公开(公告)号：US07468560B2

公开(公告)日：2008-12-23

申请号：US11335125

申请日：2006-01-19

申请人： Volker Guengerich ,  Horst Theuss

发明人： Volker Guengerich ,  Horst Theuss

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/50 ,  H01L23/66 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45033 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45573 ,  H01L2224/45686 ,  H01L2224/45688 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/86205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0243 ,  H05K3/341 ,  H05K2201/09472 ,  H05K2201/09809 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2201/10356 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83205

摘要： A semiconductor device with micro connecting elements and method for producing the same disclosed. In one embodiment, the semiconductor device includes a number of micro connecting elements for the high-frequency coupling of components of the semiconductor device. The micro connecting elements have an at least three-layered structural form with a first layer of conducting material, a second layer of insulating material and a third layer of conducting material. In this configuration, the first and third layers and extend along a common center line and shield one another against electromagnetic interference fields. The first and third layers and are fixed on correspondingly adapted pairs of contact terminal areas of the components.

摘要翻译： 具有微连接元件的半导体器件及其制造方法。 在一个实施例中，半导体器件包括用于半导体器件的部件的高频耦合的多个微连接元件。 微连接元件具有至少三层结构形式，其具有第一层导电材料，第二层绝缘材料和第三层导电材料。 在该配置中，第一和第三层沿公共中心线延伸并相互屏蔽电磁干扰场。 第一和第三层并且固定在部件的相应适应的接触端子区域对上。

公开(公告)号：US20060185892A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11335125

申请日：2006-01-19

申请人： Volker Guengerich ,  Horst Theuss

发明人： Volker Guengerich ,  Horst Theuss

IPC分类号： H05K1/16

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/50 ,  H01L23/66 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45033 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45573 ,  H01L2224/45686 ,  H01L2224/45688 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/86205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0243 ,  H05K3/341 ,  H05K2201/09472 ,  H05K2201/09809 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2201/10356 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83205

摘要： A semiconductor device with micro connecting elements and method for producing the same disclosed. In one embodiment, the semiconductor device includes a number of micro connecting elements for the high-frequency coupling of components of the semiconductor device. The micro connecting elements have an at least three-layered structural form with a first layer of conducting material, a second layer of insulating material and a third layer of conducting material. In this configuration, the first and third layers and extend along a common center line and shield one another against electromagnetic interference fields. The first and third layers and are fixed on correspondingly adapted pairs of contact terminal areas of the components.

摘要翻译： 具有微连接元件的半导体器件及其制造方法。 在一个实施例中，半导体器件包括用于半导体器件的部件的高频耦合的多个微连接元件。 微连接元件具有至少三层结构形式，其具有第一层导电材料，第二层绝缘材料和第三层导电材料。 在该配置中，第一和第三层沿公共中心线延伸并相互屏蔽电磁干扰场。 第一和第三层并且固定在部件的相应适应的接触端子区域对上。

公开(公告)号：US20060175691A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11351933

申请日：2006-02-09

申请人： Jochen Dangelmaier ,  Donald Fowlkes ,  Volker Guengerich ,  Henrik Hoyer

发明人： Jochen Dangelmaier ,  Donald Fowlkes ,  Volker Guengerich ,  Henrik Hoyer

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49861 ,  H01L23/047 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device (7) has gold coatings (1 to 5) which are applied to metallic or ceramic components (6) of the semiconductor device (7). The gold coatings (1 to 4) have a multifunctional multilayer metal coating (8) with a minimal gold layer (9). The gold layer has a thickness dG where dG≦0.5 μm. Moreover, at least one metallic interlayer (10) is arranged between the gold layer (9) and the metallic or ceramic components (6).

摘要翻译： 半导体器件（7）具有施加到半导体器件（7）的金属或陶瓷部件（6）的金涂层（1至5）。 金涂层（1至4）具有多金属多层金属涂层（8），最小金层（9）。 金层具有厚度d G G，其中d G <=0.5μm。 而且，在金层（9）和金属或陶瓷部件（6）之间至少设有一个金属中间层（10）。

公开(公告)号：US07911041B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US11351933

申请日：2006-02-09

申请人： Jochen Dangelmaier ,  Donald Fowlkes ,  Volker Guengerich ,  Henrik Hoyer

发明人： Jochen Dangelmaier ,  Donald Fowlkes ,  Volker Guengerich ,  Henrik Hoyer

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49861 ,  H01L23/047 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device (7) has gold coatings (1 to 5) which are applied to metallic or ceramic components (6) of the semiconductor device (7). The gold coatings (1 to 4) have a multifunctional multilayer metal coating (8) with a minimal gold layer (9). The gold layer has a thickness dG where dG≦0.5 μm. Moreover, at least one metallic interlayer (10) is arranged between the gold layer (9) and the metallic or ceramic components (6).

摘要翻译： 半导体器件（7）具有施加到半导体器件（7）的金属或陶瓷部件（6）的金涂层（1至5）。 金涂层（1至4）具有多金属多层金属涂层（8），最小金层（9）。 金层的厚度dG，其中dG＆nlE;0.5μm。 而且，在金层（9）和金属或陶瓷部件（6）之间至少设有一个金属中间层（10）。