公开(公告)号：US5335139A

公开(公告)日：1994-08-02

申请号：US90257

申请日：1993-07-13

申请人： Takeshi Nomura ,  Yukie Nakano ,  Akira Satoh ,  Tomohiro Arashi

发明人： Takeshi Nomura ,  Yukie Nakano ,  Akira Satoh ,  Tomohiro Arashi

IPC分类号： H01G4/12 ,  H01G7/00

CPC分类号： H01G4/1227 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/435

摘要： A multilayer ceramic chip capacitor includes alternately stacked dielectric layers and internal electrode layers. The dielectric layers contain barium titanate as a major component and magnesium oxide, manganese oxide, barium oxide and/or calcium oxide, silicon oxide and optionally, yttrium oxide as minor components in such a proportion that there are present 0.1-3 mol of MgO, 0.05-1.0 mol of MnO, 2-12 mol of BaO+CaO, 2-12 mol of SiO.sub.2 and up to 1 mol of Y.sub.2 O.sub.3 per 100 mol of BaTiO.sub.3. The capacitor satisfies the standard temperature dependence of capacitance and shows a minimized change of capacitance with time under an applied DC electric field and a long insulation resistance life. Where the dielectric layers contain 0.1-3 mol of MgO, 1-5 mol of Y.sub.2 O.sub.3, 2-12 mol of BaO+CaO, and 2-12 mol of SiO.sub.2 per 100 mol of BaTiO.sub.3, the capacitor shows improved DC bias performance.

摘要翻译： 多层陶瓷片状电容器包括交替堆叠的电介质层和内部电极层。 电介质层含有钛酸钡作为主要成分，氧化镁，氧化锰，氧化钡和/或氧化钙，氧化硅和任选的氧化钇为少量成分，其中存在0.1-3mol的MgO， 0.05〜1.0摩尔的MnO，2〜12摩尔的BaO + CaO，2〜12摩尔的SiO 2和1摩尔的Y 2 O 3/100摩尔的BaTiO 3。 电容器满足电容的标准温度依赖性，并且在施加的直流电场和长绝缘电阻寿命下显示电容随时间的最小化变化。 当电介质层含有0.1-3mol的MgO，1-5mol的Y2O3，2-12mol的BaO + CaO和2-12mol的SiO 2 / 100mol的BaTiO 3时，电容器显示出改善的DC偏置性能。

公开(公告)号：US6160472A

公开(公告)日：2000-12-12

申请号：US621066

申请日：1996-03-22

申请人： Tomohiro Arashi ,  Yukie Nakano ,  Atsushi Hitomi ,  Akira Sato ,  Takeshi Nomura

发明人： Tomohiro Arashi ,  Yukie Nakano ,  Atsushi Hitomi ,  Akira Sato ,  Takeshi Nomura

IPC分类号： H01C7/115 ,  H01C7/10

CPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/768 ,  H01C7/115

摘要： A multilayer varistor comprising a varistor chip body having alternately stacked ceramic layers and internal electrode layers is provided. The ceramic layer is composed of a composite oxide containing Ti and/or Zr and Ba as a main component and Si and/or Al as a subordinate component, substantially free of Cr, and has a perovskite phase. The internal electrode layer is composed of a conductor containing a base metal such as Ni or Ni alloy as a main component. The varistor is used in an electric circuit for suppressing noise.

摘要翻译： 提供了一种包括具有交替堆叠的陶瓷层和内部电极层的变阻器芯片体的多层变阻器。 陶瓷层由含有Ti和/或Zr和Ba作为主要成分的复合氧化物组成，Si和/或Al作为次要成分，基本上不含Cr，并具有钙钛矿相。 内部电极层由以Ni或Ni合金为主要成分的贱金属的导体构成。 压敏电阻用于抑制噪声的电路中。

公开(公告)号：US5668694A

公开(公告)日：1997-09-16

申请号：US545255

申请日：1995-10-19

申请人： Akira Sato ,  Naoki Kawano ,  Takeshi Nomura ,  Yukie Nakano ,  Tomohiro Arashi ,  Junko Yamamatsu

发明人： Akira Sato ,  Naoki Kawano ,  Takeshi Nomura ,  Yukie Nakano ,  Tomohiro Arashi ,  Junko Yamamatsu

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  H01G4/12 ,  H01G4/06 ,  G11C11/24

CPC分类号： B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  H01G4/1227 ,  B32B2311/22 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706

摘要： The invention provides a multilayer ceramic chip capacitor which satisfies X7R property or a temperature response of its capacitance and shows a minimal change of capacitance with time under a DC electric field, a long accelerated life of insulation resistance (IR) and good DC bias performance and also provides a multilayer ceramic chip capacitor which is resistant to dielectric breakdown in addition to the above advantages. In a first form of the invention, dielectric layers contain BaTiO.sub.3 as a major component and MgO, Y.sub.2 O.sub.3, at least one of BaO and CaO, and SiO.sub.2 as minor components in a specific proportion. In a second form, the dielectric layers further contain MnO and at least one of V.sub.2 O.sub.5 and MoO.sub.3 as minor components in a specific proportion. In the first form, the dielectric layer has a mean grain size of up to 0.45 .mu.m, and in an X-ray diffraction chart of the dielectric layer, a diffraction line of (200) plane and a diffraction line of (002) plane at least partially overlap one another to form a wide diffraction line which has a half-value width of up to 0.35.degree..

摘要翻译： 本发明提供了一种多层陶瓷片式电容器，其满足X7R特性或其电容的温度响应，并且在直流电场下显示电容随时间的最小变化，绝缘电阻（IR）的加速寿命长以及良好的直流偏置性能，以及 还提供了除了上述优点之外还耐绝缘击穿的多层陶瓷片式电容器。 在本发明的第一种形式中，电介质层以BaTiO 3为主要成分，MgO，Y2O3，BaO和CaO中的至少一种，SiO2为特定比例的微量成分。 在第二种形式中，电介质层进一步包含MnO和以特定比例的V 2 O 5和MoO 3中的至少一种作为次要组分。 在第一种形式中，电介质层的平均晶粒尺寸高达0.45μm，并且在电介质层的X射线衍射图中，（200）面的衍射线和（002）面的衍射线 至少部分地彼此重叠以形成具有高达0.35度的半值宽度的宽衍射线。

公开(公告)号：US5862034A

公开(公告)日：1999-01-19

申请号：US843357

申请日：1997-04-15

申请人： Akira Sato ,  Naoki Kawano ,  Takeshi Nomura ,  Yukie Nakano ,  Tomohiro Arashi ,  Junko Yamamatsu

发明人： Akira Sato ,  Naoki Kawano ,  Takeshi Nomura ,  Yukie Nakano ,  Tomohiro Arashi ,  Junko Yamamatsu

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  H01G4/12 ,  H01G4/06 ,  H01G4/20

CPC分类号： B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  H01G4/1227 ,  B32B2311/22 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706

摘要： The invention provides a multilayer ceramic chip capacitor which satisfies X7R property or a temperature response of its capacitance and shows a minimal change of capacitance with time under a DC electric field, a long accelerated life of insulation resistance (IR) and good DC bias performance and also provides a multilayer ceramic chip capacitor which is resistant to dielectric breakdown in addition to the above advantages. In a first form of the invention, dielectric layers contain BaTiO.sub.3 as a major component and MgO, Y.sub.2 O.sub.3, at least one of BaO and CaO, and SiO.sub.2 as minor components in a specific proportion. In a second form, the dielectric layers further contain MnO and at least one of V.sub.2 O.sub.5 and MoO.sub.3 as minor components in a specific proportion. In the first form, the dielectric layer has a mean grain size of up to 0.45 .mu.m, and in an X-ray diffraction chart of the dielectric layer, a diffraction line of (200) plane and a diffraction line of (002) plane at least partially overlap one another to form a wide diffraction line which has a half-value width of up to 0.35.degree..

摘要翻译： 本发明提供了一种多层陶瓷片式电容器，其满足X7R特性或其电容的温度响应，并且在直流电场下显示电容随时间的最小变化，绝缘电阻（IR）的加速寿命长以及良好的直流偏置性能，以及 还提供了除了上述优点之外还耐绝缘击穿的多层陶瓷片式电容器。 在本发明的第一种形式中，电介质层以BaTiO 3为主要成分，MgO，Y2O3，BaO和CaO中的至少一种，SiO2为特定比例的微量成分。 在第二种形式中，电介质层进一步包含MnO和以特定比例的V 2 O 5和MoO 3中的至少一种作为次要组分。 在第一种形式中，电介质层的平均晶粒尺寸高达0.45μm，并且在电介质层的X射线衍射图中，（200）面的衍射线和（002）面的衍射线 至少部分地彼此重叠以形成具有高达0.35度的半值宽度的宽衍射线。

公开(公告)号：US08575052B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US13168254

申请日：2011-06-24

申请人： Toshio Sakurai ,  Tomohiro Arashi ,  Hisashi Kobuke ,  Takahiro Nakano ,  Tomoko Nakamura ,  Yasuharu Miyauchi

发明人： Toshio Sakurai ,  Tomohiro Arashi ,  Hisashi Kobuke ,  Takahiro Nakano ,  Tomoko Nakamura ,  Yasuharu Miyauchi

IPC分类号： C04B35/20

CPC分类号： C04B35/20 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  H05K1/0306

摘要： Provided is a dielectric ceramic that includes a main component which contains Mg2SiO4 and additives which contain a zinc oxide and a glass component, in which, in X-ray diffraction. The peak intensity ratio, IB/IA, of the X-ray diffraction peak intensity IB of zinc oxide remaining unreacted, for which 2θ is between 31.0° and 32.0° and between 33.0° and 34.0°, with respect to the peak intensity IA of Mg2SiO4 as the main phase, for which 2θ is between 36.0° and 37.0°, is 10% or less. The dielectric ceramic has a relative density of 96% or greater.

摘要翻译： 提供一种电介质陶瓷，其包含含有Mg 2 SiO 4的主要成分和含有氧化锌和玻璃成分的添加剂，其中，在X射线衍射中。 剩余未反应的氧化锌的X射线衍射峰强度IB的峰强度比IB / IA相对于峰强度IA的峰值强度IA，其中2θ在31.0°和32.0°之间，在33.0°和34.0°之间 Mg2SiO4为主相，其中2θ在36.0°和37.0°之间，为10％以下。 介电陶瓷的相对密度为96％以上。

公开(公告)号：US07517823B2

公开(公告)日：2009-04-14

申请号：US11573282

申请日：2005-09-29

申请人： Tomohiro Arashi ,  Yasuharu Miyauchi

发明人： Tomohiro Arashi ,  Yasuharu Miyauchi

IPC分类号： C04B35/468

CPC分类号： C04B35/462 ,  B32B2311/08 ,  C04B35/468 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/408 ,  H01C17/06533 ,  H01G4/008 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

摘要： A dielectric porcelain composition here contains as main components BaO, Nd2O3, TiO2, MgO and SiO2 at the given ratios and as subordinate components ZnO, B2O3 and CuO at given ratios, so that it can have a low-temperature sintering capability stable and reliable enough to permit a conductor formed of Ag, an alloy containing Ag as a main component or the like to be used as an internal conductor. It is also possible to obtain a dielectric porcelain composition that has limited resonance frequency changes with temperature changes and a specific dielectric constant lower than that of a BaO-rare earth oxide-TiO2 base dielectric porcelain composition, and so is suitable for multilayer type device formation.

摘要翻译： 电介质瓷组合物以给定的比例含有BaO，Nd 2 O 3，TiO 2，MgO和SiO 2作为主要组分，并且以给定比例的ZnO，B 2 O 3和CuO作为下属成分，从而可以具有稳定和可靠的低温烧结能力 以允许由Ag形成的导体，以Ag为主要成分的合金等用作内部导体。 也可以获得与BaO-稀土氧化物-TiO 2基电介质瓷组合物相比低的温度变化和比介电常数有限的共振频率变化的电介质瓷组合物，因此适用于多层型器件形成 。

公开(公告)号：US20090011921A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：US11659019

申请日：2006-03-14

申请人： Tomohiro Arashi ,  Yasuharu Miyauchi

发明人： Tomohiro Arashi ,  Yasuharu Miyauchi

IPC分类号： C04B35/46 ,  C04B35/03

CPC分类号： H01P7/10 ,  B32B2311/08 ,  C01G23/002 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/20 ,  C04B35/465 ,  C04B35/468 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9615 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/408 ,  H01B3/12

摘要： A dielectric porcelain composition here contains as main components BaO, Nd2O3, TiO2, MgO and SiO2 at the given ratios and as subordinate components ZnO, B2O3, CuO and an alkaline earth metal oxide RO (R: an alkaline earth metal) at given ratios, preferably with the addition of Ag as an optional subordinate component, so that it can have low-temperature sintering capability stable and reliable enough to permit a conductor formed of Ag, an alloy containing Ag as a main component or the like to be used as an internal conductor.

摘要翻译： 电介质瓷组合物以给定的比例含有BaO，Nd 2 O 3，TiO 2，MgO和SiO 2作为主要组分，并以给定的比例作为ZnO，B 2 O 3，CuO和碱土金属氧化物RO（R：碱土金属）的下属成分， 优选通过添加Ag作为任选的从属成分，使得其可以具有稳定和可靠的足够的低温烧结能力，以允许由Ag形成的导体，以Ag为主要成分的合金等用作 内部导体。

公开(公告)号：US20050288167A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：US11166367

申请日：2005-06-27

申请人： Yasuharu Miyauchi ,  Tomohiro Arashi

发明人： Yasuharu Miyauchi ,  Tomohiro Arashi

IPC分类号： C03C3/091 ,  C03C14/00 ,  H01L23/15 ,  H05K1/03

CPC分类号： H05K1/0306 ,  C03C3/091 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K3/4629 ,  H01L2924/00

摘要： Objects of the present invention are to provide a low-temperature co-fired ceramic material having a coefficient of linear thermal expansion controlled and has a high dielectric constant, and to reduce the warpage of a fired product even if it has an unsymmetrical lamination structure in a multilayer wiring board in which glass-ceramic mixed layers of different compositions are laminated. A low-temperature co-fired ceramic material in accordance with the present invention includes: SiO2—B2O3—Al2O3-alkaline earth metal oxide based glass, alumina, titania, and cordierite; glass, titania, and cordierite; or glass, titania, and mullite. When a multilayer wiring board is made of the low-temperature co-fired ceramic material, the content of cordierite or mullite of the substrate material is adjusted to control a difference in a coefficient of linear thermal expansion between the layers of the substrate material to not more than 0.25×10−6/° C.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种具有控制线性热膨胀系数并具有高介电常数的低温共烧陶瓷材料，并且即使其具有不对称层压结构也能减少烧制产品的翘曲 层叠不同组成的玻璃 - 陶瓷混合层的多层布线基板。 根据本发明的低温共烧陶瓷材料包括：SiO 2 -S 2 O 3 O 3 -Al < 碱土金属氧化物基玻璃，氧化铝，二氧化钛和堇青石; 玻璃，二氧化钛和堇青石; 或玻璃，二氧化钛和莫来石。 当由低温共烧陶瓷材料制成多层布线板时，调整基板材料的堇青石或莫来石的含量，以控制基板材料层之间的线性热膨胀系数的差异 大于0.25×10 -6 /℃

公开(公告)号：US20070213202A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11573282

申请日：2005-09-29

申请人： Tomohiro Arashi ,  Yasuharu Miyauchi

发明人： Tomohiro Arashi ,  Yasuharu Miyauchi

IPC分类号： C04B35/468

CPC分类号： C04B35/462 ,  B32B2311/08 ,  C04B35/468 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/408 ,  H01C17/06533 ,  H01G4/008 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

摘要： A dielectric porcelain composition here contains as main components BaO, Nd2O3, TiO2, MgO and SiO2 at the given ratios and as subordinate components ZnO, B2O3 and CuO at given ratios, so that it can have a low-temperature sintering capability stable and reliable enough to permit a conductor formed of Ag, an alloy containing Ag as a main component or the like to be used as an internal conductor. It is also possible to obtain a dielectric porcelain composition that has limited resonance frequency changes with temperature changes and a specific dielectric constant lower than that of a BaO-rare earth oxide-TiO2 base dielectric porcelain composition, and so is suitable for multilayer type device formation

摘要翻译： 电介质瓷组合物中含有BaO，Nd 2 O 3，TiO 2，MgO和SiO 2， >以给定的比例并且以给定的比例作为下属成分ZnO，B 2 O 3 3和CuO，使得其可以具有稳定和可靠的足够的低温烧结能力 以允许由Ag形成的导体，以Ag为主要成分的合金等用作内部导体。 还可以获得具有低于BaO-稀土氧化物-TiO 2基础电介质瓷组合物的温度变化和比介电常数有限的共振频率变化的电介质瓷组合物，以及 因此适用于多层型器件形成

公开(公告)号：US08846210B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13021342

申请日：2011-02-04

申请人： Toshio Sakurai ,  Hisashi Kobuke ,  Tomohiro Arashi ,  Kiyoshi Hatanaka ,  Yasuharu Miyauchi

发明人： Toshio Sakurai ,  Hisashi Kobuke ,  Tomohiro Arashi ,  Kiyoshi Hatanaka ,  Yasuharu Miyauchi

IPC分类号： B32B18/00 ,  B32B38/00 ,  B32B37/06 ,  C04B35/626 ,  C04B35/462 ,  C04B35/20 ,  H01G4/12 ,  H01G4/20 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  C04B35/20 ,  C04B35/462 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/60 ,  H01G4/20 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/12729 ,  Y10T428/12806

摘要： A ceramic electronic component includes a first dielectric layer, a second dielectric layer, and a boundary reaction layer. The first dielectric layer is a layer containing BaO, Nd2O3, and TiO2, the second dielectric layer is a layer containing a material different from the material of the first dielectric layer, and the boundary reaction layer is a layer formed between the first dielectric layer and the second dielectric layer and containing at least one of Zn, Ti, Cu, and Mg.

摘要翻译： 陶瓷电子部件包括第一电介质层，第二电介质层和边界反应层。 第一电介质层是包含BaO，Nd 2 O 3和TiO 2的层，第二电介质层是包含与第一电介质层的材料不同的材料的层，边界反应层是形成在第一电介质层和 第二电介质层并且包含Zn，Ti，Cu和Mg中的至少一种。