公开(公告)号：US20120161158A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13394640

申请日：2011-06-17

申请人： Tsutomu Hori ,  Shin Harada ,  Hiroki Inoue ,  Makoto Sasaki ,  Satomi Itoh ,  Kyoko Okita ,  Yasuo Namikawa

发明人： Tsutomu Hori ,  Shin Harada ,  Hiroki Inoue ,  Makoto Sasaki ,  Satomi Itoh ,  Kyoko Okita ,  Yasuo Namikawa

IPC分类号： H01L29/161

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： A first silicon carbide substrate has a first backside surface connected to a supporting portion, a first front-side surface opposite to the first backside surface, and a first side surface connecting the first backside surface and the first front-side surface to each other. A second silicon carbide substrate has a second backside surface connected to the supporting portion, a second front-side surface opposite to the second backside surface, and a second side surface connecting the second backside surface and the second front-side surface to each other and forming a gap between the first side surface and the second side surface. A closing portion closes the gap. Thereby, foreign matters can be prevented from remaining in a gap between a plurality of silicon carbide substrates provided in a combined substrate.

摘要翻译： 第一碳化硅衬底具有连接到支撑部分的第一背面，与第一背面相对的第一前侧表面和将第一背面和第一前侧表面相互连接的第一侧表面。 第二碳化硅衬底具有连接到支撑部分的第二背面，与第二背面相对的第二前侧表面，以及将第二背面和第二前侧表面彼此连接的第二侧表面， 在第一侧表面和第二侧表面之间形成间隙。 闭合部分闭合间隙。 由此，可以防止异物残留在组合基板中设置的多个碳化硅基板之间的间隙中。

公开(公告)号：US20120276715A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13395795

申请日：2011-06-17

申请人： Tsutomu Hori ,  Shin Harada ,  Makoto Sasaki ,  Hiroki Inoue ,  Kyoko Okita ,  Yasuo Namikawa ,  Satomi Itoh

发明人： Tsutomu Hori ,  Shin Harada ,  Makoto Sasaki ,  Hiroki Inoue ,  Kyoko Okita ,  Yasuo Namikawa ,  Satomi Itoh

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A connected substrate having a supporting portion and first and second silicon carbide substrates is prepared. The first silicon carbide substrate has a first backside surface connected to the supporting portion, a first front-side surface, and a first side surface connecting the first backside surface and the first front-side surface to each other. The second silicon carbide substrate has a second backside surface connected to the supporting portion, a second front-side surface, and a second side surface connecting the second backside surface and the second front-side surface to each other and forming a gap between the first side surface and the second side surface. A filling portion for filling the gap is formed. Then, the first and second front-side surfaces are polished. Then, the filling portion is removed. Then, a closing portion for closing the gap is formed.

摘要翻译： 制备具有支撑部分和第一和第二碳化硅衬底的连接衬底。 第一碳化硅衬底具有连接到支撑部分的第一背面，第一前侧表面和将第一背面和第一前侧表面相互连接的第一侧面。 第二碳化硅衬底具有连接到支撑部分的第二背侧表面，第二前侧表面和将第二背面和第二前侧表面彼此连接并在第一前侧面之间形成间隙的第二侧表面 侧表面和第二侧表面。 形成用于填充间隙的填充部分。 然后，对第一和第二前表面进行抛光。 然后，将填充部分移除。 然后，形成用于封闭间隙的封闭部分。

公开(公告)号：US20120273800A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13395494

申请日：2011-06-17

申请人： Tsutomu Hori ,  Shin Harada ,  Hiroki Inoue ,  Makoto Sasaki ,  Satomi Itoh ,  Yasuo Namikawa

发明人： Tsutomu Hori ,  Shin Harada ,  Hiroki Inoue ,  Makoto Sasaki ,  Satomi Itoh ,  Yasuo Namikawa

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： A first vertex of a first single-crystal silicon carbide substrate and a second vertex of a second single-crystal silicon carbide substrate abut each other such that a first side of the first single-crystal silicon carbide substrate and a second side of the second single-crystal silicon carbide substrate are aligned. In addition, at least a part of the first side and at least a part of the second side abut on a third side of a third single-crystal silicon carbide substrate. Thus, in manufacturing a semiconductor device including a composite substrate, process fluctuations caused by a gap between the single-crystal silicon carbide substrates can be suppressed.

摘要翻译： 第一单晶碳化硅衬底的第一顶点和第二单晶碳化硅衬底的第二顶点彼此邻接，使得第一单晶碳化硅衬底的第一侧和第二单晶碳化硅衬底的第二侧 - 晶体碳化硅衬底被对准。 此外，第一侧的至少一部分和第二侧的至少一部分与第三单晶碳化硅基板的第三面邻接。 因此，在制造包括复合衬底的半导体器件时，可以抑制由单晶碳化硅衬底之间的间隙引起的工艺波动。

公开(公告)号：US08969103B2

公开(公告)日：2015-03-03

申请号：US13807197

申请日：2011-07-06

申请人： Makoto Sasaki ,  Shin Harada ,  Satomi Itoh ,  Kyoko Okita

发明人： Makoto Sasaki ,  Shin Harada ,  Satomi Itoh ,  Kyoko Okita

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/04 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  Y10S438/931

摘要： A silicon carbide substrate is made of silicon carbide. In the silicon carbide substrate, a normal line of one main surface of the silicon carbide substrate and a normal line of a {03-38} plane form an angle of 0.5° or smaller in an orthogonal projection to a plane including a direction and a direction. In this way, there can be provided the silicon carbide substrate allowing for both improvement of channel mobility of a semiconductor device and stable characteristics thereof.

摘要翻译： 碳化硅衬底由碳化硅制成。 在碳化硅衬底中，碳化硅衬底的一个主表面的法线和{03-38}面的法线在垂直投影中形成0.5°或更小的角度，该平面包括<01- 10>方向和<0001>方向。 以这种方式，可以提供碳化硅衬底，其允许改善半导体器件的沟道迁移率和其稳定特性。

公开(公告)号：US20130109110A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13807197

申请日：2011-07-06

申请人： Makoto Sasaki ,  Shin Harada ,  Satomi Itoh ,  Kyoko Okita

发明人： Makoto Sasaki ,  Shin Harada ,  Satomi Itoh ,  Kyoko Okita

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  Y10S438/931

摘要： A silicon carbide substrate is made of silicon carbide. In the silicon carbide substrate, a normal line of one main surface of the silicon carbide substrate and a normal line of a {03-38} plane form an angle of 0.5° or smaller in an orthogonal projection to a plane including a direction and a direction. In this way, there can be provided the silicon carbide substrate allowing for both improvement of channel mobility of a semiconductor device and stable characteristics thereof.

摘要翻译： 碳化硅衬底由碳化硅制成。 在碳化硅衬底中，碳化硅衬底的一个主表面的法线和{03-38}面的法线在垂直投影中形成0.5°或更小的角度，该平面包括<01- 10>方向和<0001>方向。 以这种方式，可以提供碳化硅衬底，其允许改善半导体器件的沟道迁移率和其稳定特性。

公开(公告)号：US20110284871A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US13110547

申请日：2011-05-18

申请人： Shin HARADA ,  Makoto Sasaki ,  Satomi Itoh

发明人： Shin HARADA ,  Makoto Sasaki ,  Satomi Itoh

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： A silicon carbide substrate includes a base layer made of silicon carbide, an SiC layer made of single crystal silicon carbide, arranged on the base layer, and having a concentration of inevitable impurities lower than the concentration of inevitable impurities in the base layer, and a cover layer made of silicon carbide, formed on a main surface of the base layer at a side opposite to the SiC layer, and having a concentration of inevitable impurities lower than the concentration of inevitable impurities in the base layer.

摘要翻译： 碳化硅衬底包括由碳化硅制成的基底层，由单晶碳化硅制成的SiC层，布置在基底层上，并且具有低于基底层中不可避免的杂质浓度的不可避免的杂质浓度，以及 由碳化硅制成的覆盖层形成在与SiC层相反的一侧的基底层的主表面上，并且具有低于基底层中不可避免的杂质浓度的不可避免的杂质浓度。

公开(公告)号：US20120168774A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13395768

申请日：2011-05-19

申请人： Takeyoshi Masuda ,  Satomi Itoh ,  Shin Harada ,  Makoto Sasaki

发明人： Takeyoshi Masuda ,  Satomi Itoh ,  Shin Harada ,  Makoto Sasaki

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/187 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L29/1608

摘要： A silicon carbide substrate and a method for manufacturing the silicon carbide substrate are obtained, each of which achieves reduced manufacturing cost of semiconductor devices using the silicon carbide substrate. A method for manufacturing a SiC-combined substrate includes the steps of: preparing a plurality of single-crystal bodies each made of silicon carbide (SiC); forming a collected body; connecting the single-crystal bodies to each other; and slicing the collected body. In the step, the plurality of SiC single-crystal ingots are arranged with a silicon (Si) containing Si layer interposed therebetween, so as to form the collected body including the single-crystal bodies. In the step, adjacent SiC single-crystal ingots are connected to each other via at least a portion of the Si layer, the portion being formed into silicon carbide by heating the collected body. In step, the collected body in which the SiC single-crystal ingots are connected to each other is sliced.

摘要翻译： 获得碳化硅基板和制造碳化硅基板的方法，其中的每一个都降低了使用碳化硅基板的半导体器件的制造成本。 SiC复合衬底的制造方法包括以下步骤：制备由碳化硅（SiC）制成的多个单晶体; 形成收集体; 将单晶体体彼此连接; 并切片收集的身体。 在该步骤中，多个SiC单晶锭被布置成包含硅（Si）的Si层，以形成包括单晶体的收集体。 在该步骤中，相邻的SiC单晶锭通过Si层的至少一部分彼此连接，该部分通过加热收集体而形成为碳化硅。 在步骤中，将SiC单晶锭彼此连接的收集体切片。

公开(公告)号：US20120208302A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13502991

申请日：2011-02-25

申请人： Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi ,  Yasuo Namikawa ,  Keiji Wada ,  Mitsuru Shimazu ,  Toru Hiyoshi

发明人： Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi ,  Yasuo Namikawa ,  Keiji Wada ,  Mitsuru Shimazu ,  Toru Hiyoshi

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

摘要： There is provided a method for manufacturing a SiC semiconductor device achieving improved performance. The method for manufacturing the SiC semiconductor device includes the following steps. That is, a SiC semiconductor is prepared which has a first surface having at least a portion into which impurities are implanted. By cleaning the first surface of the SiC semiconductor, a second surface is formed. On the second surface, a Si-containing film is formed. By oxidizing the Si-containing film, an oxide film constituting the SiC semiconductor device is formed.

摘要翻译： 提供了一种制造提高性能的SiC半导体器件的方法。 SiC半导体器件的制造方法包括以下步骤。 也就是说，制备具有至少一部分注入有杂质的第一表面的SiC半导体。 通过清洗SiC半导体的第一表面，形成第二表面。 在第二表面上形成含Si膜。 通过氧化含Si膜，形成构成SiC半导体器件的氧化物膜。

公开(公告)号：US08642476B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US13502991

申请日：2011-02-25

申请人： Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi ,  Yasuo Namikawa ,  Keiji Wada ,  Mitsuru Shimazu ,  Toru Hiyoshi

发明人： Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi ,  Yasuo Namikawa ,  Keiji Wada ,  Mitsuru Shimazu ,  Toru Hiyoshi

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

摘要： There is provided a method for manufacturing a SiC semiconductor device achieving improved performance. The method for manufacturing the SiC semiconductor device includes the following steps. That is, a SiC semiconductor is prepared which has a first surface having at least a portion into which impurities are implanted. By cleaning the first surface of the SiC semiconductor, a second surface is formed. On the second surface, a Si-containing film is formed. By oxidizing the Si-containing film, an oxide film constituting the SiC semiconductor device is formed.

摘要翻译： 提供了一种制造提高性能的SiC半导体器件的方法。 SiC半导体器件的制造方法包括以下步骤。 也就是说，制备具有至少一部分注入有杂质的第一表面的SiC半导体。 通过清洗SiC半导体的第一表面，形成第二表面。 在第二表面上形成含Si膜。 通过氧化含Si膜，形成构成SiC半导体器件的氧化物膜。

公开(公告)号：US20120214309A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13503964

申请日：2011-02-23

申请人： Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi ,  Yasuo Namikawa ,  Keiji Wada ,  Mitsuru Shimazu ,  Toru Hiyoshi

发明人： Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi ,  Yasuo Namikawa ,  Keiji Wada ,  Mitsuru Shimazu ,  Toru Hiyoshi

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/046 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： A method of fabricating a SiC semiconductor device includes the steps of preparing a silicon carbide semiconductor including a first surface having impurities implanted at least partially, forming a second surface by dry etching the first surface of the silicon carbide semiconductor using gas including hydrogen gas, and forming an oxide film constituting the silicon carbide semiconductor device on the second surface.

摘要翻译： 一种制造SiC半导体器件的方法包括以下步骤：制备碳化硅半导体，其包括具有至少部分注入的杂质的第一表面，通过使用包含氢气的气体干蚀刻碳化硅半导体的第一表面，形成第二表面;以及 在第二表面上形成构成碳化硅半导体器件的氧化膜。