公开(公告)号：US07915166B1

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US11710652

申请日：2007-02-22

申请人： Yongsik Yu ,  Pramod Subramonium ,  Zhiyuan Fang ,  Jon Henri ,  Elizabeth Apen ,  Dan Vitkavage

发明人： Yongsik Yu ,  Pramod Subramonium ,  Zhiyuan Fang ,  Jon Henri ,  Elizabeth Apen ,  Dan Vitkavage

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/3212 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76867

摘要： Films having high hermeticity and a low dielectric constant can be used as copper diffusion barrier films, etch stop films, CMP stop films and other hardmasks during IC fabrication. Hermetic films can protect the underlying layers, such as layers of metal and dielectric, from exposure to atmospheric moisture and oxygen, thereby preventing undesirable oxidation of metal surfaces and absorption of moisture by a dielectric. Specifically, a bi-layer film having a hermetic bottom layer composed of hydrogen doped carbon and a low dielectric constant (low-k) top layer composed of low-k silicon carbide (e.g., high carbon content hydrogen doped silicon carbide) can be employed. Such bi-layer film can be deposited by PECVD methods on a partially fabricated semiconductor substrate having exposed layers of dielectric and metal.

摘要翻译： 在IC制造过程中，可以使用具有高气密性和低介电常数的膜作为铜扩散阻挡膜，蚀刻停止膜，CMP阻挡膜和其它硬掩模。 密封膜可以保护下面的层，例如金属和电介质层，暴露于大气中的水分和氧气，从而防止金属表面的不期望的氧化和电介质吸收水分。 具体而言，可以使用具有由氢掺杂碳组成的气密底层和由低k碳化硅构成的低介电常数（低k）顶层的双层膜（例如，高碳含量氢掺杂碳化硅） 。 这种双层膜可以通过PECVD方法沉积在具有暴露的介电层和金属层的部分制造的半导体衬底上。

公开(公告)号：US08669181B1

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US13032392

申请日：2011-02-22

申请人： Yongsik Yu ,  Pramod Subramonium ,  Zhiyuan Fang ,  Jon Henri ,  Elizabeth Apen ,  Dan Vitkavage

发明人： Yongsik Yu ,  Pramod Subramonium ,  Zhiyuan Fang ,  Jon Henri ,  Elizabeth Apen ,  Dan Vitkavage

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/3212 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76867

摘要： Films having high hermeticity and a low dielectric constant can be used as copper diffusion barrier films, etch stop films, CMP stop films and other hardmasks during IC fabrication. Hermetic films can protect the underlying layers, such as layers of metal and dielectric, from exposure to atmospheric moisture and oxygen, thereby preventing undesirable oxidation of metal surfaces and absorption of moisture by a dielectric. Specifically, a bi-layer film having a hermetic bottom layer composed of hydrogen doped carbon and a low dielectric constant (low-k) top layer composed of low-k silicon carbide (e.g., high carbon content hydrogen doped silicon carbide) can be employed. Such bi-layer film can be deposited by PECVD methods on a partially fabricated semiconductor substrate having exposed layers of dielectric and metal.

摘要翻译： 在IC制造过程中，可以使用具有高气密性和低介电常数的膜作为铜扩散阻挡膜，蚀刻停止膜，CMP阻挡膜和其它硬掩模。 密封膜可以保护下面的层，例如金属和电介质层，暴露于大气中的水分和氧气，从而防止金属表面的不期望的氧化和电介质吸收水分。 具体而言，可以使用具有由氢掺杂碳组成的气密底层和由低k碳化硅构成的低介电常数（低k）顶层的双层膜（例如，高碳含量氢掺杂碳化硅） 。 这种双层膜可以通过PECVD方法沉积在具有暴露的介电层和金属层的部分制造的半导体衬底上。

公开(公告)号：US08124522B1

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US12082496

申请日：2008-04-11

申请人： Hui-Jung Wu ,  Kimberly Shafi ,  Kaushik Chattopadhyay ,  Keith Fox ,  Tom Mountsier ,  Girish Dixit ,  Bart van Schravendijk ,  Elizabeth Apen

发明人： Hui-Jung Wu ,  Kimberly Shafi ,  Kaushik Chattopadhyay ,  Keith Fox ,  Tom Mountsier ,  Girish Dixit ,  Bart van Schravendijk ,  Elizabeth Apen

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are methods of stabilizing an underlying dielectric diffusion barrier during deposition and ultraviolet (UV) processing of an overlying dielectric layer. Methods include modulating the optical properties reduces the effects of UV radiation on the dielectric diffusion barrier layer. The dielectric diffusion barrier can be made to absorb less UV radiation. A dielectric layer with UV absorbing properties may also be added on top of the diffusion barrier layer so less UV is transmitted. Both methods result in reduced interaction between UV radiation and the dielectric diffusion barrier.

摘要翻译： 提供了在沉积期间稳定底层电介质扩散阻挡层的方法，以及覆盖介电层的紫外线（UV）处理。 方法包括调制光学特性降低了UV辐射对介电扩散阻挡层的影响。 可以使电介质扩散阻挡层吸收较少的UV辐射。 具有UV吸收特性的电介质层也可以添加到扩散阻挡层的顶部，因此传输较少的UV。 两种方法都会降低紫外线辐射与介电扩散阻挡层之间的相互作用。

公开(公告)号：US6146541A

公开(公告)日：2000-11-14

申请号：US848849

申请日：1997-05-02

申请人： Laurie A. Goldstein ,  Timothy J. Warfield ,  Jane K. Gates ,  Elizabeth Apen

发明人： Laurie A. Goldstein ,  Timothy J. Warfield ,  Jane K. Gates ,  Elizabeth Apen

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L22/12 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/906

摘要： A semiconductor wafer (11) having a dielectric layer (12) is used as a calibration standard (10) to calibrate thickness measuring equipment in a wafer processing or manufacturing area. The thickness of the dielectric layer (12) is maintained to a desired thickness by heating the calibration standard (10) to remove contaminants from the dielectric layer (12).

摘要翻译： 使用具有电介质层（12）的半导体晶片（11）作为校准标准（10）来校准晶片加工或制造区域中的厚度测量设备。 通过加热校准标准品（10）以消除介电层（12）中的污染物，将电介质层（12）的厚度保持在所需厚度。