公开(公告)号：US20090315970A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12439898

申请日：2006-09-22

申请人： Wataru Hasegawa ,  Toshiyuki Kaneko ,  Takashi Nakamura ,  Tetsuya Hayashi

发明人： Wataru Hasegawa ,  Toshiyuki Kaneko ,  Takashi Nakamura ,  Tetsuya Hayashi

IPC分类号： B41J2/435

CPC分类号： B41J3/4071 ,  B41J2/442 ,  G11B7/0037

摘要： A drawing apparatus (1) is provided with: a drawing device (13) for drawing a predetermined pattern onto a label surface (120), which is provided for a recording medium (100), by irradiating the label surface with a laser beam (LB); a driving device (15) for driving the drawing device along the label surface; a voltage applying device (17) for applying each of a first voltage and a second voltage for driving the driving device, to the driving device; and a controlling device (31) for controlling the voltage applying device such that the first voltage and the second voltage have a same polarity and amplitude when the drawing device is located at an initial position corresponding to a position at which the drawing of the desired pattern is started with respect to the label surface.

摘要翻译： 一种绘图装置（1）具有：用于通过用激光束照射标签表面来将预定图案拉伸到设置在记录介质（100）上的标签表面（120）上的绘图装置（13） 磅）; 用于沿着所述标签表面驱动所述绘制装置的驱动装置（15）; 用于将驱动装置驱动的第一电压和第二电压各自施加到驱动装置的电压施加装置（17） 以及控制装置（31），用于控制电压施加装置，使得当绘图装置位于与所需图案的绘制位置相对应的初始位置时，第一电压和第二电压具有相同的极性和幅度 相对于标签表面开始。

公开(公告)号：US08094176B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US12439898

申请日：2006-09-22

申请人： Wataru Hasegawa ,  Toshiyuki Kaneko ,  Takashi Nakamura ,  Tetsuya Hayashi

发明人： Wataru Hasegawa ,  Toshiyuki Kaneko ,  Takashi Nakamura ,  Tetsuya Hayashi

IPC分类号： B41J2/435 ,  G11B5/09

CPC分类号： B41J3/4071 ,  B41J2/442 ,  G11B7/0037

摘要： A plotting device (1) includes: plotting means (13) for plotting a desired pattern onto a label plane by applying a laser beam (LB) to the label plane (120) of a recording medium (100); drive means (15) for driving the plotting means along the label plane; voltage application means (17) for applying a first voltage and a second voltage for driving the drive means to the drive means; and control means (31) for controlling the voltage application means so that the first voltage and the second voltage have the same polarity and amplitude when the plotting means is positioned at the initial position corresponding to the position where plotting of the desired pattern onto the label plane is to be started.

摘要翻译： 绘图装置（1）包括：绘制装置（13），用于通过将激光束（LB）施加到记录介质（100）的标签平面（120）上来将期望的图案绘制到标签平面上; 驱动装置（15），用于沿标签平面驱动绘图装置; 电压施加装置（17），用于施加用于驱动驱动装置的驱动装置的第一电压和第二电压; 以及控制装置（31），用于控制电压施加装置，使得当绘图装置位于与将所需图案绘制到标签上的位置相对应的初始位置时，第一电压和第二电压具有相同的极性和幅度 飞机要开始了。

公开(公告)号：US09048103B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US11988305

申请日：2006-06-26

申请人： Yoshio Shimoida ,  Hideaki Tanaka ,  Tetsuya Hayashi ,  Masakatsu Hoshi ,  Shigeharu Yamagami ,  Noriaki Kawamoto ,  Takayuki Kitou ,  Mineo Miura ,  Takashi Nakamura

发明人： Yoshio Shimoida ,  Hideaki Tanaka ,  Tetsuya Hayashi ,  Masakatsu Hoshi ,  Shigeharu Yamagami ,  Noriaki Kawamoto ,  Takayuki Kitou ,  Mineo Miura ,  Takashi Nakamura

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/78 ,  H01L21/04 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7828

摘要： A method for producing a semiconductor device (20) is disclosed. The semiconductor device (20) includes: 1) a semiconductor substrate (1, 2), 2) a hetero semiconductor area (3) configured to contact a first main face (1A) of the semiconductor substrate (1, 2) and different from the semiconductor substrate (1, 2) in band gap, 3) a gate electrode (7) contacting, via a gate insulating film (6), a part of a junction part (13) between the hetero semiconductor area (3) and the semiconductor substrate (1, 2), 4) a source electrode (8) configured to connect to the hetero semiconductor area (3), and 5) a drain electrode (9) configured to make an ohmic connection with the semiconductor substrate (1, 2). The method includes the following sequential operations: i) forming the gate insulating film (6); and ii) nitriding the gate insulating film (6).

摘要翻译： 公开了一种用于制造半导体器件（20）的方法。 半导体器件（20）包括：1）半导体衬底（1,2），2）异质半导体区域（3），被配置为接触半导体衬底（1,2）的第一主面（1A） 所述半导体衬底（1,2）具有带隙，3）栅极电极（7）经由栅极绝缘膜（6）与所述异质半导体区域（3）之间的接合部分（13）的一部分 半导体衬底（1,2），4）构造成连接到所述异质半导体区域（3）的源电极（8），以及5）被配置为与所述半导体衬底（1,2）形成欧姆连接的漏电极（9） 2）。 该方法包括以下顺序操作：i）形成栅绝缘膜（6）; 和ii）氮化所述栅极绝缘膜（6）。

公开(公告)号：US20090026497A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US11988305

申请日：2006-06-26

申请人： Yoshio Shimoida ,  Hideaki Tanaka ,  Tetsuya Hayashi ,  Masakatsu Hoshi ,  Shigeharu Yamagami ,  Noriaki Kawamoto ,  Takayuki Kitou ,  Mineo Miura ,  Takashi Nakamura

发明人： Yoshio Shimoida ,  Hideaki Tanaka ,  Tetsuya Hayashi ,  Masakatsu Hoshi ,  Shigeharu Yamagami ,  Noriaki Kawamoto ,  Takayuki Kitou ,  Mineo Miura ,  Takashi Nakamura

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7828

摘要： A method for producing a semiconductor device (20) is disclosed. The semiconductor device (20) includes: 1) a semiconductor substrate (1, 2), 2) a hetero semiconductor area (3) configured to contact a first main face (1A) of the semiconductor substrate (1, 2) and different from the semiconductor substrate (1, 2) in band gap, 3) a gate electrode (7) contacting, via a gate insulating film (6), a part of a junction part (13) between the hetero semiconductor area (3) and the semiconductor substrate (1, 2), 4) a source electrode (8) configured to connect to the hetero semiconductor area (3), and 5) a drain electrode (9) configured to make an ohmic connection with the semiconductor substrate (1, 2). The method includes the following sequential operations: i) forming the gate insulating film (6); and ii) nitriding the gate insulating film (6).

摘要翻译： 公开了一种用于制造半导体器件（20）的方法。 半导体器件（20）包括：1）半导体衬底（1,2），2）异质半导体区域（3），被配置为接触半导体衬底（1,2）的第一主面（1A） 所述半导体衬底（1,2）具有带隙，3）栅极电极（7）经由栅极绝缘膜（6）与所述异质半导体区域（3）之间的接合部分（13）的一部分 半导体衬底（1,2），4）构造成连接到所述异质半导体区域（3）的源电极（8），以及5）被配置为与所述半导体衬底（1,2）形成欧姆连接的漏电极（9） 2）。 该方法包括以下顺序操作：i）形成栅极绝缘膜（6）; 和ii）氮化所述栅极绝缘膜（6）。

公开(公告)号：US08923668B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US13401963

申请日：2012-02-22

申请人： Tetsuya Hayashi ,  Osamu Shimakawa

发明人： Tetsuya Hayashi ,  Osamu Shimakawa

IPC分类号： G02B6/36 ,  G02B6/26 ,  G01M11/00 ,  G01M11/08 ,  G02B6/036 ,  G02B6/02

CPC分类号： G02B6/262 ,  G01M11/088 ,  G01M11/33 ,  G02B6/02042 ,  G02B6/03683 ,  G02B6/3652 ,  G02B6/403

摘要： According to the present invention, as a result of using a depressed or trench-assisted light-receiving waveguide in which the core is surrounded by a layer having a refractive index lower than that of a cladding as light-receiving means for receiving light outputted from a multi-core optical fiber, the layer of a low refractive index can inhibit the propagation of noise, etc. from the cladding to the core. Consequently, even in cases where the inter-core crosstalk is small, it is possible to accurately measure the inter-core crosstalk since components different from crosstalk-derived components in optical power are reduced.

摘要翻译： 根据本发明，作为使用凹陷或沟槽辅助的光接收波导的结果，其中芯被折射率低于包层折射率的层包围，作为用于接收从包层输出的光的光接收装置 多芯光纤，低折射率层可以抑制噪声等从包层到芯的传播。 因此，即使在芯间串扰小的情况下，也可以精确地测量芯间串扰，因为与光功率中的串扰导出分量不同的组件减少。

公开(公告)号：US08507345B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US13246454

申请日：2011-09-27

申请人： Tetsuya Hayashi ,  Hideaki Tanaka ,  Masakatsu Hoshi ,  Saichirou Kaneko

发明人： Tetsuya Hayashi ,  Hideaki Tanaka ,  Masakatsu Hoshi ,  Saichirou Kaneko

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66068 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7828

摘要： An aspect of the present invention provides a semiconductor device that includes a first conductivity type semiconductor body, a source region in contact with the semiconductor body, whose bandgap is different from that of the semiconductor body, and which formed heterojunction with the semiconductor body, a gate insulating film in contact with a portion of junction between the source region and the semiconductor body, a gate electrode in contact with the gate insulating film, a source electrode, a low resistance region in contact with the source electrode and the source region, and connected ohmically with the source electrode, and a drain electrode connected ohmically with the semiconductor body.

摘要翻译： 本发明的一个方面提供了一种半导体器件，其包括第一导电型半导体本体，与半导体本体接触的源极区域，其带隙与半导体本体的带隙不同，并且与半导体本体形成异质结， 与栅极绝缘膜接触的栅电极，源电极，与源极电极和源极区域接触的低电阻区域，以及 与源电极欧姆连接，以及与半导体主体欧姆连接的漏电极。

公开(公告)号：US08441036B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US11724389

申请日：2007-03-15

申请人： Yoshio Shimoida ,  Tetsuya Hayashi ,  Hideaki Tanaka ,  Shigeharu Yamagami ,  Masakatsu Hoshi

发明人： Yoshio Shimoida ,  Tetsuya Hayashi ,  Hideaki Tanaka ,  Shigeharu Yamagami ,  Masakatsu Hoshi

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7828 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

摘要： A trench is formed extending from a surface of a hetero semiconductor region of a polycrystal silicon to the drain region. Further, a driving point of the field effect transistor, where a gate insulating film, the hetero semiconductor region and the drain region are adjoined, is formed at a position spaced apart from a side wall of the trench.

摘要翻译： 形成从多晶硅的异质半导体区域的表面延伸到漏极区域的沟槽。 此外，栅极绝缘膜，异质半导体区域和漏极区域相邻的场效应晶体管的驱动点形成在与沟槽的侧壁间隔开的位置处。

公开(公告)号：US20130094825A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13805465

申请日：2012-03-19

申请人： Tatsuya Konishi ,  Tetsuya Nakanishi ,  Tetsuya Hayashi

发明人： Tatsuya Konishi ,  Tetsuya Nakanishi ,  Tetsuya Hayashi

IPC分类号： G02B6/036

CPC分类号： G02B6/03638 ,  G02B6/0365

摘要： A trench optical fiber that stably realizes a small transmission loss includes (1) a core extending in an axial direction while containing an axial center of the fiber, the core having a diameter d1 of 7.0 μm to 7.4 μm; (2) a first optical cladding layer surrounding the core and having an outside diameter d2 of 1.67 dl to 2.5 dl; (3) a second optical cladding layer surrounding the first optical cladding layer; and (4) a jacket layer surrounding the second optical cladding layer and containing fluorine having a concentration of 0.06 wt % or higher. A relative refractive index difference Δ1 of the core with respect to the jacket layer is 0.31% to 0.37%. A relative refractive index difference Δ2 of the first optical cladding layer with respect to the jacket layer is +0.02% or larger and smaller than Δ1. A relative refractive index difference Δ3 of the second optical cladding layer with respect to the jacket layer is −0.2% or smaller.

摘要翻译： 稳定地实现小的传输损耗的沟槽光纤包括：（1）沿轴向延伸的芯，同时包含纤维的轴向中心，芯的直径d1为7.0μm至7.4μm; （2）包围芯的第一光学包层，外径d2为1.67dl至2.5dl; （3）围绕所述第一光学包层的第二光学包层; 和（4）围绕第二光学包层并且含有浓度为0.06重量％以上的氟的护套层。 芯相对于护套层的相对折射率差Δ1为0.31％至0.37％。 第一光学包层相对于护套层的相对折射率差Δ2为+ 0.02％以上且小于Delta1。 第二光学包覆层相对于护套层的相对折射率差Δ3为-0.2％以下。

公开(公告)号：US08400896B2

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：US13138519

申请日：2010-02-22

申请人： Atsushi Etoh ,  Tetsuya Okumura ,  Hideharu Tajima ,  Shigemi Maeda ,  Yoshihisa Adachi ,  Tetsuya Hayashi ,  Yasuhiro Harada ,  Takashi Arimoto ,  Ikuo Nakano ,  Masaki Yamamoto ,  Hirohisa Yamada

发明人： Atsushi Etoh ,  Tetsuya Okumura ,  Hideharu Tajima ,  Shigemi Maeda ,  Yoshihisa Adachi ,  Tetsuya Hayashi ,  Yasuhiro Harada ,  Takashi Arimoto ,  Ikuo Nakano ,  Masaki Yamamoto ,  Hirohisa Yamada

IPC分类号： G11B15/04

CPC分类号： G11B7/00736 ,  G11B7/08511 ,  G11B7/24038 ,  G11B19/127 ,  G11B2007/0013 ,  G11B2220/235

摘要： An invention disclosed includes a layer number obtaining section (222) for determining which information storage layer (L1) has been accessed and a layer type identifying section (223) for identifying a type of the information storage layer (L1) determined by the layer number obtaining section (222). With the configuration, even in a case where an information recording and reproducing apparatus accesses an information storage layer different from an intended information storage layer by false operation or the like, it is still possible to dissolve mismatching between a recording or reproduction control scheme being set up and a recording or reproduction control scheme suitable for the information storage layer thus accessed.

摘要翻译： 所公开的发明包括用于确定已经访问了哪个信息存储层（L1）的层号获取部分（222）和用于识别由层号确定的信息存储层（L1）的类型的层类型识别部分（223） 获取部分（222）。 利用这种配置，即使在信息记录和再现装置通过错误操作等访问与预期信息存储层不同的信息存储层的情况下，仍然可以解决设置的记录或再现控制方案之间的不匹配 以及适合于如此访问的信息存储层的记录或再现控制方案。

公开(公告)号：US20120182325A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13347874

申请日：2012-01-11

申请人： Tetsuya Hayashi

发明人： Tetsuya Hayashi

IPC分类号： G06F3/041 ,  G09G5/00

CPC分类号： G06F3/04883 ,  G06F3/0485

摘要： In the present invention, various control can be actualized by a simple operation when display content is controlled based on a touch operation.When a slide operation is performed in which a finger or the like is moved on a touch sensor 8 while touching it, and the pattern of the slide operation determined based on the movement directions of the slide operation is a predetermined pattern in which the finger or the like is initially moved in one direction, and after being temporarily stopped, moved in a different direction, a control section 1 performs image scrolling based on the predetermined pattern, as control of display content displayed on a display section 7.

摘要翻译： 在本发明中，当基于触摸操作来控制显示内容时，可以通过简单的操作来实现各种控制。 当在触摸传感器8上进行手指等移动的滑动操作，并且基于滑动操作的移动方向确定的滑动操作的图案是其中手指或 最初在一个方向上移动，并且在暂时停止之后沿不同的方向移动，控制部分1基于预定图案执行图像滚动，作为显示在显示部分7上的显示内容的控制。