公开(公告)号：US07879528B2

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US12044678

申请日：2008-03-07

申请人： Takeo Watanabe ,  Hideo Hada ,  Hiroo Kinoshita

发明人： Takeo Watanabe ,  Hideo Hada ,  Hiroo Kinoshita

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/0048 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/118 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/146

摘要： A resist composition and a method of forming a resist pattern that enable contamination within the exposure apparatus to be prevented in lithography processes using an electron beam or EUV (extreme ultraviolet light). In this method, an organic solvent containing, as the principal component, one or more compounds selected from a group consisting of propylene glycol monomethyl ether (PGME), methyl amyl ketone (MAK), butyl acetate (BuOAc), and 3-methyl methoxy propionate (MMP) is used as the resist solvent.

摘要翻译： 在使用电子束或EUV（极紫外光）的光刻工艺中，抗蚀剂组合物和形成能够防止曝光装置内的污染的抗蚀剂图案的方法。 在该方法中，含有选自丙二醇单甲基醚（PGME），甲基戊基酮（MAK），乙酸丁酯（BuOAc）和3-甲基甲氧基中的一种或多种化合物作为主要成分的有机溶剂 丙酸盐（MMP）用作抗蚀剂溶剂。

公开(公告)号：US20070077512A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：US10574073

申请日：2004-10-20

申请人： Takeo Watanabe ,  Hideo Hada ,  Hiroo Kinoshita

发明人： Takeo Watanabe ,  Hideo Hada ,  Hiroo Kinoshita

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/0048 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/118 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/146

摘要： A resist composition and a method of forming a resist pattern that enable contamination within the exposure apparatus to be prevented in lithography processes using an electron beam or EUV (extreme ultraviolet light). In this method, an organic solvent containing, as the principal component, one or more compounds selected from a group consisting of propylene glycol monomethyl ether (PGME), methyl amyl ketone (MAK), butyl acetate (BuOAc), and 3-methyl methoxy propionate (MMP) is used as the resist solvent.

摘要翻译： 在使用电子束或EUV（极紫外光）的光刻工艺中，抗蚀剂组合物和形成能够防止曝光装置内的污染的抗蚀剂图案的方法。 在该方法中，含有选自丙二醇单甲基醚（PGME），甲基戊基酮（MAK），乙酸丁酯（BuOAc）和3-甲基甲氧基中的一种或多种化合物作为主要成分的有机溶剂 丙酸盐（MMP）用作抗蚀剂溶剂。

公开(公告)号：US07736842B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US11573884

申请日：2005-09-01

申请人： Hideo Hada ,  Daiju Shiono ,  Hiroo Kinoshita ,  Takeo Watanabe

发明人： Hideo Hada ,  Daiju Shiono ,  Hiroo Kinoshita ,  Takeo Watanabe

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126 ,  Y10S430/143

摘要： A resist composition for electron beam or extreme ultraviolet (EUV), comprising a resin component (A) which exhibits changed alkali solubility under action of acid, and a photoacid generator component (B) that generates acid on exposure, wherein the component (B) comprises at least one onium salt selected from the group consisting of onium salts having an anion represented by formula (b-0-1) or (b-0-2) shown below: wherein X represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom; and each of Y and Z independently represents an alkyl group having 1 to 10 atoms, in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.

摘要翻译： 一种电子束或极紫外线抗蚀剂组合物（EUV），其包含在酸作用下表现出碱溶性变化的树脂组分（A）和曝光时产生酸的光致酸产生剂组分（B），其中组分（B） 包含至少一种选自由下式（b-0-1）或（b-0-2）表示的阴离子的鎓盐组成的组中的鎓盐：其中X表示碳原子数2〜6的亚烷基 其中至少一个氢原子被氟原子取代; Y和Z各自独立地表示具有1〜10个原子的烷基，其中至少一个氢原子被氟原子取代。

公开(公告)号：US07407734B2

公开(公告)日：2008-08-05

申请号：US10574073

申请日：2004-10-20

申请人： Takeo Watanabe ,  Hideo Hada ,  Hiroo Kinoshita

发明人： Takeo Watanabe ,  Hideo Hada ,  Hiroo Kinoshita

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0048 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/118 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/146

摘要： A resist composition and a method of forming a resist pattern that enable contamination within the exposure apparatus to be prevented in lithography processes using an electron beam or EUV (extreme ultraviolet light). In this method, an organic solvent containing, as the principal component, one or more compounds selected from a group consisting of propylene glycol monomethyl ether (PGME), methyl amyl ketone (MAK), butyl acetate (BuOAc), and 3-methyl methoxy propionate (MMP) is used as the resist solvent.

摘要翻译： 在使用电子束或EUV（极紫外光）的光刻工艺中，抗蚀剂组合物和形成能够防止曝光装置内的污染的抗蚀剂图案的方法。 在该方法中，含有选自丙二醇单甲基醚（PGME），甲基戊基酮（MAK），乙酸丁酯（BuOAc）和3-甲基甲氧基中的一种或多种化合物作为主要成分的有机溶剂 丙酸盐（MMP）用作抗蚀剂溶剂。

公开(公告)号：US20080176170A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：US12044678

申请日：2008-03-07

申请人： Takeo Watanabe ,  Hideo Hada ,  Hiroo Kinoshita

发明人： Takeo Watanabe ,  Hideo Hada ,  Hiroo Kinoshita

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027

CPC分类号： G03F7/0048 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/118 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/146

摘要： A resist composition and a method of forming a resist pattern that enable contamination within the exposure apparatus to be prevented in lithography processes using an electron beam or EUV (extreme ultraviolet light). In this method, an organic solvent containing, as the principal component, one or more compounds selected from a group consisting of propylene glycol monomethyl ether (PGME), methyl amyl ketone (MAK), butyl acetate (BuOAc), and 3-methyl methoxy propionate (MMP) is used as the resist solvent.

摘要翻译： 在使用电子束或EUV（极紫外光）的光刻工艺中，抗蚀剂组合物和形成能够防止曝光装置内的污染的抗蚀剂图案的方法。 在该方法中，含有选自丙二醇单甲基醚（PGME），甲基戊基酮（MAK），乙酸丁酯（BuOAc）和3-甲基甲氧基中的一种或多种化合物作为主要成分的有机溶剂 丙酸盐（MMP）用作抗蚀剂溶剂。

公开(公告)号：US20070269744A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：US11573884

申请日：2005-09-01

申请人： Hideo Hada ,  Daiju Shiono ,  Hiroo Kinoshita ,  Takeo Watanabe

发明人： Hideo Hada ,  Daiju Shiono ,  Hiroo Kinoshita ,  Takeo Watanabe

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126 ,  Y10S430/143

摘要： A resist composition for electron beam or extreme ultraviolet (EUV), comprising a resin component (A) which exhibits changed alkali solubility under action of acid, and a photoacid generator component (B) that generates acid on exposure, wherein the component (B) comprises at least one onium salt selected from the group consisting of onium salts having an anion represented by formula (b-0-1) or (b-0-2) shown below: wherein X represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom; and each of Y and Z independently represents an alkyl group having 1 to 10 atoms, in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.

摘要翻译： 一种电子束或极紫外线抗蚀剂组合物（EUV），其包含在酸作用下表现出碱溶性变化的树脂组分（A）和曝光时产生酸的光致酸产生剂组分（B），其中组分（B） 包含至少一种选自由下式（b-0-1）或（b-0-2）表示的阴离子的鎓盐组成的组中的鎓盐：其中X表示碳原子数2〜6的亚烷基 其中至少一个氢原子被氟原子取代; Y和Z各自独立地表示具有1〜10个原子的烷基，其中至少一个氢原子被氟原子取代。

公开(公告)号：US20090042123A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US11915754

申请日：2006-05-26

申请人： Hiroo Kinoshita ,  Takeo Watanabe ,  Hirotoshi Ishii ,  Takanori Owada

发明人： Hiroo Kinoshita ,  Takeo Watanabe ,  Hirotoshi Ishii ,  Takanori Owada

IPC分类号： G03C1/73 ,  C07C39/15 ,  G03F7/20

CPC分类号： C07C69/736 ,  C07C2603/92 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

摘要： A calixresorcinarene compound represented by the following formula (1): wherein eight Rs are n (n is an integer of 1 to 7) substituents that are one or more types of substituents selected from groups represented by the following formula (2), and m (m is an integer shown by 8-n) hydrogen atoms; and R's, which may be the same or different, are each a straight-chain aliphatic hydrocarbon group having 2 to 12 carbon atoms, a branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, a phenyl group, a p-phenylphenyl group, a p-tert-butylphenyl group, and an aromatic group represented by the following formula (3), or a substituent formed by combining two or more of these substituents: wherein R″ is a hydrogen atom or a substituent selected from the substituents represented by the formula (2).

摘要翻译： 由下式（1）表示的光学间苯二酚化合物：其中8个R为n（n为1〜7的整数）的取代基，其为选自下述式（2）所示的基团的一种以上的取代基，m （m为8-n所示的整数）氢原子; R可以相同或不同，分别为碳原子数2〜12的直链脂肪族烃基，碳原子数3〜12的支链脂肪族烃基，苯基，对苯基苯基，对苯基苯基 对叔丁基苯基和由下式（3）表示的芳族基团，或通过组合这些取代基中的两个或更多个而形成的取代基：其中R“是氢原子或选自由 公式（2）。

公开(公告)号：US07858287B2

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：US11947850

申请日：2007-11-30

申请人： Takeo Watanabe ,  Hiroo Kinoshita ,  Shinichi Yusa ,  Tomotaka Yamanaka ,  Masamichi Hayakawa ,  Yosuke Osawa ,  Satoshi Ogi ,  Yoshitaka Komuro

发明人： Takeo Watanabe ,  Hiroo Kinoshita ,  Shinichi Yusa ,  Tomotaka Yamanaka ,  Masamichi Hayakawa ,  Yosuke Osawa ,  Satoshi Ogi ,  Yoshitaka Komuro

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/028 ,  G03F7/039 ,  G08F12/30

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

摘要： A photosensitive resin realizes formation of a pattern having a good shape, without introducing poor compatibility between an acid generator and a photoresist primary-component polymer having an acid-dissociable group, and a photosensitive composition containing the photosensitive resin. The photosensitive resin includes a repeating unit represented by formula (1): (wherein R1 represents a C2-C9 linear or branched divalent hydrocarbon group; each of R2 to R5 represents a hydrogen atom or a C1-C3 linear or branched hydrocarbon group; each of R6 and R7 represents an organic group, wherein R6 and R7 may together form a divalent organic group; and X−represents an anion); at least one of a repeating unit represented by formula (2): (wherein R8 represents a C2-C9 linear or branched hydrocarbon group) and a repeating unit represented by formula (3): a repeating unit represented by formula (4): optionally, a repeating unit represented by formula (5).

摘要翻译： 感光性树脂可以形成具有良好形状的图案，而不会导致酸产生剂和具有酸解离基团的光致抗蚀剂初级组分聚合物之间的相容性差，以及含有感光性树脂的感光性组合物。 光敏树脂包括由式（1）表示的重复单元：（其中R1表示C2-C9直链或支链二价烃基; R2至R5各自表示氢原子或C1-C3直链或支链烃基; R6和R7表示有机基团，其中R6和R7可以一起形成二价有机基团; X代表阴离子）; 由式（2）表示的重复单元中的至少一种：其中R8表示C2-C9直链或支链烃基）和由式（3）表示的重复单元：式（4）表示的重复单元：任选地 ，式（5）表示的重复单元。

公开(公告)号：US20090142697A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US11947850

申请日：2007-11-30

申请人： Takeo Watanabe ,  Hiroo Kinoshita ,  Shinichi Yusa ,  Tomotaka Yamanaka ,  Masamichi Hayakawa ,  Yosuke Osawa ,  Satoshi Ogi ,  Yoshitaka Komuro

发明人： Takeo Watanabe ,  Hiroo Kinoshita ,  Shinichi Yusa ,  Tomotaka Yamanaka ,  Masamichi Hayakawa ,  Yosuke Osawa ,  Satoshi Ogi ,  Yoshitaka Komuro

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

摘要： To provide a photosensitive resin which realizes formation of a pattern having a good shape, without involving a problem in terms of poor compatibility between an acid generator and a photoresist primary-component polymer having an acid dissociable group, and a photosensitive composition containing the photosensitive resin.The photosensitive resin includes a repeating unit represented by formula (1): (wherein R1 represents a C2-C9 linear or branched divalent hydrocarbon group; each of R2 to R5 represents a hydrogen atom or a C1-C3 linear or branched hydrocarbon group; each of R6 and R7 represents an organic group, wherein R6 and R7 may together form a divalent organic group; and X− represents an anion); at least one of a repeating unit represented by formula (2): (wherein R8 represents a C2-C9 linear or branched hydrocarbon group) and a repeating unit represented by formula (3): a repeating unit represented by formula (4): optionally, a repeating unit represented by formula (5).

摘要翻译： 为了提供形成具有良好形状的图案的感光性树脂，不会引起酸产生剂和具有酸解离基团的光致抗蚀剂初级组分聚合物之间的相容性差，并且含有感光性树脂的感光性组合物 。 光敏树脂包括由式（1）表示的重复单元：（其中R1表示C2-C9直链或支链二价烃基; R2至R5各自表示氢原子或C1-C3直链或支链烃基; R6和R7表示有机基团，其中R6和R7可以一起形成二价有机基团; X代表阴离子）; 由式（2）表示的重复单元中的至少一种：其中R8表示C2-C9直链或支链烃基）和由式（3）表示的重复单元：式（4）表示的重复单元：任选地 ，式（5）表示的重复单元。

公开(公告)号：US20080160449A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US12069979

申请日：2008-02-12

申请人： Yoshiyasu Kubo ,  Yukihiro Kaneko ,  Kaoru Suzuki ,  Minoru Tamura ,  Mineko Horibe ,  Akinori Uno ,  Hiroo Kinoshita ,  Takeo Watanabe

发明人： Yoshiyasu Kubo ,  Yukihiro Kaneko ,  Kaoru Suzuki ,  Minoru Tamura ,  Mineko Horibe ,  Akinori Uno ,  Hiroo Kinoshita ,  Takeo Watanabe

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： C08F297/00 ,  C08G83/005 ,  G03F7/0392

摘要： The present invention provides a hyperbranched polymer that is capable of being used as a polymer material for nanofabrication including lithography, has enhanced dry etching resistance, sensitivity and surface smoothness, has a core shell structure and has an acid degradable repeating unit of tert-butyl vinylbenzoate ester in a shell portion, and a resist composition containing the hyperbranched polymer.

摘要翻译： 本发明提供一种能够用作纳米加工的聚合物材料的超支化聚合物，包括光刻，具有增强的耐干蚀刻性，灵敏度和表面平滑性，具有核壳结构，并具有乙酸苯甲酸叔丁基酯的酸可降解重复单元 酯，和含有超支化聚合物的抗蚀剂组合物。