalent diameter of greater than 1 micrometer and less than 20 micrometers.

摘要翻译： 通过碳化硅粉末和烧结添加剂的固相烧结获得的产品，所述产品的相对密度大于98.5％，并且包括：超过92重量％的以颗粒形式存在的SiC，小于 2重量％的元素氧，总计少于6重量％的其它元素，其中基于总颗粒数量超过10重量％的SiC颗粒具有伸长系数F 大于3（F> 3），其中延伸率F大于3的多于50％的晶粒具有大于3微米的宽度，并且其中产物中的其它SiC晶粒 平均当量直径大于1微米且小于20微米。

公开(公告)号：US20160016854A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：US14709131

申请日：2015-05-11

申请人： Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc.

发明人： Nikolas J. Ninos ,  Diana R. Tierney

IPC分类号： C04B35/565

CPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/64 ,  C04B35/806 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/783 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/96 ,  F41H5/02 ,  F41H5/0414

摘要： A method of forming a ceramic body including forming a mixture made of at least a first powder material (PM1) including carbon having a first average particle size (PS1), a second powder material (PM2) including carbon and different than the first powder material, the second powder material having a second average particle size (PS2) less than the first average particle size (PS1), and an aluminum content (AC2) greater than the aluminum content (AC1) of the first powder material, and further including forming a green body from the mixture, and sintering the green body and forming a ceramic body having a first type of grain having an average grain size of not greater than about 8 times the first average particle size (PS1).

摘要翻译： 一种形成陶瓷体的方法，包括形成由至少第一粉末材料（PM1）构成的混合物，所述第一粉末材料（PM1）包括具有第一平均粒径（PS1）的碳，第二粉末材料（PM2），其包含碳并且不同于第一粉末材料 ，具有小于第一平均粒径（PS1）的第二平均粒径（PS2）和大于第一粉末材料的铝含量（AC1）的铝含量（AC2）的第二粉末材料，还包括形成 从所述混合物中取出生坯，并烧结所述生坯并形成具有平均粒径不大于所述第一平均粒径（PS1）的约8倍的第一种晶粒的陶瓷体。

公开(公告)号：US08980116B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US12374127

申请日：2008-02-27

申请人： Shigeki Yanagida ,  Noboru Ito ,  Yuuki Aburakawa ,  Naoki Mori ,  Yoshihiko Minachi

发明人： Shigeki Yanagida ,  Noboru Ito ,  Yuuki Aburakawa ,  Naoki Mori ,  Yoshihiko Minachi

IPC分类号： C04B35/26 ,  H01F1/00 ,  C04B35/64 ,  C04B35/40 ,  C04B35/626 ,  C04B35/632 ,  H01F1/11

CPC分类号： C04B35/2633 ,  C04B35/2641 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/788 ,  H01F1/11

摘要： A sintered ferrite magnet having a ferrite phase with a hexagonal structure as the main phase, wherein the composition of the metal elements composing the main phase is represented by the following general formula (1): RxCamA1−x−m(Fe12−yMy)z:   (1), x, m, y and z in formula (1) satisfying all of the conditions represented by the following formulas (2)-(6): 0.2≦x≦0.5:   (2) 0.13≦m≦0.41:   (3) 0.7x−m≦0.15:   (4) 0.18≦yz≦0.31:   (5) 9.6≦12z≦11.8:   (6), and wherein the density of the sintered ferrite magnet is at least 5.05 g/cm3, and the crystal grains of the sintered ferrite magnet satisfy all of the conditions represented by the following formulas (7) and (8), where L μm is the average for the maximum value and S μm is the average for the minimum value among the diameters passing through the center of gravity of each grains in the crystal cross-section parallel to the c-axis direction of hexagonal structures. L≦0.95:   (7) 1.8≦L/S≦2.5:   (8).

摘要翻译： 具有六方结构的铁素体相作为主相的烧结铁氧体磁体，其中构成主相的金属元素的组成由以下通式（1）表示：RxCamAl-x-m（Fe12-yMy）z ：（1）中的x，m，y和z满足由下式（2） - （6）表示的所有条件：0.2＆nlE; x＆nlE; 0.5：（2）0.13＆nlE; m＆ 0.41：（3）0.7x-m＆nlE; 0.15：（4）0.18＆nlE; yz＆nlE; 0.31：（5）9.6＆nlE; 12z＆nlE; 11.8：（6），其中烧结铁氧体磁体的密度为至少5.05g / cm3，并且烧结铁氧体磁体的晶粒满足由下式（7）和（8）表示的所有条件，其中Lμm是最大值的平均值，Sμm是最小值的平均值 在通过六边形结构的c轴方向的晶体截面中的每个晶粒的重心的直径之中。 L＆nlE; 0.95：（7）1.8＆nlE; L / S＆nlE; 2.5：（8）。

公开(公告)号：US08863816B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US12994763

申请日：2009-06-03

申请人： Aleksander J. Pyzik ,  Nicholas M. Shinkel ,  Robert A. Newman ,  Clifford S. Todd ,  Amy Wetzel

发明人： Aleksander J. Pyzik ,  Nicholas M. Shinkel ,  Robert A. Newman ,  Clifford S. Todd ,  Amy Wetzel

IPC分类号： B22D23/04 ,  C22C1/10 ,  C04B41/51 ,  C04B35/56 ,  C04B35/71 ,  C04B41/00 ,  C04B41/88 ,  C22C29/06

CPC分类号： C04B35/5615 ,  C04B35/5618 ,  C04B35/71 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5127 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C22C1/1036 ,  C22C29/06 ,  Y10T428/24992 ,  C04B41/4523

摘要： Densified composites of a metal such as copper or aluminum with a titanium-silicon-carbide or titanium-aluminum-carbide ceramic material are prepared by forming the ceramic material into a body, and infiltrating the body with the molten metal. The metal is able to rapidly penetrate into void spaces, between grain boundaries and even into the crystal structure of the ceramic grains to form a composite. The starting ceramic material may be previously densified, in which case various types of gradient structures can be produced easily. The process can be operated at low pressures, and so the hot pressing methods that normally must be used to densify these ceramic materials can be avoided.

摘要翻译： 通过将陶瓷材料形成体内并用熔融金属渗透身体，制备诸如铜或铝的金属与钛 - 碳化硅或钛 - 碳化铝陶瓷材料的致密复合材料。 该金属能够迅速地渗透到晶界之间的空隙，甚至陶瓷晶粒的晶体结构中，以形成复合材料。 起始陶瓷材料可以预先致密化，在这种情况下可以容易地生产各种类型的梯度结构。 该方法可以在低压下操作，因此可以避免通常必须用于致密化这些陶瓷材料的热压方法。