公开(公告)号：US20090196349A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12363812

申请日：2009-02-02

申请人： Young-O PARK ,  Kwan-Woong SONG ,  Young-Hun JOO ,  Kwang-Pyo CHOI ,  Yun-Je OH ,  Chang-Su KIM ,  Jae-Kyun AHN

发明人： Young-O PARK ,  Kwan-Woong SONG ,  Young-Hun JOO ,  Kwang-Pyo CHOI ,  Yun-Je OH ,  Chang-Su KIM ,  Jae-Kyun AHN

IPC分类号： H04N11/02

CPC分类号： G06T7/143 ,  G06T7/12 ,  G06T7/194 ,  G06T2207/10016 ,  G06T2207/20092

摘要： A method for estimating a boundary between a background and a user object in a video, in which the user object is segmented from the background is provided. The initial object contour is estimated in a first video frame for object segmentation, and color probability density functions are estimated for the user object and the background segmented from the first video frame. An edge strip with a predetermined width is generated in a current frame based on an object contour of a previous frame, and a coherence probability density function of the edge strip is estimated. The user object is segmented in the current frame by energy minimization.

摘要翻译： 提供了一种用于估计视频中的背景和用户对象之间的边界的方法，其中用户对象从背景被分割。 在用于对象分割的第一视频帧中估计初始对象轮廓，并且针对用户对象和从第一视频帧分割的背景估计颜色概率密度函数。 基于前一帧的对象轮廓在当前帧中生成具有预定宽度的边缘条，并且估计边缘条的相干概率密度函数。 通过能量最小化在当前帧中对用户对象进行分段。

公开(公告)号：US20140210003A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：US14082742

申请日：2013-11-18

申请人： Jae-Hyok KO ,  Han-Gu KIM ,  Min-Chang KO ,  Chang-Su KIM ,  Kyoung-Ki JEON

发明人： Jae-Hyok KO ,  Han-Gu KIM ,  Min-Chang KO ,  Chang-Su KIM ,  Kyoung-Ki JEON

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0705 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A method of manufacturing a diode is provided. An N-type well region is formed in a first upper portion of an N-type epitaxial layer. A P-type drift region is formed in a second upper portion of the N-type epitaxial layer. An N-type doping region is formed in the N-type well region. A P-type doping region is formed in the P-type drift region. An isolation structure is formed in the P-type drift region. The isolation structure is disposed between the P-type doping region and the N-type well region. A first electrode is formed on a portion of the N-type epitaxial layer. The portion of the N-type epitaxial layer is disposed between the N-type well region and the P-type drift region. The first electrode overlaps a portion of the isolation structure. A connection structure is formed to electrically couple the N-type doping region and the first electrode.

摘要翻译： 提供一种制造二极管的方法。 N型阱区形成在N型外延层的第一上部。 P型漂移区形成在N型外延层的第二上部。 在N型阱区中形成N型掺杂区。 在P型漂移区域中形成P型掺杂区域。 在P型漂移区域中形成隔离结构。 隔离结构设置在P型掺杂区域和N型阱区域之间。 第一电极形成在N型外延层的一部分上。 N型外延层的部分配置在N型阱区域和P型漂移区域之间。 第一电极与隔离结构的一部分重叠。 形成连接结构以电耦合N型掺杂区域和第一电极。

公开(公告)号：US20120074540A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13181920

申请日：2011-07-13

申请人： Kyong-Soon CHO ,  Chang-Su KIM ,  Kwan-Jai LEE ,  Kyoung-Sei CHOI ,  Jae-Hyok KO ,  Keung-Beum Kim

发明人： Kyong-Soon CHO ,  Chang-Su KIM ,  Kwan-Jai LEE ,  Kyoung-Sei CHOI ,  Jae-Hyok KO ,  Keung-Beum Kim

IPC分类号： H01L23/552

CPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A structure of a semiconductor chip package is provided. The semiconductor chip package includes: a substrate; a semiconductor chip mounted on a first surface of the substrate; a plurality of electrode pads on a second surface, different from the first surface, of the substrate; and an electrostatic discharge protection pad overlapping a portion of a first electrode pad and a portion of a second electrode pad among the plurality of electrode pads.

摘要翻译： 提供半导体芯片封装的结构。 半导体芯片封装包括：基板; 安装在所述基板的第一表面上的半导体芯片; 与基板的第一表面不同的第二表面上的多个电极焊盘; 以及与所述多个电极焊盘中的第一电极焊盘的一部分和第二电极焊盘的一部分重叠的静电放电保护焊盘。

公开(公告)号：US20100190321A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12623513

申请日：2009-11-23

申请人： Gyu-Hwan OH ,  Young-Lim PARK ,  Soon-Oh PARK ,  Jin-Il LEE ,  Chang-Su KIM

发明人： Gyu-Hwan OH ,  Young-Lim PARK ,  Soon-Oh PARK ,  Jin-Il LEE ,  Chang-Su KIM

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/124 ,  C23C16/32 ,  C23C16/45523 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1666

摘要： Provided is a method of fabricating a phase-change memory device. The phase-change memory device includes a memory cell having a switching device and a phase change pattern. The method includes; forming a TiC layer on a contact electrically connecting the switching device using a plasma enhanced cyclic chemical vapor deposition (PE-cyclic CVD) process, patterning the TiC layer to form a lower electrode on the contact, and forming the phase-change pattern on the lower electrode.

摘要翻译： 提供一种制造相变存储器件的方法。 相变存储器件包括具有开关器件和相变模式的存储器单元。 该方法包括： 在使用等离子体增强循环化学气相沉积（PE循环CVD）工艺电连接开关装置的触点上形成TiC层，图案化TiC层以在触点上形成下电极，并在 下电极。