公开(公告)号：US20080014734A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11771214

申请日：2007-06-29

申请人： Young Ok HONG ,  Dong Hwan LEE

发明人： Young Ok HONG ,  Dong Hwan LEE

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A metal line of a semiconductor device comprising contact plugs, a plurality of first trenches, first metal lines, a plurality of second trenches, and second metal lines. The contact plugs are formed over a semiconductor substrate and are insulated from each other by a first insulating layer. The plurality of first trenches are formed in the first insulating layer and are connected to first contact plugs of the contact plugs. The first metal lines are formed within the first trenches and are connected to the first contact plugs. The plurality of second trenches are formed over the first metal lines and the first insulating layer and comprise a second insulating layer connected to second contact plugs of the contact plugs. The second metal lines are formed within the second trenches and are connected to the second contact plugs.

摘要翻译： 包括接触插塞，多个第一沟槽，第一金属线，多个第二沟槽和第二金属线的半导体器件的金属线。 接触插塞形成在半导体衬底之上并且通过第一绝缘层彼此绝缘。 多个第一沟槽形成在第一绝缘层中并连接到接触插塞的第一接触插塞。 第一金属线形成在第一沟槽内，并连接到第一接触插塞。 多个第二沟槽形成在第一金属线和第一绝缘层之上，并且包括连接到接触插塞的第二接触插塞的第二绝缘层。 第二金属线形成在第二沟槽内并连接到第二接触插塞。

公开(公告)号：US20080230830A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US12052914

申请日：2008-03-21

申请人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

发明人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792

摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same is provided to prevent charges stored in a charge trap layer from moving to neighboring memory cells. The method of fabricating a nonvolatile memory device, includes forming a first dielectric layer on a semiconductor substrate in which active regions are defined by isolation layers, forming a charge trap layer on the first dielectric layer, removing the first dielectric layer and the charge trap layer over the isolation layers, forming a second dielectric layer on the isolation layers including the charge trap layer, and forming a conductive layer on the second dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，以防止存储在电荷陷阱层中的电荷移动到相邻存储器单元。 制造非易失性存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一电介质层，其中有源区由隔离层限定，在第一电介质层上形成电荷陷阱层，去除第一介电层和电荷陷阱层 在隔离层上，在包括电荷陷阱层的隔离层上形成第二电介质层，并在第二介电层上形成导电层。

公开(公告)号：US20110204430A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13097479

申请日：2011-04-29

申请人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

发明人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

IPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792

摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same is provided to prevent charges stored in a charge trap layer from moving to neighboring memory cells. The method of fabricating a nonvolatile memory device, includes forming a first dielectric layer on a semiconductor substrate in which active regions are defined by isolation layers, forming a charge trap layer on the first dielectric layer, removing the first dielectric layer and the charge trap layer over the isolation layers, forming a second dielectric layer on the isolation layers including the charge trap layer, and forming a conductive layer on the second dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，以防止存储在电荷陷阱层中的电荷移动到相邻存储器单元。 制造非易失性存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一电介质层，其中有源区由隔离层限定，在第一电介质层上形成电荷陷阱层，去除第一介电层和电荷陷阱层 在隔离层上，在包括电荷陷阱层的隔离层上形成第二电介质层，并在第二介电层上形成导电层。

公开(公告)号：US20120094451A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13338048

申请日：2011-12-27

申请人： Young Ok HONG ,  Myung Shik LEE

发明人： Young Ok HONG ,  Myung Shik LEE

IPC分类号： H01L21/8239

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

摘要： A method for fabricating a non-volatile memory device with asymmetric source/drain junctions, wherein a gate stack is formed on a semiconductor substrate, and impurity ions are implanted at a predetermined angle to form a source/drain junction in the semiconductor substrate. Thermal treatment of the semiconductor substrate forms an asymmetrically disposed source/drain junction between adjacent gate stacks.

摘要翻译： 一种用于制造具有不对称源极/漏极结的非易失性存储器件的方法，其中在半导体衬底上形成栅极堆叠，并且以预定角度注入杂质离子以在半导体衬底中形成源极/漏极结。 半导体衬底的热处理在相邻栅极叠层之间形成不对称设置的源极/漏极结。