公开(公告)号：US09164836B2

公开(公告)日：2015-10-20

申请号：US13976007

申请日：2011-12-28

申请人： Xin Guo ,  Kiran Pangal ,  Yogesh B. Wakchaure ,  Paul D. Ruby ,  Ravi J. Kumar

发明人： Xin Guo ,  Kiran Pangal ,  Yogesh B. Wakchaure ,  Paul D. Ruby ,  Ravi J. Kumar

IPC分类号： G06F11/00 ,  G06F11/10 ,  G11C11/56 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3409

摘要： Examples are disclosed for cycling endurance extending for memory cells of a non-volatile memory array. The examples include implementing one or more endurance extending schemes based on program/erase cycle counts or a failure trigger. The one or more endurance extending schemes may include a gradual read window expansion, a gradual read window shift, an erase blank check algorithm, a dynamic soft-program or a dynamic pre-program.

摘要翻译： 公开了用于对非易失性存储器阵列的存储器单元进行扩展的循环耐久性的示例。 这些示例包括基于程序/擦除循环计数或故障触发来实现一个或多个耐力扩展方案。 一个或多个耐力扩展方案可以包括逐渐读取窗口扩展，逐渐读取窗口移位，擦除空白校验算法，动态软程序或动态预编程。

公开(公告)号：US20140047302A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13976007

申请日：2011-12-28

申请人： Xin Guo ,  Kiran Pangal ,  Yogesh B. Wakchaure ,  Paul D. Ruby ,  Ravi J. Kumar

发明人： Xin Guo ,  Kiran Pangal ,  Yogesh B. Wakchaure ,  Paul D. Ruby ,  Ravi J. Kumar

IPC分类号： G06F11/10

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3409

摘要： Examples are disclosed for cycling endurance extending for memory cells of a non-volatile memory array. The examples include implementing one or more endurance extending schemes based on program/erase cycle counts or a failure trigger. The one or more endurance extending schemes may include a gradual read window expansion, a gradual read window shift, an erase blank check algorithm, a dynamic soft-program or a dynamic pre-program.

摘要翻译： 公开了用于对非易失性存储器阵列的存储器单元进行扩展的循环耐久性的示例。 这些示例包括基于程序/擦除循环计数或故障触发来实现一个或多个耐力扩展方案。 一个或多个耐力扩展方案可以包括逐渐读取窗口扩展，逐渐读取窗口移位，擦除空白校验算法，动态软程序或动态预编程。

公开(公告)号：US09047187B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US13536861

申请日：2012-06-28

申请人： Xin Guo ,  Yogesh B. Wakchaure ,  Kiran Pangal ,  Hiroyuki Sanda

发明人： Xin Guo ,  Yogesh B. Wakchaure ,  Kiran Pangal ,  Hiroyuki Sanda

IPC分类号： G06F11/00 ,  G06F11/07 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F11/073 ,  G06F11/0727 ,  G06F11/0793 ,  G06F11/1016 ,  G06F11/1068

摘要： Defect management logic extends a useful life of a memory system. For example, as discussed herein, failure detection logic detects occurrence of a failure in a memory system. Defect management logic determines a type of the failure such as whether the failure is an infant mortality type failure or a late-life type of failure. Depending on the type of failure, the defect management logic performs different operations to extend the useful life of the memory system. For example, for early life failures, the defect management logic can retire a portion of the block including the failure. For late life failures, due to excessive reads/writes, the defect management logic can convert the failing block from operating in a first bit-per-cell storage density mode to operating in a second bit-per-cell storage density mode.

摘要翻译： 缺陷管理逻辑延长了存储系统的使用寿命。 例如，如本文所讨论的，故障检测逻辑检测存储器系统中的故障的发生。 缺陷管理逻辑确定失败的类型，例如失败是婴儿死亡型失败还是迟发型失败。 根据故障类型，缺陷管理逻辑执行不同的操作以延长存储系统的使用寿命。 例如，对于早期生活故障，缺陷管理逻辑可以将块的一部分包括故障退出。 对于后期生活故障，由于读取/写入过多，故障管理逻辑可以将故障块从第一位单元存储密度模式转换为以每位存储单元存储密度模式运行。

公开(公告)号：US08792283B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US13528966

申请日：2012-06-21

申请人： Yogesh B. Wakchaure ,  Kiran Pangal ,  Xin Guo ,  Qingru Meng ,  Hanmant Belgal

发明人： Yogesh B. Wakchaure ,  Kiran Pangal ,  Xin Guo ,  Qingru Meng ,  Hanmant Belgal

IPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  H01L27/115

CPC分类号： G11C16/14 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/102 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3445 ,  G11C29/028 ,  H01L27/115

摘要： A memory device may include two or more memory cells in an integrated circuit, at least one flash cell acting as a select gate coupled to the two or more memory cells, and an interface to accept a select gate erase command and a select gate program command during normal operation of the integrated circuit. The integrated circuit may be capable to perform operations to erase the at least one select gate in response to the select gate erase command, and program the at least one select gate in response to the select gate program command.

摘要翻译： 存储器件可以包括集成电路中的两个或更多个存储器单元，用作耦合到两个或更多个存储器单元的选择栅极的至少一个闪存单元以及接受选择栅极擦除命令和选择栅极程序指令的接口 在集成电路正常运行期间。 集成电路可以执行响应于选择栅极擦除命令擦除至少一个选择栅极的操作，并且响应于选择栅极程序命令编程至少一个选择栅极。

公开(公告)号：US20140006847A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13536861

申请日：2012-06-28

申请人： Xin Guo ,  Yogesh B. Wakchaure ,  Kiran Pangal ,  Hiroyuki Sanda

发明人： Xin Guo ,  Yogesh B. Wakchaure ,  Kiran Pangal ,  Hiroyuki Sanda

IPC分类号： G06F11/07

CPC分类号： G06F11/073 ,  G06F11/0727 ,  G06F11/0793 ,  G06F11/1016 ,  G06F11/1068

摘要： Defect management logic extends a useful life of a memory system. For example, as discussed herein, failure detection logic detects occurrence of a failure in a memory system. Defect management logic determines a type of the failure such as whether the failure is an infant mortality type failure or a late-life type of failure. Depending on the type of failure, the defect management logic performs different operations to extend the useful life of the memory system. For example, for early life failures, the defect management logic can retire a portion of the block including the failure. For late life failures, due to excessive reads/writes, the defect management logic can convert the failing block from operating in a first bit-per-cell storage density mode to operating in a second bit-per-cell storage density mode.

摘要翻译： 缺陷管理逻辑延长了存储系统的使用寿命。 例如，如本文所讨论的，故障检测逻辑检测存储器系统中的故障的发生。 缺陷管理逻辑确定失败的类型，例如失败是婴儿死亡型失败还是迟发型失败。 根据故障类型，缺陷管理逻辑执行不同的操作以延长存储系统的使用寿命。 例如，对于早期生活故障，缺陷管理逻辑可以将块的一部分包括故障退出。 对于后期生活故障，由于读取/写入过多，故障管理逻辑可以将故障块从第一位单元存储密度模式中转换为以每比特存储密度模式运行。

公开(公告)号：US20130343129A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US13528966

申请日：2012-06-21

申请人： Yogesh B. Wakchaure ,  Kiran Pangal ,  Xin Guo ,  Qingru Meng ,  Hanmant Belgal

发明人： Yogesh B. Wakchaure ,  Kiran Pangal ,  Xin Guo ,  Qingru Meng ,  Hanmant Belgal

IPC分类号： G11C16/16

CPC分类号： G11C16/14 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/102 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3445 ,  G11C29/028 ,  H01L27/115

摘要： A memory device may include two or more memory cells in an integrated circuit, at least one flash cell acting as a select gate coupled to the two or more memory cells, and an interface to accept a select gate erase command and a select gate program command during normal operation of the integrated circuit. The integrated circuit may be capable to perform operations to erase the at least one select gate in response to the select gate erase command, and program the at least one select gate in response to the select gate program command.

摘要翻译： 存储器件可以包括集成电路中的两个或更多个存储器单元，用作耦合到两个或更多个存储器单元的选择栅极的至少一个闪存单元以及接受选择栅极擦除命令和选择栅极程序指令的接口 在集成电路正常运行期间。 集成电路可以执行响应于选择栅极擦除命令擦除至少一个选择栅极的操作，并且响应于选择栅极程序命令编程至少一个选择栅极。

公开(公告)号：US20130268726A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：US13993596

申请日：2011-12-30

申请人： Xin Guo ,  Kiran Pangal ,  Paul D. Ruby ,  Feng Zhu

发明人： Xin Guo ,  Kiran Pangal ,  Paul D. Ruby ,  Feng Zhu

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7205 ,  Y02D70/126 ,  Y02D70/20

摘要： Host writes may be handled differently from background writes to non-volatile memory systems. As a result of using different write algorithms for host writes and backgrounds writes, maximum system lifetime and the maximum system performance may be improved in some embodiments.

摘要翻译： 主机写入可能与对非易失性存储器系统的后台写操作不同。 作为对主机写入和背景写入使用不同写入算法的结果，在一些实施例中可以提高最大系统寿命和最大系统性能。

公开(公告)号：US09330784B2

公开(公告)日：2016-05-03

申请号：US13997212

申请日：2011-12-29

申请人： Kiran Pangal ,  Ravi J. Kumar

发明人： Kiran Pangal ,  Ravi J. Kumar

IPC分类号： G11C29/02 ,  G11C29/50 ,  G11C29/10 ,  G11C29/04 ,  G06F11/10 ,  G11C16/00

CPC分类号： G06F3/0616 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/2094 ,  G11C11/5635 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/00 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3436 ,  G11C29/021 ,  G11C29/026 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50016 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/0401

摘要： Methods and apparatus to provide dynamic window to improve NAND (Not And) memory endurance are described. In one embodiment, a program-erase window associated with a NAND memory device is dynamically varied by starting with a higher erase verify (TEV) voltage and lowering the TEV voltage with subsequent cycles over a life of the NAND memory device based on a current cycle count value. Alternatively, the program-erase window is dynamically varied by starting with a higher erase verify (PV) voltage and erase verify (TEV) voltage and lowering the PV and TEV voltages with subsequent cycles over a life of the NAND memory device based on the current cycle count value. Other embodiments are also disclosed and claimed.

摘要翻译： 描述了提供动态窗口以提高NAND（Not And）存储器耐久性的方法和装置。 在一个实施例中，与NAND存储器件相关联的编程擦除窗口通过从较高的擦除验证（TEV）电压开始并基于当前周期在NAND存储器件的使用寿命内随后的周期降低TEV电压而动态地改变 计数值。 或者，通过从更高的擦除验证（PV）电压和擦除验证（TEV）电压开始，并且基于当前的NAND存储器件的使用寿命的随后的周期来降低PV和TEV电压，编程擦除窗口被动态地变化 循环计数值。 还公开并要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20140082460A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：US13997212

申请日：2011-12-29

申请人： Kiran Pangal ,  Ravi J. Kumar

发明人： Kiran Pangal ,  Ravi J. Kumar

IPC分类号： G06F11/10

CPC分类号： G06F3/0616 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/2094 ,  G11C11/5635 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/00 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3436 ,  G11C29/021 ,  G11C29/026 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50016 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/0401

摘要： Methods and apparatus to provide dynamic window to improve NAND (Not And) memory endurance are described. In one embodiment, a program-erase window associated with a NAND memory device is dynamically varied by starting with a higher erase verify (TEV) voltage and lowering the TEV voltage with subsequent cycles over a life of the NAND memory device based on a current cycle count value. Alternatively, the program-erase window is dynamically varied by starting with a higher erase verify (PV) voltage and erase verify (TEV) voltage and lowering the PV and TEV voltages with subsequent cycles over a life of the NAND memory device based on the current cycle count value. Other embodiments are also disclosed and claimed.

摘要翻译： 描述了提供动态窗口以提高NAND（Not And）存储器耐久性的方法和装置。 在一个实施例中，与NAND存储器件相关联的编程擦除窗口通过从较高的擦除验证（TEV）电压开始并基于当前周期在NAND存储器件的使用寿命内随后的周期降低TEV电压而动态地改变 计数值。 或者，通过以更高的擦除验证（PV）电压和擦除验证（TEV）电压开始，并且基于当前的NAND存储器件的使用寿命期间的随后的周期来降低PV和TEV电压，编程擦除窗口被动态变化 循环计数值。 还公开并要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US09268631B2

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：US13976463

申请日：2012-03-29

申请人： Lark-Hoon Leem ,  Kiran Pangal ,  Xin Guo

发明人： Lark-Hoon Leem ,  Kiran Pangal ,  Xin Guo

IPC分类号： G06F11/00 ,  G11C29/00 ,  G06F11/08 ,  G11C11/56 ,  G11C16/34 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F11/08 ,  G06F11/1048 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/3418

摘要： Examples are disclosed for generating or providing a moving read reference (MRR) table for recovering from a read error of one or more memory cells of a non-volatile memory included in a storage device. Priorities may be adaptively assigned to entries included in the MRR table and the entries may be ordered for use based on the assigned priorities. Other examples are described and claimed.

摘要翻译： 公开了用于生成或提供用于从包括在存储设备中的非易失性存储器的一个或多个存储器单元的读取错误中恢复的移动读取参考（MRR）表的示例。 可以将优先级自适应地分配给包括在MRR表中的条目，并且可以基于分配的优先级对条目进行排序使用。 其他的例子被描述和要求保护。