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    BIPOLAR RESISTIVE-SWITCHING MEMORY WITH A SINGLE DIODE PER MEMORY CELL
    3.
    发明申请
    BIPOLAR RESISTIVE-SWITCHING MEMORY WITH A SINGLE DIODE PER MEMORY CELL 有权
    具有单个二极管每个存储单元的双极电阻开关存储器

    公开(公告)号：US20120044751A1

    公开(公告)日：2012-02-23

    申请号：US13286472

    申请日：2011-11-01

    申请人： Yun Wang ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang

    发明人： Yun Wang ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang

    IPC分类号： G11C11/36

    CPC分类号： G11C13/02 ,  G11C7/00 ,  G11C11/36 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0021 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/04 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/72

    摘要： According to various embodiments, a resistive-switching memory element and memory element array that uses a bipolar switching includes a select element comprising only a single diode that is not a Zener diode. The resistive-switching memory elements described herein can switch even when a switching voltage less than the breakdown voltage of the diode is applied in the reverse-bias direction of the diode. The memory elements are able to switch during the very brief period when a transient pulse voltage is visible to the memory element, and therefore can use a single diode per memory cell.

    摘要翻译： 根据各种实施例，使用双极开关的电阻式开关存储器元件和存储元件阵列包括仅包括不是齐纳二极管的单个二极管的选择元件。 即使当在二极管的反向偏置方向上施加小于二极管的击穿电压的开关电压时，本文所述的电阻式开关存储元件也可以切换。 存储器元件能够在瞬态脉冲电压对存储元件可见时的非常短的时间内进行切换，因此每个存储器单元可以使用单个二极管。

    Biploar resistive-switching memory with a single diode per memory cell
    4.
    发明授权
    Biploar resistive-switching memory with a single diode per memory cell 有权
    每个存储单元具有单个二极管的双极电阻开关存储器

    公开(公告)号：US08072795B1

    公开(公告)日：2011-12-06

    申请号：US12607898

    申请日：2009-10-28

    申请人： Yun Wang ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang

    发明人： Yun Wang ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/36

    CPC分类号： G11C13/02 ,  G11C7/00 ,  G11C11/36 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0021 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/04 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/72

    摘要： According to various embodiments, a resistive-switching memory element and memory element array that uses a bipolar switching includes a select element comprising only a single diode that is not a Zener diode. The resistive-switching memory elements described herein can switch even when a switching voltage less than the breakdown voltage of the diode is applied in the reverse-bias direction of the diode. The memory elements are able to switch during the very brief period when a transient pulse voltage is visible to the memory element, and therefore can use a single diode per memory cell.

    摘要翻译： 根据各种实施例，使用双极开关的电阻式开关存储器元件和存储元件阵列包括仅包括不是齐纳二极管的单个二极管的选择元件。 即使当在二极管的反向偏置方向上施加小于二极管的击穿电压的开关电压时，本文所述的电阻式开关存储元件也可以切换。 存储器元件能够在瞬态脉冲电压对存储元件可见时的非常短的时间内进行切换，因此每个存储器单元可以使用单个二极管。

    REDUCTION OF FORMING VOLTAGE IN SEMICONDUCTOR DEVICES
    6.
    发明申请
    REDUCTION OF FORMING VOLTAGE IN SEMICONDUCTOR DEVICES 有权
    减少半导体器件中的成形电压

    公开(公告)号：US20090272962A1

    公开(公告)日：2009-11-05

    申请号：US12391784

    申请日：2009-02-24

    申请人： Pragati Kumar ,  Yun Wang ,  Prashant Phatak ,  Tony P. Chiang

    发明人： Pragati Kumar ,  Yun Wang ,  Prashant Phatak ,  Tony P. Chiang

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L45/146 ,  G11C13/0002 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/51 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/10 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

    摘要： This disclosure provides a nonvolatile memory device and related methods of manufacture and operation. The device may include one or more resistive random access memory (RRAM) that use techniques to provide a memory device with more predictable operation. In particular, forming voltage required by particular designs may be reduced through the use of a barrier layer, a reverse polarity forming voltage pulse, a forming voltage pulse where electrons are injected from a lower work function electrode, or through the use of an anneal in a reducing environment. One or more of these techniques may be applied, depending on desired application and results.

    摘要翻译： 本公开提供了一种非易失性存储器件及相关的制造和操作方法。 该设备可以包括使用技术来向存储器设备提供更可预测的操作的一个或多个电阻随机存取存储器（RRAM）。 特别地，可以通过使用阻挡层，反极性形成电压脉冲，形成电压脉冲（其中电子从下功能电极注入）或通过使用退火进行退火来降低特定设计所需的形成电压 减少环境。 可以根据期望的应用和结果应用这些技术中的一种或多种。

    NONVOLATILE RESISTIVE MEMORY ELEMENT WITH A NOVEL SWITCHING LAYER
    7.
    发明申请
    NONVOLATILE RESISTIVE MEMORY ELEMENT WITH A NOVEL SWITCHING LAYER 审中-公开
    具有新开关层的非易失性电阻记忆元件

    公开(公告)号：US20130134373A1

    公开(公告)日：2013-05-30

    申请号：US13305568

    申请日：2011-11-28

    申请人： Yun Wang ,  Imran Hashim ,  Tony Chiang

    发明人： Yun Wang ,  Imran Hashim ,  Tony Chiang

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： A nonvolatile resistive memory element has a novel variable resistance layer comprising one or more rare-earth oxides. The rare-earth oxide has a high k value, a high bandgap energy, and the ability to maintain an amorphous structure after thermal anneal processes. Thus, the novel variable resistance layer facilitates improved switching performance and reliability of the resistive memory element.

    摘要翻译： 非易失性电阻存储元件具有包含一种或多种稀土氧化物的新颖的可变电阻层。 稀土氧化物具有高k值，高带隙能，以及热退火工艺后保持非晶结构的能力。 因此，新颖的可变电阻层有助于提高电阻式存储元件的开关性能和可靠性。

    ATOMIC LAYER DEPOSITION OF HAFNIUM AND ZIRCONIUM OXIDES FOR MEMORY APPLICATIONS
    8.
    发明申请
    ATOMIC LAYER DEPOSITION OF HAFNIUM AND ZIRCONIUM OXIDES FOR MEMORY APPLICATIONS 有权
    用于存储器应用的铪和氧化锆的原子层沉积

    公开(公告)号：US20130071984A1

    公开(公告)日：2013-03-21

    申请号：US13236481

    申请日：2011-09-19

    申请人： Yun Wang ,  Vidyut Gopal ,  Imran Hashim ,  Dipankar Pramanik ,  Tony Chiang

    发明人： Yun Wang ,  Vidyut Gopal ,  Imran Hashim ,  Dipankar Pramanik ,  Tony Chiang

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1616

    摘要： Embodiments of the invention generally relate to nonvolatile memory devices and methods for manufacturing such memory devices. The methods for forming improved memory devices, such as a ReRAM cells, provide optimized, atomic layer deposition (ALD) processes for forming a metal oxide film stack having a metal oxide buffer layer disposed on or over a metal oxide bulk layer. The metal oxide bulk layer contains a metal-rich oxide material and the metal oxide buffer layer contains a metal-poor oxide material. The metal oxide bulk layer is less electrically resistive than the metal oxide buffer layer since the metal oxide bulk layer is less oxidized or more metallic than the metal oxide buffer layer. In one example, the metal oxide bulk layer contains a metal-rich hafnium oxide material and the metal oxide buffer layer contains a metal-poor zirconium oxide material.

    摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及用于制造这种存储器件的非易失性存储器件和方法。 用于形成改进的存储器件（例如ReRAM单元）的方法提供优化的原子层沉积（ALD）工艺，用于形成金属氧化物膜堆叠，其具有设置在金属氧化物本体层上或其上的金属氧化物缓冲层。 金属氧化物本体层含有富金属氧化物材料，金属氧化物缓冲层含有贫金属氧化物。 由于金属氧化物本体层比金属氧化物缓冲层氧化较少或更金属，所以金属氧化物本体层的电阻小于金属氧化物缓冲层的电阻。 在一个实例中，金属氧化物本体层含有富金属氧化铪材料，金属氧化物缓冲层含有贫金属氧化锆材料。

    Embedded nonvolatile memory elements having resistive switching characteristics
    10.
    发明授权
    Embedded nonvolatile memory elements having resistive switching characteristics 有权
    具有电阻开关特性的嵌入式非易失性存储元件

    公开(公告)号：US09129894B2

    公开(公告)日：2015-09-08

    申请号：US13621371

    申请日：2012-09-17

    申请人： Imran Hashim ,  Tony Chiang ,  Vidyut Gopal ,  Yun Wang

    发明人： Imran Hashim ,  Tony Chiang ,  Vidyut Gopal ,  Yun Wang

    IPC分类号： G11C11/21 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/1608 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

    摘要： Provided are nonvolatile memory assemblies each including a resistive switching layer and current steering element. The steering element may be a transistor connected in series with the switching layer. Resistance control provided by the steering element allows using switching layers requiring low switching voltages and currents. Memory assemblies including such switching layers are easier to embed into integrated circuit chips having other low voltage components, such as logic and digital signal processing components, than, for example, flash memory requiring much higher switching voltages. In some embodiments, provided nonvolatile memory assemblies operate at switching voltages less than about 3.0V and corresponding currents less than 50 microamperes. A memory element may include a metal rich hafnium oxide disposed between a titanium nitride electrode and doped polysilicon electrode. One electrode may be connected to a drain or source of the transistor, while another electrode is connected to a signal line.

    摘要翻译： 提供了各自包括电阻式开关层和电流控制元件的非易失性存储器组件。 转向元件可以是与开关层串联连接的晶体管。 由转向元件提供的电阻控制允许使用需要低开关电压和电流的开关层。 包括这种开关层的存储器组件比例如需要高得多的开关电压的闪速存储器更容易嵌入到具有其它低电压组件（例如逻辑和数字信号处理组件）的集成电路芯片中。 在一些实施例中，所提供的非易失性存储器组件在小于约3.0V的开关电压和小于50微安的相应电流下工作。 存储元件可以包括设置在氮化钛电极和掺杂多晶硅电极之间的富含金属的氧化铪。 一个电极可以连接到晶体管的漏极或源极，而另一个电极连接到信号线。