公开(公告)号：US07400027B2

公开(公告)日：2008-07-15

申请号：US11312744

申请日：2005-12-21

申请人： Young-Soo Joung ,  Yoon-Dong Park ,  In-Kyeong Yoo ,  Myoung-Jae Lee ,  Sun-Ae Seo ,  Hye-Young Kim ,  Seung-Eon Ahn ,  David Seo

发明人： Young-Soo Joung ,  Yoon-Dong Park ,  In-Kyeong Yoo ,  Myoung-Jae Lee ,  Sun-Ae Seo ,  Hye-Young Kim ,  Seung-Eon Ahn ,  David Seo

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device having two or more resistors and methods of forming and using the same. A nonvolatile memory device having two resistance layers, and more particularly, to a nonvolatile memory device formed and operated using a resistance layer having memory switching characteristics and a resistance layer having threshold switching characteristics. The nonvolatile semiconductor memory device may include a lower electrode; a first resistance layer having at least two resistance characteristics formed on the lower electrode, a second resistance layer having threshold switching characteristics formed on the first resistance layer, and an upper electrode formed on the second resistance layer.

摘要翻译： 具有两个或多个电阻器的非易失性存储器件及其形成和使用方法。 具有两个电阻层的非易失性存储器件，更具体地说，涉及使用具有存储器开关特性的电阻层和具有阈值转换特性的电阻层形成和操作的非易失性存储器件。 非易失性半导体存储器件可以包括下电极; 具有形成在所述下电极上的至少两个电阻特性的第一电阻层，形成在所述第一电阻层上的阈值转换特性的第二电阻层和形成在所述第二电阻层上的上电极。

公开(公告)号：US20060131554A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11312744

申请日：2005-12-21

申请人： Young-Soo Joung ,  Yoon-Dong Park ,  In-Kyeong Yoo ,  Myoung-Jae Lee ,  Sun-Ae Seo ,  Hye-Young Kim ,  Seung-Eon Ahn ,  David Seo

发明人： Young-Soo Joung ,  Yoon-Dong Park ,  In-Kyeong Yoo ,  Myoung-Jae Lee ,  Sun-Ae Seo ,  Hye-Young Kim ,  Seung-Eon Ahn ,  David Seo

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device having two or more resistors and methods of forming and using the same. A nonvolatile memory device having two resistance layers, and more particularly, to a nonvolatile memory device formed and operated using a resistance layer having memory switching characteristics and a resistance layer having threshold switching characteristics. The nonvolatile semiconductor memory device may include a lower electrode; a first resistance layer having at least two resistance characteristics formed on the lower electrode, a second resistance layer having threshold switching characteristics formed on the first resistance layer, and an upper electrode formed on the second resistance layer.

摘要翻译： 具有两个或多个电阻器的非易失性存储器件及其形成和使用方法。 具有两个电阻层的非易失性存储器件，更具体地说，涉及使用具有存储器开关特性的电阻层和具有阈值转换特性的电阻层形成和操作的非易失性存储器件。 非易失性半导体存储器件可以包括下电极; 具有形成在所述下电极上的至少两个电阻特性的第一电阻层，形成在所述第一电阻层上的阈值转换特性的第二电阻层和形成在所述第二电阻层上的上电极。

公开(公告)号：US20080121865A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11979432

申请日：2007-11-02

申请人： Seung-Eon Ahn ,  In-Kyeong Yoo ,  Young-Soo Joung ,  Young-Kwan Cha ,  Myoung-Jae Lee ,  David Seo ,  Sun-Ae Seo

发明人： Seung-Eon Ahn ,  In-Kyeong Yoo ,  Young-Soo Joung ,  Young-Kwan Cha ,  Myoung-Jae Lee ,  David Seo ,  Sun-Ae Seo

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device including a lower electrode, a resistor structure disposed on the lower electrode, a middle electrode disposed on the resistor structure, a diode structure disposed on the middle electrode, and an upper electrode disposed on the diode structure. A nonvolatile memory device wherein the resistor structure includes one resistor and the diode structure includes one diode. An array of nonvolatile memory device as described above. Methods of manufacturing a nonvolatile memory device and an array of nonvolatile memory device

摘要翻译： 一种非易失性存储器件，包括下电极，设置在下电极上的电阻结构，设置在电阻结构上的中间电极，设置在中间电极上的二极管结构，以及设置在二极管结构上的上电极。 一种非易失性存储器件，其中电阻器结构包括一个电阻器，二极管结构包括一个二极管。 如上所述的非易失性存储器件阵列。 非易失性存储装置的制造方法以及非易失性存储装置的阵列

公开(公告)号：US07935953B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US11979432

申请日：2007-11-02

申请人： Seung-Eon Ahn ,  In-Kyeong Yoo ,  Young-Soo Joung ,  Young-Kwan Cha ,  Myoung-Jae Lee ,  David Seo ,  Sun-Ae Seo

发明人： Seung-Eon Ahn ,  In-Kyeong Yoo ,  Young-Soo Joung ,  Young-Kwan Cha ,  Myoung-Jae Lee ,  David Seo ,  Sun-Ae Seo

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L23/62

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device including a lower electrode, a resistor structure disposed on the lower electrode, a middle electrode disposed on the resistor structure, a diode structure disposed on the middle electrode, and an upper electrode disposed on the diode structure. A nonvolatile memory device wherein the resistor structure includes one resistor and the diode structure includes one diode. An array of nonvolatile memory device as described above. Methods of manufacturing a nonvolatile memory device and an array of nonvolatile memory device.

摘要翻译： 一种非易失性存储器件，包括下电极，设置在下电极上的电阻结构，设置在电阻结构上的中间电极，设置在中间电极上的二极管结构，以及设置在二极管结构上的上电极。 一种非易失性存储器件，其中电阻器结构包括一个电阻器，二极管结构包括一个二极管。 如上所述的非易失性存储器件阵列。 非易失性存储装置的制造方法以及非易失性存储装置的阵列。

公开(公告)号：US07602042B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11270459

申请日：2005-11-10

申请人： Seung-Eon Ahn ,  In-Kyeong Yoo ,  Young-Soo Joung ,  Young-Kwan Cha ,  Myoung-Jae Lee ,  David Seo ,  Sun-Ae Seo

发明人： Seung-Eon Ahn ,  In-Kyeong Yoo ,  Young-Soo Joung ,  Young-Kwan Cha ,  Myoung-Jae Lee ,  David Seo ,  Sun-Ae Seo

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device including a lower electrode, a resistor structure disposed on the lower electrode, a diode structure disposed on the resistor structure, and an upper electrode disposed on the diode structure. A nonvolatile memory device wherein the resistor structure includes one resistor and the diode structure includes one diode. An array of nonvolatile memory devices as described above.

摘要翻译： 一种非易失性存储器件，包括下电极，设置在下电极上的电阻器结构，设置在电阻器结构上的二极管结构，以及设置在二极管结构上的上电极。 一种非易失性存储器件，其中电阻器结构包括一个电阻器，二极管结构包括一个二极管。 如上所述的非易失性存储器件阵列。

公开(公告)号：US20060098472A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：US11270459

申请日：2005-11-10

申请人： Seung-Eon Ahn ,  In-Kyeong Yoo ,  Young-Soo Joung ,  Young-Kwan Cha ,  Myoung-Jae Lee ,  David Seo ,  Sun-Ae Seo

发明人： Seung-Eon Ahn ,  In-Kyeong Yoo ,  Young-Soo Joung ,  Young-Kwan Cha ,  Myoung-Jae Lee ,  David Seo ,  Sun-Ae Seo

IPC分类号： G11C11/22

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device including a lower electrode, a resistor structure disposed on the lower electrode, a diode structure disposed on the resistor structure, and an upper electrode disposed on the diode structure. A nonvolatile memory device wherein the resistor structure includes one resistor and the diode structure includes one diode. An array of nonvolatile memory devices as described above.

公开(公告)号：US20110059381A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12759096

申请日：2010-04-13

申请人： Seong-Kee YOON ,  Young-Soo Joung ,  Jung-Kum Park ,  Hye-Jung Cho ,  In-Seab Song

发明人： Seong-Kee YOON ,  Young-Soo Joung ,  Jung-Kum Park ,  Hye-Jung Cho ,  In-Seab Song

IPC分类号： H01M8/04 ,  B01J20/00

CPC分类号： H01M8/04164 ,  H01M8/04171

摘要： A fuel cell system includes: a fuel supply unit supplying a fuel; an air supply unit supplying air; a stack including a membrane electrode assembly (MEA) having an air path and a fuel path; a gas-liquid separator connected to an outlet of the fuel path and an outlet of the air path for separating gas-liquid into high-temperature liquid and moisture gas; a mixer mixing the high-temperature liquid separated by the gas-liquid separator and a fuel supplied from the fuel supply unit and connecting the gas-liquid separator and the MEA; a moisture absorbent connected to the gas-liquid separator to absorb condensed liquid in the high-temperature moisture gas; and a heat exchanger to vaporize the liquid absorbed by the moisture absorbent.

摘要翻译： 燃料电池系统包括：供给燃料的燃料供给单元; 供给空气的供气单元; 包括具有空气路径和燃料路径的膜电极组件（MEA）的堆叠; 连接到燃料通道的出口的气液分离器和用于将气液分离成高温液体和湿气的空气通道的出口; 混合由气液分离器分离的高温液体和从燃料供给单元供给的燃料并将气液分离器与MEA连接的混合机; 与气液分离器连接的吸湿剂，以吸收高温湿气中的冷凝液体; 以及用于蒸发由吸湿剂吸收的液体的热交换器。

公开(公告)号：US08481221B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US12759096

申请日：2010-04-13

申请人： Seong-Kee Yoon ,  Young-Soo Joung ,  Jung-Kum Park ,  Hye-Jung Cho ,  In-Seob Song

发明人： Seong-Kee Yoon ,  Young-Soo Joung ,  Jung-Kum Park ,  Hye-Jung Cho ,  In-Seob Song

IPC分类号： H01M8/04

CPC分类号： H01M8/04164 ,  H01M8/04171

摘要： A fuel cell system includes: a fuel supply unit supplying a fuel; an air supply unit supplying air; a stack including a membrane electrode assembly (MEA) having an air path and a fuel path; a gas-liquid separator connected to an outlet of the fuel path and an outlet of the air path for separating gas-liquid into high-temperature liquid and moisture gas; a mixer mixing the high-temperature liquid separated by the gas-liquid separator and a fuel supplied from the fuel supply unit and connecting the gas-liquid separator and the MEA; a moisture absorbent connected to the gas-liquid separator to absorb condensed liquid in the high-temperature moisture gas; and a heat exchanger to vaporize the liquid absorbed by the moisture absorbent.

摘要翻译： 燃料电池系统包括：供给燃料的燃料供给单元; 供给空气的供气单元; 包括具有空气路径和燃料路径的膜电极组件（MEA）的堆叠; 连接到燃料通道的出口的气液分离器和用于将气液分离成高温液体和湿气的空气通道的出口; 混合由气液分离器分离的高温液体和从燃料供给单元供给的燃料并将气液分离器与MEA连接的混合机; 与气液分离器连接的吸湿剂，以吸收高温湿气中的冷凝液体; 以及用于蒸发由吸湿剂吸收的液体的热交换器。

公开(公告)号：US20100209788A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12639948

申请日：2009-12-16

申请人： Seong-Kee Yoon ,  Young-Soo Joung ,  Jung-Kurn Park ,  Hye-Jung Cho ,  In-Seob Song

发明人： Seong-Kee Yoon ,  Young-Soo Joung ,  Jung-Kurn Park ,  Hye-Jung Cho ,  In-Seob Song

IPC分类号： H01M8/04

CPC分类号： H01M8/1011 ,  H01M8/04186 ,  Y02E60/523

摘要： A fuel cell system includes: a fuel cell stack for generating electrical energy by reacting oxidant and mixed fuel, and for discharging non-reacted fuel, oxidant, moisture, and carbon dioxide; a mixer for preparing the mixed fuel by mixing at least a portion of the non-reacted fuel, oxidant and moisture with concentrated fuel and for supplying the mixed fuel to the fuel cell stack; a fuel supply unit for supplying the concentrated fuel to the mixer; an oxidant supply unit for supplying the oxidant to the fuel cell stack; a first heat exchanger between an outlet of the fuel cell stack and the mixer; and a second heat exchanger between the mixer and an inlet of the fuel cell stack.

摘要翻译： 燃料电池系统包括：燃料电池堆，用于通过氧化剂和混合燃料反应产生电能，并用于排出未反应的燃料，氧化剂，水分和二氧化碳; 混合器，用于通过将至少一部分未反应的燃料，氧化剂和水分与浓缩燃料混合并将混合燃料供应到燃料电池堆来制备混合燃料; 用于将浓缩燃料供给到混合器的燃料供给单元; 氧化剂供应单元，用于将氧化剂供应到燃料电池堆; 在燃料电池堆的出口和混合器之间的第一热交换器; 以及在所述混合器和所述燃料电池堆的入口之间的第二热交换器。

公开(公告)号：US20100196769A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12634562

申请日：2009-12-09

申请人： Young-Seung Na ,  In-Seob Song ,  Young-Soo Joung ,  Mi-Jeong Song ,  Hye-Jung Cho

发明人： Young-Seung Na ,  In-Seob Song ,  Young-Soo Joung ,  Mi-Jeong Song ,  Hye-Jung Cho

IPC分类号： H01M8/04 ,  H01M2/00

CPC分类号： H01M8/04194 ,  H01M8/04208 ,  H01M8/0662 ,  H01M8/0668 ,  H01M8/0687 ,  H01M8/1009 ,  H01M8/1011 ,  Y02E60/523 ,  Y02P70/56

摘要： A fuel cell system according to exemplary embodiments of the present invention includes a fuel cell stack that generates electrical energy through the electrochemical reaction of fuel and oxidant, a fuel supply unit for supplying the fuel to the fuel cell stack, and an oxidant supply unit for supplying the oxidant to the fuel cell stack. The fuel supply unit includes a fuel permeation membrane between a space where fuel recovered from the fuel cell stack is positioned and a space where stored fuel is positioned. The fuel cell system enables easy control of the concentration of fuel supplied to the fuel cell stack.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施例的燃料电池系统包括通过燃料和氧化剂的电化学反应产生电能的燃料电池堆，用于将燃料供应到燃料电池堆的燃料供应单元，以及用于 将氧化剂供应到燃料电池堆。 燃料供给单元包括在从燃料电池堆回收的燃料所位于的空间和存储有燃料的空间之间的燃料透过膜。 燃料电池系统能够容易地控制供应到燃料电池堆的燃料的浓度。