公开(公告)号：US06383693B1

公开(公告)日：2002-05-07

申请号：US09645082

申请日：2000-08-24

申请人： Tsiao-Chen Wu ,  Fei-Gwo Tsai

发明人： Tsiao-Chen Wu ,  Fei-Gwo Tsai

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F7/2061 ,  H05K3/064 ,  Y10S430/143

摘要： A method for forming a patterned target layer from a blanket target layer while employing a blanket photoresist layer in conjunction with an exposure method which is susceptible to a proximity effect employs when exposing the blanket photoresist layer to form an exposed blanket photoresist layer a main latent pattern and a second latent pattern adjacent the main latent pattern. Each patterned photoresist layer formed upon developing the main latent pattern is formed of a first linewidth such that not all of a first portion of the blanket target layer formed therebeneath is etched within an isotropic etchant which is employed for etching the blanket target layer to form the patterned target layer. In contrast, each patterned photoresist layer formed upon developing the second latent pattern is formed of a second linewidth such that all of a second portion of the blanket target layer formed therebeneath is etched within the isotropic etchant which is employed for etching the blanket target layer to form the patterned target layer. The method is particularly useful for efficiently forming a photomask while attenuating a proximity effect.

摘要翻译： 结合曝光方法，当曝光覆盖光致抗蚀剂层形成暴露的覆盖层光致抗蚀剂层时，从覆盖目标层形成图案化目标层的方法同时采用覆盖层光致抗蚀剂层， 以及与主潜在图案相邻的第二潜图案。 在显影主潜像之后形成的每个图案化光致抗蚀剂层由第一线宽形成，使得不是全部在其下形成的覆盖层目标层的第一部分在各向同性蚀刻剂中被蚀刻，所述各向同性蚀刻剂用于蚀刻覆盖目标层以形成 图案化目标层。 相比之下，在显影第二潜像上形成的每个图案化光致抗蚀剂层由第二线宽形成，使得在其下形成的覆盖层目标层的所有第二部分在各向同性蚀刻剂中被蚀刻，所述各向同性蚀刻剂用于将覆盖目标层蚀刻到 形成图案化目标层。 该方法对于有效地形成光掩模同时衰减邻近效应特别有用。

公开(公告)号：US08003281B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12250338

申请日：2008-10-13

申请人： Feng-Lung Lin ,  Kuan-Liang Wu ,  Che-Rong Liang ,  Fei-Gwo Tsai

发明人： Feng-Lung Lin ,  Kuan-Liang Wu ,  Che-Rong Liang ,  Fei-Gwo Tsai

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/00

摘要： A hybrid mask set for exposing a plurality of layers on a semiconductor substrate to create an integrated circuit device is disclosed. The hybrid mask set includes a first group of one or more multi-layer masks (MLMs) for a first subset of the plurality of layers. Each MLM includes a plurality of different images for different layers, the images being separated by a relatively wide image spacer. The hybrid mask set also includes a first group of one or more production-ready masks for a second subset of the plurality of layers. Each production-ready mask includes a plurality of similar images for a common layer, each image being separated by a relatively narrow scribe street.

摘要翻译： 公开了一种用于暴露半导体衬底上的多个层以形成集成电路器件的混合掩模组。 混合掩模集合包括用于多个层的第一子集的一个或多个多层掩模（MLM）的第一组。 每个MLM包括用于不同层的多个不同图像，该图像被相对较宽的图像间隔物隔开。 混合掩模集合还包括用于多个层的第二子集的第一组一个或多个生产就绪掩模。 每个生产就绪掩模包括用于公共层的多个相似图像，每个图像由相对狭窄的划线路分隔开。

公开(公告)号：US07160654B2

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：US10725810

申请日：2003-12-02

申请人： Fei-Gwo Tsai

发明人： Fei-Gwo Tsai

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F7/70633 ,  G03F7/0035

摘要： A method is provided for improving layer to layer overlay of a second layer pattern on a first layer pattern formed in a substrate. A plurality of first reference marks is placed inside a pattern area on a first layer mask which is used to form the first layer pattern. A plurality of second reference marks is placed on a second layer mask which is used to form the second layer pattern and in which one second reference mark is matched with a first reference mark having the same (x,y) coordinates. Reference mark placement in the resulting first and second layer patterns is determined by metrology to determine an x-deviation and a y-deviation for each matched pair of reference marks. A correction algorithm is then used to calculate adjustments in exposure tool settings for improved overlay of the second layer pattern on the first layer pattern in subsequent exposures.

公开(公告)号：US20050089765A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：US10694426

申请日：2003-10-27

申请人： Fei-Gwo Tsai ,  Wei-Zen Chou ,  Zong-Xian Tsai

发明人： Fei-Gwo Tsai ,  Wei-Zen Chou ,  Zong-Xian Tsai

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/14 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F1/80 ,  G03F1/36

摘要： The invention calculates an optimum etch recipe for etching a product pattern in an opaque material of a photolithographic exposure mask with the objective of achieving optimum CD performance of the product pattern. If, for this optimum etch recipe, the optimum CD performance cannot be achieved, dummy patterns are added to the mask that is used to etch the opaque material. If this latter approach still cannot achieve optimum CD performance, the product pattern to which the dummy pattern has been added is separated into two patterns such that one of these two patterns provides a Cr loading that assures optimum CD performance of the product pattern.

摘要翻译： 本发明计算用于蚀刻光刻曝光掩模的不透明材料中的产品图案的最佳蚀刻配方，目的是实现产品图案的最佳CD性能。 如果对于该最佳蚀刻配方，无法实现最佳的CD性能，则将虚拟图案添加到用于蚀刻不透明材料的掩模中。 如果后一种方法仍然不能实现最佳的CD性能，则将虚拟图案添加到其中的产品图案被分成两种图案，使得这两种图案中的一种提供了Cr加载，以确保产品图案的最佳CD性能。

公开(公告)号：US06799312B1

公开(公告)日：2004-09-28

申请号：US09584428

申请日：2000-06-05

申请人： Fei-Gwo Tsai ,  Shy-Jay Lin

发明人： Fei-Gwo Tsai ,  Shy-Jay Lin

IPC分类号： G06F1750

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764

摘要： This invention provides a method of using an electron beam exposure system having an electron beam with a variable shape to form patterns in a layer of resist on a substrate, a mask substrate or an integrated circuit wafer, while maintaining adequate critical dimension control and beam stability. This is accomplished by setting the electron beam to a fixed square beam with a width set to provide optimum XY critical dimension control for exposing a frame pattern surrounding the original pattern. The frame pattern has a width of a first distance and surrounds the outer perimeter of the original pattern. This provides optimum XY critical dimension control at the outer perimeter of the original pattern. The remainder of the exposure field, which is the exposure field with the original pattern and the frame pattern subtracted away is exposed using an electron beam having a variable size and shape. In one embodiment the exposure of the frame pattern is completed before the exposure of the remainder pattern is carried out. Alternatively, the exposure of the remainder pattern can be completed before the exposure of the frame pattern is carried out. The digital design data for the frame pattern and the remainder of the exposure field is formed using a computer processor and the original design data.

摘要翻译： 本发明提供一种使用具有可变形状的电子束的电子束曝光系统的方法，以在基板，掩模基板或集成电路晶片上的抗蚀剂层中形成图案，同时保持适当的临界尺寸控制和光束稳定性 。 这是通过将电子束设置为具有设置的宽度的固定方波来实现的，以提供用于曝光围绕原始图案的帧图案的最佳XY临界尺寸控制。 框架图案具有第一距离的宽度并且围绕原始图案的外周边。 这在原始图案的外围提供了最佳的XY临界尺寸控制。 使用具有可变尺寸和形状的电子束来曝光曝光场的剩余部分，其中原始图案和帧图案的曝光场被减去。 在一个实施例中，在执行余下图案的曝光之前完成帧图案的曝光。 或者，可以在执行帧图案的曝光之前完成余数图案的曝光。 使用计算机处理器和原始设计数据形成帧图案的数字设计数据和曝光场的其余部分。

公开(公告)号：US08624338B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13101443

申请日：2011-05-05

申请人： Fei-Gwo Tsai ,  Chwen Yu

发明人： Fei-Gwo Tsai ,  Chwen Yu

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L21/02238 ,  H01J2237/31759 ,  H01L21/0277 ,  H01L27/20

摘要： An apparatus, method for manufacturing the apparatus, and method for processing a substrate using the apparatus are disclosed. An exemplary apparatus includes a substrate having a plurality of cells, wherein each cell includes a cell structure. The cell structure includes a piezoelectric film portion and a tip disposed over the piezoelectric film portion. The tip is physically coupled with the piezoelectric film portion.

摘要翻译： 公开了一种用于制造该设备的设备，方法和使用该设备处理衬底的方法。 示例性装置包括具有多个单元的基板，其中每个单元包括单元结构。 电池结构包括压电膜部分和设置在压电膜部分上的尖端。 尖端与压电膜部分物理耦合。

公开(公告)号：US20130023121A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13188248

申请日：2011-07-21

申请人： Chwen Yu ,  Fei-Gwo Tsai ,  Kai-Wen Cheng

发明人： Chwen Yu ,  Fei-Gwo Tsai ,  Kai-Wen Cheng

IPC分类号： H01L21/306 ,  G03F7/34 ,  G03F7/16

CPC分类号： H01L21/0272 ,  G03F7/0035

摘要： Methods for patterning material layers, which may be implemented in forming integrated circuit device features, are disclosed. In an example, a method includes forming a first resist layer over a material layer; forming a second resist layer over the first resist layer; forming an opening that extends through the second resist layer and the first resist layer to expose the material layer, wherein the opening has a substantially constant width in the second resist layer and a tapered width in the first resist layer; and performing a tilt-angle deposition process to form a feature over the exposed material layer.

摘要翻译： 公开了可以在形成集成电路器件特征中实现的图案化材料层的方法。 在一个实例中，一种方法包括在材料层上形成第一抗蚀剂层; 在所述第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层; 形成延伸穿过所述第二抗蚀剂层和所述第一抗蚀剂层以暴露所述材料层的开口，其中所述开口在所述第二抗蚀剂层中具有基本上恒定的宽度，并且所述第一抗蚀剂层中具有锥形宽度; 以及进行倾斜角淀积处理以在所述暴露的材料层上形成特征。

公开(公告)号：US08202681B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US13188347

申请日：2011-07-21

申请人： Feng-Lung Lin ,  Kuan-Liang Wu ,  Che-Rong Liang ,  Fei-Gwo Tsai

发明人： Feng-Lung Lin ,  Kuan-Liang Wu ,  Che-Rong Liang ,  Fei-Gwo Tsai

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/00

摘要： A hybrid mask set for exposing a plurality of layers on a semiconductor substrate to create an integrated circuit device is disclosed. The hybrid mask set includes a first group of one or more multi-layer masks (MLMs) for a first subset of the plurality of layers. Each MLM includes a plurality of different images for different layers, the images being separated by a relatively wide image spacer. The hybrid mask set also includes a first group of one or more production-ready masks for a second subset of the plurality of layers. Each production-ready mask includes a plurality of similar images for a common layer, each image being separated by a relatively narrow scribe street.

摘要翻译： 公开了一种用于暴露半导体衬底上的多个层以形成集成电路器件的混合掩模组。 混合掩模集合包括用于多个层的第一子集的一个或多个多层掩模（MLM）的第一组。 每个MLM包括用于不同层的多个不同图像，该图像被相对较宽的图像间隔物隔开。 混合掩模集合还包括用于多个层的第二子集的第一组一个或多个生产就绪掩模。 每个生产就绪掩模包括用于公共层的多个相似图像，每个图像由相对狭窄的划线路分隔开。

公开(公告)号：US20080248404A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US11697015

申请日：2007-04-05

申请人： Chun-Lang Chen ,  Tran-Hui Shen ,  Fei-Gwo Tsai ,  Chien-Chao Huang

发明人： Chun-Lang Chen ,  Tran-Hui Shen ,  Fei-Gwo Tsai ,  Chien-Chao Huang

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/32

摘要： A method for controlling phase angle of a mask is provided. A mask comprising a substrate and an absorber is formed. A nitrogen-containing plasma treatment is performed on the mask to reduce the phase angle. Alternatively, a nitrogen-containing plasma treatment is performed on the mask, followed by a vacuum ultraviolet treatment to form a passivated layer on the mask.

摘要翻译： 提供了一种用于控制掩模的相位角的方法。 形成包括基板和吸收体的掩模。 对掩模进行含氮等离子体处理以减小相位角。 或者，对掩模进行含氮等离子体处理，然后进行真空紫外线处理，以在掩模上形成钝化层。

公开(公告)号：US07241541B2

公开(公告)日：2007-07-10

申请号：US11563837

申请日：2006-11-28

申请人： Fei-Gwo Tsai

发明人： Fei-Gwo Tsai

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F7/70633 ,  G03F7/0035

摘要： A method is provided for improving layer to layer overlay of a second layer pattern on a first layer pattern formed in a substrate. A plurality of first reference marks is placed inside a pattern area on a first layer mask which is used to form the first layer pattern. A plurality of second reference marks is placed on a second layer mask which is used to form the second layer pattern and in which one second reference mark is matched with a first reference mark having the same (x,y) coordinates. Reference mark placement in the resulting first and second layer patterns is determined by metrology to determine an x-deviation and a y-deviation for each matched pair of reference marks. A correction algorithm is then used to calculate adjustments in exposure tool settings for improved overlay of the second layer pattern on the first layer pattern in subsequent exposures.

摘要翻译： 提供了一种用于改善在衬底中形成的第一层图案上的第二层图案的层间覆盖的方法。 将多个第一参考标记放置在用于形成第一层图案的第一层掩模上的图案区域内。 将多个第二参考标记放置在用于形成第二层图案的第二层掩模中，并且其中一个第二参考标记与具有相同（x，y）坐标的第一参考标记匹配。 所得到的第一层和第二层图案中的参考标记放置由计量确定，以确定每个匹配的参考标记对的x偏差和y偏差。 然后使用校正算法来计算曝光工具设置中的调整，以改善随后曝光中第一层图案上的第二层图案的覆盖。