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    NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY APPARATUS
    2.
    发明申请
    NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY APPARATUS 有权
    非易失性存储器件和非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20110216575A1

    公开(公告)日：2011-09-08

    申请号：US13043097

    申请日：2011-03-08

    申请人： Takeshi Yamaguchi ,  Chikayoshi Kamata

    发明人： Takeshi Yamaguchi ,  Chikayoshi Kamata

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00

    CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/147

    摘要： According to one embodiment, a nonvolatile memory device includes a recording layer and a conductive first layer. The recording layer includes a main group element, a transition element, and oxygen. The recording layer is capable of recording information by changing reversibly between a high resistance state and a low resistance state. The first layer is made of at least one selected from a metal, a metal oxide, a metal nitride, and a metal carbide. The first layer is provided adjacent to the recording layer. The first layer includes the main group element with a concentration lower than a concentration of the main group element of the recording layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括记录层和导电第一层。 记录层包括主要组元素，过渡元素和氧气。 记录层能够通过在高电阻状态和低电阻状态之间可逆地改变来记录信息。 第一层由选自金属，金属氧化物，金属氮化物和金属碳化物中的至少一种制成。 第一层邻近记录层设置。 第一层包括浓度低于记录层的主要组分的浓度的主要组元素。

    Nonvolatile memory device and nonvolatile memory apparatus
    3.
    发明授权
    Nonvolatile memory device and nonvolatile memory apparatus 有权
    非易失性存储器件和非易失性存储器件

    公开(公告)号：US08541766B2

    公开(公告)日：2013-09-24

    申请号：US13043097

    申请日：2011-03-08

    申请人： Takeshi Yamaguchi ,  Chikayoshi Kamata

    发明人： Takeshi Yamaguchi ,  Chikayoshi Kamata

    IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/06 ,  G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/147

    摘要： According to one embodiment, a nonvolatile memory device includes a recording layer and a conductive first layer. The recording layer includes a main group element, a transition element, and oxygen. The recording layer is capable of recording information by changing reversibly between a high resistance state and a low resistance state. The first layer is made of at least one selected from a metal, a metal oxide, a metal nitride, and a metal carbide. The first layer is provided adjacent to the recording layer. The first layer includes the main group element with a concentration lower than a concentration of the main group element of the recording layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括记录层和导电第一层。 记录层包括主要组元素，过渡元素和氧气。 记录层能够通过在高电阻状态和低电阻状态之间可逆地改变来记录信息。 第一层由选自金属，金属氧化物，金属氮化物和金属碳化物中的至少一种制成。 第一层邻近记录层设置。 第一层包括浓度低于记录层的主要组分的浓度的主要组元素。

    Magnetic memory element and method of manufacturing the same
    10.
    发明授权
    Magnetic memory element and method of manufacturing the same 有权
    磁记忆元件及其制造方法

    公开(公告)号：US09117924B2

    公开(公告)日：2015-08-25

    申请号：US13729297

    申请日：2012-12-28

    申请人： Eiji Kitagawa ,  Chikayoshi Kamata ,  Saori Kashiwada ,  Yushi Kato ,  Tadaomi Daibou

    发明人： Eiji Kitagawa ,  Chikayoshi Kamata ,  Saori Kashiwada ,  Yushi Kato ,  Tadaomi Daibou

    IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L29/66 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08

    CPC分类号： H01L29/82 ,  H01L29/66007 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

    摘要： According to one embodiment, a magnetic memory element includes a first magnetic layer having a first surface and a second surface being opposite to the first surface, a second magnetic layer, an intermediate layer which is provided between the first surface of the first magnetic layer and the second magnetic layer, a layer which is provided on the second surface of the first magnetic layer, the layer containing B and at least one element selected from Hf, Al, and Mg, and an insulating layer which is provided on a sidewall of the intermediate layer, the insulating layer containing at least one element selected from the Hf, Al, and Mg contained in the layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储元件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的第一磁性层，第二磁性层，设置在第一磁性层的第一表面和 第二磁性层，设置在第一磁性层的第二表面上的层，含有B的层和选自Hf，Al和Mg的至少一种元素，以及设置在第一磁性层的侧壁上的绝缘层 中间层，所述绝缘层含有选自所述层中所含的Hf，Al和Mg中的至少一种元素。