公开(公告)号：US08012785B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US12429305

申请日：2009-04-24

申请人： Kai-Chih Liang ,  Hua-Shu Wu ,  Li-Chun Peng ,  Tsung-Cheng Huang ,  Mingo Liu ,  Nick Y. M. Shen ,  Allen Timothy Chang

发明人： Kai-Chih Liang ,  Hua-Shu Wu ,  Li-Chun Peng ,  Tsung-Cheng Huang ,  Mingo Liu ,  Nick Y. M. Shen ,  Allen Timothy Chang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L27/14

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/056 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0728

摘要： An embodiment of a method is provided that includes providing a substrate having a frontside and a backside. A CMOS device is formed on the substrate. A MEMS device is also formed on the substrate. Forming the MEMS device includes forming a MEMS mechanical structure on the frontside of the substrate. The MEMS mechanical structure is then released. A protective layer is formed on the frontside of the substrate. The protective layer is disposed on the released MEMS mechanical structure (e.g., protects the MEMS structure). The backside of the substrate is processed while the protective layer is disposed on the MEMS mechanical structure.

摘要翻译： 提供了一种方法的实施例，其包括提供具有前侧和后侧的基底。 在衬底上形成CMOS器件。 在该基板上也形成有MEMS器件。 形成MEMS器件包括在衬底的前侧形成MEMS机械结构。 然后释放MEMS机械结构。 在基板的前侧形成有保护层。 保护层设置在释放的MEMS机械结构上（例如，保护MEMS结构）。 在保护层设置在MEMS机械结构上的同时处理衬底的背面。

公开(公告)号：US20100273286A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12429305

申请日：2009-04-24

申请人： Kai-Chih Liang ,  Hua-Shu Wu ,  Li-Chun Peng ,  Tsung-Cheng Huang ,  Mingo Liu ,  Nick Y.M. Shen ,  Allen Timothy Chang

发明人： Kai-Chih Liang ,  Hua-Shu Wu ,  Li-Chun Peng ,  Tsung-Cheng Huang ,  Mingo Liu ,  Nick Y.M. Shen ,  Allen Timothy Chang

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/056 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0728

摘要： An embodiment of a method is provided that includes providing a substrate having a frontside and a backside. A CMOS device is formed on the substrate. A MEMS device is also formed on the substrate. Forming the MEMS device includes forming a MEMS mechanical structure on the frontside of the substrate. The MEMS mechanical structure is then released. A protective layer is formed on the frontside of the substrate. The protective layer is disposed on the released MEMS mechanical structure (e.g., protects the MEMS structure). The backside of the substrate is processed while the protective layer is disposed on the MEMS mechanical structure.

摘要翻译： 提供了一种方法的实施例，其包括提供具有前侧和后侧的基底。 在衬底上形成CMOS器件。 在该基板上也形成有MEMS器件。 形成MEMS器件包括在衬底的前侧形成MEMS机械结构。 然后释放MEMS机械结构。 在基板的前侧形成有保护层。 保护层设置在释放的MEMS机械结构上（例如，保护MEMS结构）。 在保护层设置在MEMS机械结构上的同时处理衬底的背面。

公开(公告)号：US20080194076A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US11673652

申请日：2007-02-12

申请人： Fa-Yuan Chang ,  Tsung-Mu Lai ,  Kai-Chih Liang ,  Hua-Shu Wu ,  Chin-Hsiung Ho ,  Gwo-Yuh Shiau ,  Chu-Wei Chang ,  Ming-Chyi Liu ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Chia-Shiung Tsai ,  Nick Y. M. Shen ,  Ching-Chung Pai

发明人： Fa-Yuan Chang ,  Tsung-Mu Lai ,  Kai-Chih Liang ,  Hua-Shu Wu ,  Chin-Hsiung Ho ,  Gwo-Yuh Shiau ,  Chu-Wei Chang ,  Ming-Chyi Liu ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Chia-Shiung Tsai ,  Nick Y. M. Shen ,  Ching-Chung Pai

IPC分类号： H01L21/98

CPC分类号： H01L23/585 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0125 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/926 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure provide a method of manufacturing a microelectronic device. The method includes forming a top metal layer on a first substrate, in which the top metal layer has a plurality of interconnect features and a first dummy feature; forming a first dielectric layer over the top metal layer; etching the first dielectric layer in a target region substantially vertically aligned to the plurality of interconnect features and the first dummy feature of the top metal layer; performing a chemical mechanical polishing (CMP) process over the first dielectric layer; and thereafter bonding the first substrate to a second substrate.

摘要翻译： 本公开提供了一种制造微电子器件的方法。 该方法包括在第一衬底上形成顶部金属层，其中顶部金属层具有多个互连特征和第一虚拟特征; 在顶部金属层上形成第一介电层; 在与多个互连特征和顶部金属层的第一虚拟特征基本上垂直对准的目标区域中蚀刻第一介电层; 在第一介电层上进行化学机械抛光（CMP）工艺; 然后将第一基板接合到第二基板。

公开(公告)号：US07732299B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11673652

申请日：2007-02-12

申请人： Fa-Yuan Chang ,  Tsung-Mu Lai ,  Kai-Chih Liang ,  Hua-Shu Wu ,  Chin-Hsiang Ho ,  Gwo-Yuh Shiau ,  Chu-Wei Cheng ,  Ming-Chyi Liu ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Chia-Shiung Tsai ,  Nick Y. M. Shen ,  Ching-Chung Pai

发明人： Fa-Yuan Chang ,  Tsung-Mu Lai ,  Kai-Chih Liang ,  Hua-Shu Wu ,  Chin-Hsiang Ho ,  Gwo-Yuh Shiau ,  Chu-Wei Cheng ,  Ming-Chyi Liu ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Chia-Shiung Tsai ,  Nick Y. M. Shen ,  Ching-Chung Pai

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L23/585 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0125 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/926 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure provide a method of manufacturing a microelectronic device. The method includes forming a top metal layer on a first substrate, in which the top metal layer has a plurality of interconnect features and a first dummy feature; forming a first dielectric layer over the top metal layer; etching the first dielectric layer in a target region substantially vertically aligned to the plurality of interconnect features and the first dummy feature of the top metal layer; performing a chemical mechanical polishing (CMP) process over the first dielectric layer; and thereafter bonding the first substrate to a second substrate.

摘要翻译： 本公开提供了一种制造微电子器件的方法。 该方法包括在第一衬底上形成顶部金属层，其中顶部金属层具有多个互连特征和第一虚拟特征; 在顶部金属层上形成第一介电层; 在与多个互连特征和顶部金属层的第一虚拟特征基本上垂直对准的目标区域中蚀刻第一介电层; 在第一介电层上进行化学机械抛光（CMP）工艺; 然后将第一基板接合到第二基板。

公开(公告)号：US20140015069A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US13549095

申请日：2012-07-13

申请人： Kai-Chih Liang ,  Chun-Wen Cheng

发明人： Kai-Chih Liang ,  Chun-Wen Cheng

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/02

CPC分类号： B81C1/00285 ,  B81B7/0038 ,  B81B7/02 ,  B81C2203/0172

摘要： MEMS devices, packaged MEMS devices, and methods of manufacture thereof are disclosed. In one embodiment, a microelectromechanical system (MEMS) device includes a first MEMS functional structure and a second MEMS functional structure. An interior region of the second MEMS functional structure has a pressure that is different than a pressure of an interior region of the first MEMS functional structure.

摘要翻译： 公开了MEMS器件，封装的MEMS器件及其制造方法。 在一个实施例中，微机电系统（MEMS）设备包括第一MEMS功能结构和第二MEMS功能结构。 第二MEMS功能结构的内部区域具有与第一MEMS功能结构的内部区域的压力不同的压力。

公开(公告)号：US20120091454A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US12907620

申请日：2010-10-19

申请人： Kai-Chih Liang ,  Wen-Chuan Tai ,  Chun-Ren Cheng

发明人： Kai-Chih Liang ,  Wen-Chuan Tai ,  Chun-Ren Cheng

IPC分类号： H01L23/58 ,  C23F1/08 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12

摘要： A method for process control is disclosed. The method includes performing an etching process on a semiconductor substrate forming a structure and a test structure having a pattern and a releasing mechanism coupled to the pattern; and monitoring the pattern of the test structure to determine whether the etching process is complete.

摘要翻译： 公开了一种用于过程控制的方法。 该方法包括对形成结构的半导体衬底和具有耦合到图案的图案和释放机构的测试结构进行蚀刻处理; 并监测测试结构的图案，以确定蚀刻过程是否完成。

公开(公告)号：US08647892B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US12907620

申请日：2010-10-19

申请人： Kai-Chih Liang ,  Wen-Chuan Tai ,  Chun-Ren Cheng

发明人： Kai-Chih Liang ,  Wen-Chuan Tai ,  Chun-Ren Cheng

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12

摘要： A method for process control is disclosed. The method includes performing an etching process on a semiconductor substrate forming a structure and a test structure having a pattern and a releasing mechanism coupled to the pattern; and monitoring the pattern of the test structure to determine whether the etching process is complete.

摘要翻译： 公开了一种用于过程控制的方法。 该方法包括对形成结构的半导体衬底和具有耦合到图案的图案和释放机构的测试结构进行蚀刻处理; 并监测测试结构的图案，以确定蚀刻过程是否完成。

公开(公告)号：US20130105868A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13480161

申请日：2012-05-24

申请人： Alexander Kalnitsky ,  Yi-Shao Liu ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Chun-Ren Cheng ,  Chun-Wen Cheng

发明人： Alexander Kalnitsky ,  Yi-Shao Liu ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Chun-Ren Cheng ,  Chun-Wen Cheng

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： G01N27/4145 ,  G01N27/414 ,  G01N27/4148 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L51/0093

摘要： The present disclosure provides a bio-field effect transistor (BioFET) and a method of fabricating a BioFET device. The method includes forming a BioFET using one or more process steps compatible with or typical to a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process. The BioFET device may include a substrate; a gate structure disposed on a first surface of the substrate and an interface layer formed on the second surface of the substrate. The interface layer may allow for a receptor to be placed on the interface layer to detect the presence of a biomolecule or bio-entity.

摘要翻译： 本公开提供了生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。 该方法包括使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或典型的一个或多个工艺步骤形成BioFET。 BioFET器件可以包括衬底; 设置在基板的第一表面上的栅极结构和形成在基板的第二表面上的界面层。 界面层可以允许将受体置于界面层上以检测生物分子或生物实体的存在。

公开(公告)号：US09459234B2

公开(公告)日：2016-10-04

申请号：US13480161

申请日：2012-05-24

申请人： Alexander Kalnitsky ,  Yi-Shao Liu ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Chun-Ren Cheng ,  Chun-Wen Cheng

发明人： Alexander Kalnitsky ,  Yi-Shao Liu ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Chun-Ren Cheng ,  Chun-Wen Cheng

IPC分类号： H01L51/05 ,  G01N27/414 ,  H01L51/00

CPC分类号： G01N27/4145 ,  G01N27/414 ,  G01N27/4148 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L51/0093

摘要： The present disclosure provides a bio-field effect transistor (BioFET) and a method of fabricating a BioFET device. The method includes forming a BioFET using one or more process steps compatible with or typical to a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process. The BioFET device may include a substrate; a gate structure disposed on a first surface of the substrate and an interface layer formed on the second surface of the substrate. The interface layer may allow for a receptor to be placed on the interface layer to detect the presence of a biomolecule or bio-entity.

摘要翻译： 本公开提供了生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。 该方法包括使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或典型的一个或多个工艺步骤形成BioFET。 BioFET器件可以包括衬底; 设置在基板的第一表面上的栅极结构和形成在基板的第二表面上的界面层。 界面层可以允许将受体置于界面层上以检测生物分子或生物实体的存在。

公开(公告)号：US08987059B2

公开(公告)日：2015-03-24

申请号：US13571264

申请日：2012-08-09

申请人： Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Te-Hao Lee ,  Jiou-Kang Lee ,  Chung-Hsien Lin

发明人： Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Te-Hao Lee ,  Jiou-Kang Lee ,  Chung-Hsien Lin

IPC分类号： H01L21/50 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00515 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/035 ,  H01L2224/11

摘要： A microelectromechanical system (MEMS) device may include a MEMS structure over a first substrate. The MEMS structure comprises a movable element. Depositing a first conductive material over the first substrate and etching trenches in a second substrate. Filling the trenches with a second conductive material and depositing a third conductive material over the second conductive material and the second substrate. Bonding the first substrate and the second substrate and thinning a backside of the second substrate which exposes the second conductive material in the trenches.

摘要翻译： 微机电系统（MEMS）装置可以包括在第一基板上的MEMS结构。 MEMS结构包括可移动元件。 在第一衬底上沉积第一导电材料并蚀刻第二衬底中的沟槽。 用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上沉积第三导电材料。 将第一基板和第二基板接合并使第二基板的背面变薄，从而在沟槽中露出第二导电材料。