公开(公告)号：US20130095028A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13430131

申请日：2012-03-26

申请人： Wen-Chieh LAN ,  Yong-Cheng Liu ,  Wen-Huai YU ,  Sung-Lin HSU ,  Wen-Ching HSU

发明人： Wen-Chieh LAN ,  Yong-Cheng Liu ,  Wen-Huai YU ,  Sung-Lin HSU ,  Wen-Ching HSU

IPC分类号： C01B33/02 ,  C03B19/02 ,  C03C10/02

CPC分类号： C30B11/02 ,  C30B11/00 ,  C30B11/14 ,  C30B29/06

摘要： A crystalline silicon ingot and a method of manufacturing the same are provided. Using a crystalline silicon seed layer, the crystalline silicon ingot is formed by a directional solidification process. The crystalline silicon seed layer is formed of multiple primary monocrystalline silicon seeds and multiple secondary monocrystalline silicon seeds. Each of the primary monocrystalline silicon seeds has a first crystal orientation different from (100). Each of the secondary monocrystalline silicon seeds has a second crystal orientation different from the first crystal orientation. Each of the primary monocrystalline silicon seeds is adjacent to at least one of the secondary monocrystalline silicon seeds, and separate from the others of the primary monocrystalline silicon seeds.

摘要翻译： 提供一种晶体硅锭及其制造方法。 使用结晶硅籽晶层，通过定向凝固工艺形成晶体硅锭。 晶体硅种子层由多个初级单晶硅晶种和多个次级单晶硅晶种形成。 每个初级单晶硅种子具有不同于（100）的第一晶体取向。 每个次级单晶硅种子具有不同于第一晶体取向的第二晶体取向。 每个初级单晶硅种子与次级单晶硅种子中的至少一种相邻，并与主要单晶硅晶种的其它晶体分离。

公开(公告)号：US20140127496A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US14154497

申请日：2014-01-14

申请人： Wen-Huai YU ,  Cheng-Jui YANG ,  Yu-Min YANG ,  Kai-Yuan PAI ,  Wen-Chieh LAN ,  Chan-Lu SU ,  Yu-Tsung CHIANG ,  Sung-Lin HSU ,  Wen-Ching HSU ,  Chung-Wen LAN

发明人： Wen-Huai YU ,  Cheng-Jui YANG ,  Yu-Min YANG ,  Kai-Yuan PAI ,  Wen-Chieh LAN ,  Chan-Lu SU ,  Yu-Tsung CHIANG ,  Sung-Lin HSU ,  Wen-Ching HSU ,  Chung-Wen LAN

IPC分类号： H01L31/18 ,  C01B33/02

CPC分类号： C01B33/02 ,  C30B11/002 ,  C30B11/006 ,  C30B29/06 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/259

摘要： A crystalline silicon ingot and a method of fabricating the same are provided. The method utilizes a nucleation promotion layer to facilitate a plurality of silicon grains to nucleate on the nucleation promotion layer from a silicon melt and grow in a vertical direction into silicon grains until the silicon melt is completely solidified. The increment rate of defect density in the silicon ingot along the vertical direction has a range of 0.01%/mm˜10%/mm.

摘要翻译： 提供一种晶体硅锭及其制造方法。 该方法利用成核促进层促进多个硅晶粒在硅熔体上在成核促进层上成核并在垂直方向上生长成硅晶粒，直到硅熔体完全固化。 硅锭沿垂直方向的缺陷密度增加率为0.01％/ mm〜10％/ mm。

公开(公告)号：US20130136918A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13416525

申请日：2012-03-09

申请人： Wen-Huai YU ,  Cheng-Jui YANG ,  Yu-Min YANG ,  Kai-Yuan PAI ,  Wen-Chieh LAN ,  Chan-Lu SU ,  Yu-Tsung CHIANG ,  Sung-Lin HSU ,  Wen-Ching HSU ,  Chung-Wen LAN

发明人： Wen-Huai YU ,  Cheng-Jui YANG ,  Yu-Min YANG ,  Kai-Yuan PAI ,  Wen-Chieh LAN ,  Chan-Lu SU ,  Yu-Tsung CHIANG ,  Sung-Lin HSU ,  Wen-Ching HSU ,  Chung-Wen LAN

IPC分类号： B32B5/16 ,  B32B9/04 ,  C01B33/02 ,  C30B19/10

CPC分类号： C01B33/02 ,  C30B11/002 ,  C30B11/006 ,  C30B29/06 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/259

摘要： A crystalline silicon ingot and a method of fabricating the same are provided. The method utilizes a nucleation promotion layer to facilitate a plurality of silicon grains to nucleate on the nucleation promotion layer from a silicon melt and grow in a vertical direction into silicon grains until the silicon melt is completely solidified. The increment rate of defect density in the silicon ingot along the vertical direction has a range of 0.01%/mm˜10%/mm.

摘要翻译： 提供一种晶体硅锭及其制造方法。 该方法利用成核促进层促进多个硅晶粒在硅熔体上在成核促进层上成核并在垂直方向上生长成硅晶粒，直到硅熔体完全固化。 硅锭沿垂直方向的缺陷密度增量率为0.01％/ mm〜10％/ mm。

公开(公告)号：US20130095027A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13416765

申请日：2012-03-09

申请人： Sung-Lin HSU ,  Cheng-Jui YANG ,  Pei-Kai HUANG ,  Sheng-Hua NI ,  Yu-Min YANG ,  Ming-Kung HSIAO ,  Wen-Huai YU ,  Ching-Shan LIN ,  Wen-Ching HSU ,  Chung-Wen LAN

发明人： Sung-Lin HSU ,  Cheng-Jui YANG ,  Pei-Kai HUANG ,  Sheng-Hua NI ,  Yu-Min YANG ,  Ming-Kung HSIAO ,  Wen-Huai YU ,  Ching-Shan LIN ,  Wen-Ching HSU ,  Chung-Wen LAN

IPC分类号： C01B33/02 ,  C03B19/02

CPC分类号： C30B11/006 ,  C01B33/02 ,  C30B9/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/02 ,  C30B11/14 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06

摘要： A crystalline silicon ingot and a method of fabricating the same are disclosed. The crystalline silicon ingot of the invention includes multiple silicon crystal grains growing in a vertical direction of the crystalline silicon ingot. The crystalline silicon ingot has a bottom with a silicon crystal grain having a first average crystal grain size of less than about 12 mm. The crystalline silicon ingot has an upper portion, which is about 250 mm away from said bottom, with a silicon crystal grain having a second average crystal grain size of greater than about 14 mm.

摘要翻译： 公开了一种晶体硅锭及其制造方法。 本发明的结晶硅锭包括在晶体硅锭的垂直方向上生长的多个硅晶粒。 晶体硅锭的底部具有第一平均晶粒尺寸小于约12mm的硅晶粒。 晶体硅锭的上部距离所述底部约250mm，硅晶粒具有大于约14mm的第二平均晶粒尺寸。

公开(公告)号：US20140220301A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：US14250620

申请日：2014-04-11

申请人： Jiunn-Yih CHYAN ,  Jer-Liang YEH ,  Wen-Ching HSU ,  Suz-Hua HO

发明人： Jiunn-Yih CHYAN ,  Jer-Liang YEH ,  Wen-Ching HSU ,  Suz-Hua HO

IPC分类号： C30B29/60

CPC分类号： C30B29/60 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  Y10T428/24355

摘要： The invention provides an epitaxial substrate and fabrication thereof. The epitaxial substrate according to the invention includes a crystalline substrate. In particular, the crystalline substrate has an epitaxial surface which is nano-rugged and non-patterned. The epitaxial substrate according to the invention thereon benefits a compound semiconductor material in growth of epitaxy films with excellent quality. Moreover, the fabrication of the epitaxial substrate according to the invention has advantages of low cost and rapid production.

摘要翻译： 本发明提供一种外延衬底及其制造。 根据本发明的外延衬底包括晶体衬底。 特别地，晶体衬底具有纳米凹凸和非图案化的外延表面。 根据本发明的外延衬底有益于化合物半导体材料在外延薄膜生长中的优良品质。 此外，根据本发明的外延衬底的制造具有成本低且生产快速的优点。

公开(公告)号：US20120193764A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13353488

申请日：2012-01-19

申请人： Jiunn-Yih CHYAN ,  Jian-Jhih LI ,  Kun-Lin YANG ,  Wen-Ching HSU

发明人： Jiunn-Yih CHYAN ,  Jian-Jhih LI ,  Kun-Lin YANG ,  Wen-Ching HSU

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L29/30 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/16 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  Y10T428/24777

摘要： The instant disclosure relates to a nanostructuring process for an ingot surface prior to the slicing operation. A surface treatment step is performed for at least one surface of the ingot in forming a nanostructure layer thereon. The nanostructure layer is capable of enhancing the mechanical strength of the ingot surface to reduce the chipping ratio of the wafer during slicing.

摘要翻译： 本公开涉及在切片操作之前的锭表面的纳米结构化方法。 在其上形成纳米结构层的锭的至少一个表面进行表面处理步骤。 纳米结构层能够增强锭表面的机械强度，以降低切片期间晶片的切屑比。