公开(公告)号：US20110026294A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12886040

申请日：2010-09-20

申请人： Takayuki Tsukamoto ,  Takeshi Yamaguchi ,  Chikayoshi Kamata ,  Tsukasa Nakai ,  Takahiro Hirai ,  Shinya Aoki ,  Kohichi Kubo

发明人： Takayuki Tsukamoto ,  Takeshi Yamaguchi ,  Chikayoshi Kamata ,  Tsukasa Nakai ,  Takahiro Hirai ,  Shinya Aoki ,  Kohichi Kubo

IPC分类号： G11C5/06 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11B9/04 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/149 ,  G11B11/002 ,  G11B11/08 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C16/0483 ,  G11C2211/565 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： According to one embodiment, an information recording and reproducing device includes a first layer, a second layer and a recording layer. The recording layer is provided between the first and second layers and is capable of reversibly transitioning between a first state and a second state with a resistance higher than in the first state. One of the first and second layers includes a resistivity distribution layer perpendicular to a stacking direction of the first and second layers, and the recording layer. The resistivity distribution layer includes a low and a high resistivity portion. Resistivity of the high resistivity portion is higher than resistivity of the low resistivity portion. The low resistivity portion contains a transition element identical to a transition element contained in the high resistivity portion.

摘要翻译： 根据一个实施例，信息记录和再现装置包括第一层，第二层和记录层。 记录层设置在第一层和第二层之间，并且能够以比第一状态高的电阻在第一状态和第二状态之间可逆地转换。 第一层和第二层之一包括垂直于第一层和第二层的层叠方向的电阻率分布层和记录层。 电阻率分布层包括低电阻率部分和高电阻率部分。 高电阻率部分的电阻率高于低电阻率部分的电阻率。 低电阻率部分包含与包含在高电阻率部分中的过渡元素相同的过渡元件。

公开(公告)号：US08288748B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US12889558

申请日：2010-09-24

申请人： Takayuki Tsukamoto ,  Chikayoshi Kamata ,  Takeshi Yamaguchi ,  Takahiro Hirai ,  Shinya Aoki ,  Kohichi Kubo

发明人： Takayuki Tsukamoto ,  Chikayoshi Kamata ,  Takeshi Yamaguchi ,  Takahiro Hirai ,  Shinya Aoki ,  Kohichi Kubo

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： G11C13/0009 ,  G11C13/00 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： According to one embodiment, an information recording and reproducing device includes a first layer, a second layer, and a recording layer between the first and second layers, which is capable of a transition between a first state of a low resistance and a second state of a high resistance by flowing a current between the first and second layers. A peripheral portion of the recording layer has a composition different from that of a center portion of the recording layer. The center portion includes two kinds of cation elements. And the center portion is different from the peripheral portion in a ratio of the two kinds of cation elements.

摘要翻译： 根据一个实施例，信息记录和再现装置包括第一层和第二层之间的第一层，第二层和记录层，其能够在低电阻的第一状态和第二层之间的转变 通过在第一和第二层之间流动电流而产生高电阻。 记录层的周边部分具有与记录层的中心部分不同的组成。 中心部分包​​括两种阳离子元件。 并且中心部分以两种阳离子元素的比例与周边部分不同。

公开(公告)号：US08089796B2

公开(公告)日：2012-01-03

申请号：US12886040

申请日：2010-09-20

申请人： Takayuki Tsukamoto ,  Takeshi Yamaguchi ,  Chikayoshi Kamata ,  Tsukasa Nakai ,  Takahiro Hirai ,  Shinya Aoki ,  Kohichi Kubo

发明人： Takayuki Tsukamoto ,  Takeshi Yamaguchi ,  Chikayoshi Kamata ,  Tsukasa Nakai ,  Takahiro Hirai ,  Shinya Aoki ,  Kohichi Kubo

IPC分类号： G11C5/06

CPC分类号： G11B9/04 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/149 ,  G11B11/002 ,  G11B11/08 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C16/0483 ,  G11C2211/565 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： According to one embodiment, an information recording and reproducing device includes a first layer, a second layer and a recording layer. The recording layer is provided between the first and second layers and is capable of reversibly transitioning between a first state and a second state with a resistance higher than in the first state. One of the first and second layers includes a resistivity distribution layer perpendicular to a stacking direction of the first and second layers, and the recording layer. The resistivity distribution layer includes a low and a high resistivity portion. Resistivity of the high resistivity portion is higher than resistivity of the low resistivity portion. The low resistivity portion contains a transition element identical to a transition element contained in the high resistivity portion.

摘要翻译： 根据一个实施例，信息记录和再现装置包括第一层，第二层和记录层。 记录层设置在第一层和第二层之间，并且能够以比第一状态高的电阻在第一状态和第二状态之间可逆地转换。 第一层和第二层之一包括垂直于第一层和第二层的层叠方向的电阻率分布层和记录层。 电阻率分布层包括低电阻率部分和高电阻率部分。 高电阻率部分的电阻率高于低电阻率部分的电阻率。 低电阻率部分包含与包含在高电阻率部分中的过渡元素相同的过渡元件。

公开(公告)号：US08431920B2

公开(公告)日：2013-04-30

申请号：US12884880

申请日：2010-09-17

申请人： Chikayoshi Kamata ,  Takayuki Tsukamoto ,  Takeshi Yamaguchi ,  Tsukasa Nakai ,  Takahiro Hirai ,  Shinya Aoki ,  Kohichi Kubo

发明人： Chikayoshi Kamata ,  Takayuki Tsukamoto ,  Takeshi Yamaguchi ,  Tsukasa Nakai ,  Takahiro Hirai ,  Shinya Aoki ,  Kohichi Kubo

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： G11B11/002 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/149 ,  G11B11/08 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C16/0483 ,  G11C2211/565 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79

摘要： According to one embodiment, an information recording and reproducing device includes a recording layer which includes a typical element and a transition element, and stores a state of a first electric resistivity and a state of a second electric resistivity different from the first electric resistivity by a movement of the typical element, and an electrode layer which is disposed at one end of the recording layer to apply a voltage or a current to the recording layer. The recording layer includes a first region which is in contact with the electrode layer and the electrode layer includes a second region which is in contact with the recording layer. The first and second regions are opposite to each other. And the first and second regions include the typical element, and a concentration of the typical element in the second region is higher than that in the first region.

摘要翻译： 根据一个实施例，信息记录和再现装置包括记录层，其包括典型元件和过渡元件，并且将第一电阻率的状态和与第一电阻率不同的第二电阻率的状态存储在 典型元件的移动，以及设置在记录层的一端以向记录层施加电压或电流的电极层。 记录层包括与电极层接触的第一区域，电极层包括与记录层接触的第二区域。 第一和第二区域彼此相对。 并且第一和第二区域包括典型元件，并且第二区域中的典型元件的浓度高于第一区域中的典型元件的浓度。

公开(公告)号：US20110062407A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：US12884880

申请日：2010-09-17

申请人： Chikayoshi KAMATA ,  Takayuki Tsukamoto ,  Takeshi Yamaguchi ,  Tsukasa Nakai ,  Takahiro Hirai ,  Shinya Aoki ,  Kohichi Kubo

发明人： Chikayoshi KAMATA ,  Takayuki Tsukamoto ,  Takeshi Yamaguchi ,  Tsukasa Nakai ,  Takahiro Hirai ,  Shinya Aoki ,  Kohichi Kubo

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： G11B11/002 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/149 ,  G11B11/08 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C16/0483 ,  G11C2211/565 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79

摘要： According to one embodiment, an information recording and reproducing device includes a recording layer which includes a typical element and a transition element, and stores a state of a first electric resistivity and a state of a second electric resistivity different from the first electric resistivity by a movement of the typical element, and an electrode layer which is disposed at one end of the recording layer to apply a voltage or a current to the recording layer. The recording layer includes a first region which is in contact with the electrode layer and the electrode layer includes a second region which is in contact with the recording layer. The first and second regions are opposite to each other. And the first and second regions include the typical element, and a concentration of the typical element in the first region is higher than that in the second region.

摘要翻译： 根据一个实施例，信息记录和再现装置包括记录层，其包括典型元件和过渡元件，并且将第一电阻率的状态和与第一电阻率不同的第二电阻率的状态存储在 典型元件的移动，以及设置在记录层的一端以向记录层施加电压或电流的电极层。 记录层包括与电极层接触的第一区域，电极层包括与记录层接触的第二区域。 第一和第二区域彼此相对。 并且第一和第二区域包括典型的元件，并且第一区域中的典型元件的浓度高于第二区域中的典型元素的浓度。

公开(公告)号：US20110062405A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：US12889558

申请日：2010-09-24

申请人： Takayuki Tsukamoto ,  Chikayoshi Kamata ,  Takeshi Yamaguchi ,  Takahiro Hirai ,  Shinya Aoki ,  Kohichi Kubo

发明人： Takayuki Tsukamoto ,  Chikayoshi Kamata ,  Takeshi Yamaguchi ,  Takahiro Hirai ,  Shinya Aoki ,  Kohichi Kubo

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0009 ,  G11C13/00 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： According to one embodiment, an information recording and reproducing device includes a first layer, a second layer, and a recording layer between the first and second layers, which is capable of a transition between a first state of a low resistance and a second state of a high resistance by flowing a current between the first and second layers. A peripheral portion of the recording layer has a composition different from that of a center portion of the recording layer. The center portion includes two kinds of cation elements. And the center portion is different from the peripheral portion in a ratio of the two kinds of cation elements.

摘要翻译： 根据一个实施例，一种信息记录和再现装置包括第一层和第二层之间的第一层，第二层和记录层，其能够在低电阻的第一状态和第二层之间的转变 通过在第一和第二层之间流动电流而产生高电阻。 记录层的周边部分具有与记录层的中心部分不同的组成。 中心部分包​​括两种阳离子元件。 并且中心部分以两种阳离子元素的比例与周边部分不同。

公开(公告)号：US08416606B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US13040823

申请日：2011-03-04

申请人： Takayuki Tsukamoto ,  Tsukasa Nakai ,  Chikayoshi Kamata ,  Mariko Hayashi ,  Fumihiko Aiga ,  Takeshi Yamaguchi

发明人： Takayuki Tsukamoto ,  Tsukasa Nakai ,  Chikayoshi Kamata ,  Mariko Hayashi ,  Fumihiko Aiga ,  Takeshi Yamaguchi

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11B9/04 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/147

摘要： According to one embodiment, an information recording and reproducing device includes a recording layer and a driving unit. The recording layer includes a first layer containing a first compound. The first compound includes a first positive ion element. The first positive ion element is made of a transition metal element and serves as a first positive ion. The second positive ion element serves as a second positive ion. The driving unit is configured to generate a phase change in the recording layer and to record information by at least one of application of a voltage and application of a current to the recording layer. The coordination number of the first positive ion element at a position of a second coordination of the second positive ion element is 80% or more and less than 100% of the coordination number when the first compound is assumed to be a perfect crystal.

摘要翻译： 根据一个实施例，信息记录和再现装置包括记录层和驱动单元。 记录层包括含有第一化合物的第一层。 第一化合物包括第一正离子元素。 第一正离子元件由过渡金属元素制成并用作第一正离子。 第二正离子元素用作第二正离子。 驱动单元被配置为在记录层中产生相变，并且通过施加电压和施加电流到记录层中的至少一个来记录信息。 当假设第一化合物为完美晶体时，第二正离子元件的第二配位位置处的第一正离子元素的配位数为配位数的80％以上且小于配位数的100％。

公开(公告)号：US20110216582A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13040823

申请日：2011-03-04

申请人： Takayuki Tsukamoto ,  Tsukasa Nakai ,  Chikayoshi Kamata ,  Mariko Hayashi ,  Fumihiko Aiga ,  Takeshi Yamaguchi

发明人： Takayuki Tsukamoto ,  Tsukasa Nakai ,  Chikayoshi Kamata ,  Mariko Hayashi ,  Fumihiko Aiga ,  Takeshi Yamaguchi

IPC分类号： G11C11/21 ,  G11C11/34

CPC分类号： G11B9/04 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/147

摘要： According to one embodiment, an information recording and reproducing device includes a recording layer and a driving unit. The recording layer includes a first layer containing a first compound. The first compound includes a first positive ion element. The first positive ion element is made of a transition metal element and serves as a first positive ion. The second positive ion element serves as a second positive ion. The driving unit is configured to generate a phase change in the recording layer and to record information by at least one of application of a voltage and application of a current to the recording layer. The coordination number of the first positive ion element at a position of a second coordination of the second positive ion element is 80% or more and less than 100% of the coordination number when the first compound is assumed to be a perfect crystal.

摘要翻译： 根据一个实施例，信息记录和再现装置包括记录层和驱动单元。 记录层包括含有第一化合物的第一层。 第一化合物包括第一正离子元素。 第一正离子元件由过渡金属元素制成并用作第一正离子。 第二正离子元素用作第二正离子。 驱动单元被配置为在记录层中产生相变，并且通过施加电压和施加电流到记录层中的至少一个来记录信息。 当假设第一化合物为完美晶体时，第二正离子元件的第二配位位置处的第一正离子元素的配位数为配位数的80％以上且小于配位数的100％。

公开(公告)号：US08698228B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US12886202

申请日：2010-09-20

申请人： Takeshi Araki ,  Takeshi Yamaguchi ,  Mariko Hayashi ,  Kohichi Kubo ,  Takayuki Tsukamoto

发明人： Takeshi Araki ,  Takeshi Yamaguchi ,  Mariko Hayashi ,  Kohichi Kubo ,  Takayuki Tsukamoto

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B9/04 ,  G11B9/1472 ,  G11B9/149 ,  G11C11/22 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： According to one embodiment, a non-volatile memory device includes a stacked structure and a voltage application portion. The stacked structure includes a memory portion, and an electrode stacked with the memory portion and having a surface having a portion facing the memory portion. The voltage application portion applies a voltage to the memory portion to cause a change in a resistance in the memory portion to store information. The surface includes a first region and a second region. The first region contains at least one of a metallic element, Si, Ga, and As. The first region is conductive. The second region contains at least one of the metallic element, Si, Ga, and As, and has a content ratio of nonmetallic element higher than a content ratio of nonmetallic element in the first region. At least one of the first region and the second region has an anisotropic shape on the surface.

摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括堆叠结构和电压施加部分。 堆叠结构包括存储部分和与存储器部分堆叠并具有面向存储部分的部分的表面的电极。 电压施加部分向存储器部分施加电压以引起存储器部分中的电阻的变化以存储信息。 表面包括第一区域和第二区域。 第一区域包含金属元素Si，Ga和As中的至少一种。 第一个区域是导电的。 第二区域包含金属元素Si，Ga和As中的至少一种，并且具有高于第一区域中的非金属元素的含量比的非金属元素的含量比。 第一区域和第二区域中的至少一个在表面上具有各向异性的形状。

公开(公告)号：US20110073927A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12886079

申请日：2010-09-20

申请人： Takeshi ARAKI ,  Takeshi Yamaguchi ,  Mariko Hayashi ,  Kohichi Kubo ,  Takayuki Tsukamoto

发明人： Takeshi ARAKI ,  Takeshi Yamaguchi ,  Mariko Hayashi ,  Kohichi Kubo ,  Takayuki Tsukamoto

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/28

CPC分类号： G11B9/1472 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/746 ,  G11B9/04 ,  G11B9/149 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： According to one embodiment, a non-volatile memory device includes a stacked structure including a memory portion and an electrode having a surface facing the memory portion; and a voltage application portion to apply a voltage to the memory portion to change resistance. The surface includes first and second regions. The first region contains a first nonmetallic element and at least one element of a metallic element, Si, Ga, and As. The second region contains a second nonmetallic element and the at least one element. The second region has a content ratio of the second nonmetallic element higher than that in the first region. A difference in electronegativity between the second nonmetallic element and the at least one element is greater than that between the first nonmetallic element and the at least one element. At least one of the first and second regions has an anisotropic shape.

摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括堆叠结构，其包括存储器部分和具有面向存储器部分的表面的电极; 以及电压施加部分，用于向存储器部分施加电压以改变电阻。 表面包括第一和第二区域。 第一区域包含第一非金属元素和金属元素Si，Ga和As的至少一种元素。 第二区域包含第二非金属元素和至少一个元素。 第二区域的第二非金属元素的含量比率高于第一区域。 第二非金属元素与至少一种元素之间的电负性的差异大于第一非金属元素与至少一种元素之间的电负性。 第一和第二区域中的至少一个具有各向异性形状。