公开(公告)号：US20120208302A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13502991

申请日：2011-02-25

申请人： Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi ,  Yasuo Namikawa ,  Keiji Wada ,  Mitsuru Shimazu ,  Toru Hiyoshi

发明人： Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi ,  Yasuo Namikawa ,  Keiji Wada ,  Mitsuru Shimazu ,  Toru Hiyoshi

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

摘要： There is provided a method for manufacturing a SiC semiconductor device achieving improved performance. The method for manufacturing the SiC semiconductor device includes the following steps. That is, a SiC semiconductor is prepared which has a first surface having at least a portion into which impurities are implanted. By cleaning the first surface of the SiC semiconductor, a second surface is formed. On the second surface, a Si-containing film is formed. By oxidizing the Si-containing film, an oxide film constituting the SiC semiconductor device is formed.

摘要翻译： 提供了一种制造提高性能的SiC半导体器件的方法。 SiC半导体器件的制造方法包括以下步骤。 也就是说，制备具有至少一部分注入有杂质的第一表面的SiC半导体。 通过清洗SiC半导体的第一表面，形成第二表面。 在第二表面上形成含Si膜。 通过氧化含Si膜，形成构成SiC半导体器件的氧化物膜。

公开(公告)号：US08642476B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US13502991

申请日：2011-02-25

申请人： Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi ,  Yasuo Namikawa ,  Keiji Wada ,  Mitsuru Shimazu ,  Toru Hiyoshi

发明人： Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi ,  Yasuo Namikawa ,  Keiji Wada ,  Mitsuru Shimazu ,  Toru Hiyoshi

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

摘要： There is provided a method for manufacturing a SiC semiconductor device achieving improved performance. The method for manufacturing the SiC semiconductor device includes the following steps. That is, a SiC semiconductor is prepared which has a first surface having at least a portion into which impurities are implanted. By cleaning the first surface of the SiC semiconductor, a second surface is formed. On the second surface, a Si-containing film is formed. By oxidizing the Si-containing film, an oxide film constituting the SiC semiconductor device is formed.

摘要翻译： 提供了一种制造提高性能的SiC半导体器件的方法。 SiC半导体器件的制造方法包括以下步骤。 也就是说，制备具有至少一部分注入有杂质的第一表面的SiC半导体。 通过清洗SiC半导体的第一表面，形成第二表面。 在第二表面上形成含Si膜。 通过氧化含Si膜，形成构成SiC半导体器件的氧化物膜。

公开(公告)号：US20120214309A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13503964

申请日：2011-02-23

申请人： Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi ,  Yasuo Namikawa ,  Keiji Wada ,  Mitsuru Shimazu ,  Toru Hiyoshi

发明人： Satomi Itoh ,  Hiromu Shiomi ,  Yasuo Namikawa ,  Keiji Wada ,  Mitsuru Shimazu ,  Toru Hiyoshi

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/046 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： A method of fabricating a SiC semiconductor device includes the steps of preparing a silicon carbide semiconductor including a first surface having impurities implanted at least partially, forming a second surface by dry etching the first surface of the silicon carbide semiconductor using gas including hydrogen gas, and forming an oxide film constituting the silicon carbide semiconductor device on the second surface.

摘要翻译： 一种制造SiC半导体器件的方法包括以下步骤：制备碳化硅半导体，其包括具有至少部分注入的杂质的第一表面，通过使用包含氢气的气体干蚀刻碳化硅半导体的第一表面，形成第二表面;以及 在第二表面上形成构成碳化硅半导体器件的氧化膜。

公开(公告)号：US5970314A

公开(公告)日：1999-10-19

申请号：US823237

申请日：1997-03-24

申请人： Takuji Okahisa ,  Mitsuru Shimazu ,  Masato Matsushima ,  Yoshiki Miura ,  Kensaku Motoki ,  Hisashi Seki ,  Akinori Koukitu

发明人： Takuji Okahisa ,  Mitsuru Shimazu ,  Masato Matsushima ,  Yoshiki Miura ,  Kensaku Motoki ,  Hisashi Seki ,  Akinori Koukitu

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/34 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01L21/00 ,  C30B25/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L33/0075

摘要： A process for forming a high quality epitaxial compound semiconductor layer of indium gallium nitride In.sub.x Ga.sub.1-x N, (where 0

摘要翻译： 在衬底上形成氮化铟镓In x Ga 1-x N（其中0

公开(公告)号：US5962875A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：US56519

申请日：1998-04-07

申请人： Kensaku Motoki ,  Mitsuru Shimazu ,  Yoshiki Miura

发明人： Kensaku Motoki ,  Mitsuru Shimazu ,  Yoshiki Miura

IPC分类号： C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  Y10S148/113

摘要： A light emitting device having higher blue luminance is obtained. A gallium nitride compound layer is formed on a GaAs substrate, and thereafter the GaAs substrate is at least partially removed for forming the light emitting device. Due to the removal of the GaAs substrate, the quantity of light absorption is reduced as compared with the case of leaving the overall GaAs substrate. Thus, a light emitting device having high blue luminance is obtained.

摘要翻译： 获得具有较高蓝色亮度的发光器件。 在GaAs衬底上形成氮化镓化合物层，然后至少部分地除去GaAs衬底以形成发光器件。 由于去除GaAs衬底，与离开整个GaAs衬底的情况相比，光吸收量减少。 因此，获得了具有高蓝色亮度的发光器件。

公开(公告)号：US06387722B1

公开(公告)日：2002-05-14

申请号：US09578704

申请日：2000-05-26

申请人： Kensaku Motoki ,  Masato Matsushima ,  Katsushi Akita ,  Mitsuru Shimazu ,  Kikurou Takemoto ,  Hisashi Seki ,  Akinori Koukitu

发明人： Kensaku Motoki ,  Masato Matsushima ,  Katsushi Akita ,  Mitsuru Shimazu ,  Kikurou Takemoto ,  Hisashi Seki ,  Akinori Koukitu

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

摘要： The present invention provides an epitaxial wafer comprising a (111) substrate of a semiconductor having cubic crystal structure, a first GaN layer having a thickness of 60 nanometers or more, a second GaN layer having a thickness of 0.1 &mgr;m or more and a method for preparing it.

摘要翻译： 本发明提供一种外延晶片，其包括具有立方晶体结构的半导体的（111）基板，厚度为60纳米以上的第一GaN层，厚度为0.1μm以上的第二GaN层，以及 做好准备

公开(公告)号：US06270587B1

公开(公告)日：2001-08-07

申请号：US09041109

申请日：1998-03-12

申请人： Kensaku Motoki ,  Masato Matsushima ,  Katsushi Akita ,  Mitsuru Shimazu ,  Kikurou Takemoto ,  Hisashi Seki ,  Akinori Koukitu

发明人： Kensaku Motoki ,  Masato Matsushima ,  Katsushi Akita ,  Mitsuru Shimazu ,  Kikurou Takemoto ,  Hisashi Seki ,  Akinori Koukitu

IPC分类号： H01L2912

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

摘要： The present invention provides an epitaxial wafer comprising a (111) substrate of a semiconductor having cubic crystal structure, a first GaN layer having a thickness of 60 nanometers or more, a second GaN layer having a thickness of 0.1 &mgr;m or more and a method for preparing it.

摘要翻译： 本发明提供一种外延晶片，其包括具有立方晶体结构的半导体的（111）基板，厚度为60纳米以上的第一GaN层，厚度为0.1μm以上的第二GaN层，以及 做好准备

公开(公告)号：US6122170A

公开(公告)日：2000-09-19

申请号：US343167

申请日：1999-06-29

申请人： Yoshiyuki Hirose ,  Kazutaka Sasaki ,  Mitsuru Shimazu ,  Hirohiko Nakata

发明人： Yoshiyuki Hirose ,  Kazutaka Sasaki ,  Mitsuru Shimazu ,  Hirohiko Nakata

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/373 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K7/20

CPC分类号： H01L23/5386 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/634 ,  C04B37/026 ,  H01L23/13 ,  H01L25/072 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/555 ,  C04B2237/72 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055

摘要： A ceramic base plate of aluminum nitride ceramics, for example, as a power module board has a metal layer on a surface of the ceramic base plate at a fixing portion at which the ceramic base plate is fixed onto a heat radiating plate. Further, a metal film is provided entirely on the rear surface of the ceramic base plate. An IGBT chip or the like is fixed onto the ceramic base plate with a conductive layer interposed therebetween, to form a power module board. Therefore, it is possible to avoid the generation of cracks when the ceramic base plate is mechanically fixed onto the heat radiating plate without using solder, and heat radiation from the ceramic base plate to the heat radiating plate can be improved.

摘要翻译： 作为功​​率模块基板的氮化铝陶瓷的陶瓷基板在陶瓷基板的固定部分具有在陶瓷基板的表面上固定有散热板的金属层。 此外，金属膜整体设置在陶瓷基板的后表面上。 IGBT导体等固定在陶瓷基板上，形成电源模块基板。 因此，在不使用焊锡的情况下将陶瓷基板机械地固定在散热板上时，可以避免产生裂缝，能够提高从陶瓷基板向散热板的散热。

公开(公告)号：US6031252A

公开(公告)日：2000-02-29

申请号：US705330

申请日：1996-08-29

申请人： Yoshiki Miura ,  Mitsuru Shimazu ,  Kensaku Motoki ,  Takuji Okahisa ,  Masato Matsushima ,  Hisashi Seki ,  Akinori Koukitu

发明人： Yoshiki Miura ,  Mitsuru Shimazu ,  Kensaku Motoki ,  Takuji Okahisa ,  Masato Matsushima ,  Hisashi Seki ,  Akinori Koukitu

IPC分类号： C30B29/40 ,  H01L21/20 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： An epitaxial wafer enabling epitaxial growth at a high temperature includes a compound semiconductor substrate containing As or P, and a covering layer including GaN; or InN; or AlN; or a nitride mixed-crystalline material containing Al, Ga, In and N. The covering layer covers at least a front surface and a back surface of the substrate. A method of preparing such an epitaxial wafer including steps of growing the covering layer at a growth temperature of at least 300.degree. C. and less than 800.degree. C. so as to cover at least the front and back surfaces of the substrate, and then annealing the substrate having the covering thereon layer at a temperature of at least 700.degree. C. and less than 1200.degree. C.

摘要翻译： 能够在高温下进行外延生长的外延晶片包括含有As或P的化合物半导体衬底和包括GaN的覆盖层; 或InN; 或AlN; 或包含Al，Ga，In和N的氮化物混晶材料。覆盖层至少覆盖基板的前表面和后表面。 一种制备这样的外延晶片的方法，包括以下步骤：在至少300℃和小于800℃的生长温度下生长覆盖层，以便至少覆盖基材的前表面和后表面，然后 在其上具有覆盖层的基板在至少700℃且小于1200℃的温度下退火。

公开(公告)号：US5834325A

公开(公告)日：1998-11-10

申请号：US864417

申请日：1997-05-28

申请人： Kensaku Motoki ,  Mitsuru Shimazu ,  Yoshiki Miura

发明人： Kensaku Motoki ,  Mitsuru Shimazu ,  Yoshiki Miura

IPC分类号： C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  Y10S148/113

摘要： A light emitting device having higher blue luminance is obtained. A gallium nitride compound layer is formed on a GaAs substrate, and thereafter the GaAs substrate is at least partially removed for forming the light emitting device. Due to the removal of the GaAs substrate, the quantity of light absorption is reduced as compared with the case of leaving the overall GaAs substrate. Thus, a light emitting device having high blue luminance is obtained.