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    Memory Device with Barrier Layer
    1.
    发明申请
    Memory Device with Barrier Layer 有权
    具有阻隔层的存储器件

    公开(公告)号：US20080191269A1

    公开(公告)日：2008-08-14

    申请号：US11997464

    申请日：2006-07-21

    申请人： Youseok Suh ,  Satoshi Torii ,  Lei Xue

    发明人： Youseok Suh ,  Satoshi Torii ,  Lei Xue

    IPC分类号： H01L29/792

    CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

    摘要： A memory device (100) may include a substrate (110), a dielectric layer (210) formed on the substrate (110) and a charge storage element (220) formed on the dielectric layer (210). The memory device (100) may also include an inter-gate dielectric (230) formed on the charge storage element (220), a barrier layer (240) formed on the inter-gate dielectric (230) and a control gate (250) formed on the barrier layer (240). The barrier layer (240) prevents reaction between the control gate (250) and the inter-gate dielectric (230).

    摘要翻译： 存储器件（100）可以包括衬底（110），形成在衬底（110）上的电介质层（210）和形成在电介质层（210）上的电荷存储元件（220）。 存储器件（100）还可以包括形成在电荷存储元件（220）上的栅极间电介质（230），形成在栅极间电介质（230）上的阻挡层（240）和控制栅极（250） 形成在阻挡层（240）上。 阻挡层（240）防止控制栅极（250）和栅极间电介质（230）之间的反应。

    Methods for fabricating flash memory devices
    2.
    发明授权
    Methods for fabricating flash memory devices 有权
    制造闪存设备的方法

    公开(公告)号：US07416940B1

    公开(公告)日：2008-08-26

    申请号：US11418352

    申请日：2006-05-03

    申请人： Satoshi Torii ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Youseok Suh ,  Lei Xue

    发明人： Satoshi Torii ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Youseok Suh ,  Lei Xue

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11568

    摘要： Methods for fabricating a flash memory device are provided. A method comprises forming a plurality of gate stacks overlying a substrate. Each gate stack comprises a charge trapping layer and a control gate. The control gate is a first distance from the substrate. Adjacent gate stacks are a second distance apart. A cell spacer material layer is deposited and is etched to form a spacer about sidewalls of each gate stack. A source/drain impurity doped region is formed adjacent a first gate stack and a last gate stack. The first distance and the second distance are such that, when a voltage is applied to a gate stack during a READ operation, a fringing field is created between the control gate of the gate stack and the substrate and is sufficient to invert a portion of the substrate between the gate stack and an adjacent gate stack.

    摘要翻译： 提供了制造闪速存储器件的方法。 一种方法包括形成覆盖衬底的多个栅叠层。 每个栅极堆叠包括电荷捕获层和控制栅极。 控制栅极是离基板的第一距离。 相邻的门堆叠是第二个距离。 沉积电池间隔物材料层并被蚀刻以形成围绕每个栅极叠层的侧壁的间隔物。 在第一栅极堆叠和最后一个栅极堆叠附近形成源极/漏极杂质掺杂区域。 第一距离和第二距离使得当在读取操作期间将电压施加到栅极堆叠时，在栅极堆叠的控制栅极和衬底之间产生边缘场，并且足以将一部分 栅极堆叠和相邻栅极堆叠之间的衬底。

    Memory device with barrier layer
    3.
    发明授权
    Memory device with barrier layer 有权
    具有阻挡层的存储器件

    公开(公告)号：US07816724B2

    公开(公告)日：2010-10-19

    申请号：US11997464

    申请日：2006-07-21

    申请人： Youseok Suh ,  Satoshi Torii ,  Lei Xue

    发明人： Youseok Suh ,  Satoshi Torii ,  Lei Xue

    IPC分类号： H01L29/788

    CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

    摘要： A memory device (100) may include a substrate (110), a dielectric layer (210) formed on the substrate (110) and a charge storage element (220) formed on the dielectric layer (210). The memory device (100) may also include an inter-gate dielectric (230) formed on the charge storage element (220), a barrier layer (240) formed on the inter-gate dielectric (230) and a control gate (250) formed on the barrier layer (240). The barrier layer (240) prevents reaction between the control gate (250) and the inter-gate dielectric (230).

    摘要翻译： 存储器件（100）可以包括衬底（110），形成在衬底（110）上的电介质层（210）和形成在电介质层（210）上的电荷存储元件（220）。 存储器件（100）还可以包括形成在电荷存储元件（220）上的栅极间电介质（230），形成在栅极间电介质（230）上的阻挡层（240）和控制栅极（250） 形成在阻挡层（240）上。 阻挡层（240）防止控制栅极（250）和栅极间电介质（230）之间的反应。

    Memory device with barrier layer
    4.
    发明授权
    Memory device with barrier layer 有权
    具有阻挡层的存储器件

    公开(公告)号：US07053445B1

    公开(公告)日：2006-05-30

    申请号：US11194471

    申请日：2005-08-02

    申请人： Youseok Suh ,  Satoshi Torii ,  Lei Xue

    发明人： Youseok Suh ,  Satoshi Torii ,  Lei Xue

    IPC分类号： H01L29/788

    CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

    摘要： A memory device may include a substrate, a dielectric layer formed on the substrate and a charge storage element formed on the dielectric layer. The memory device may also include an inter-gate dielectric formed on the charge storage element, a barrier layer formed on the inter-gate dielectric and a control gate formed on the barrier layer. The barrier layer prevents reaction between the control gate and the inter-gate dielectric.

    摘要翻译： 存储器件可以包括衬底，形成在衬底上的电介质层和形成在电介质层上的电荷存储元件。 存储器件还可以包括形成在电荷存储元件上的栅极间电介质，形成在栅极间电介质上的阻挡层和形成在阻挡层上的控制栅极。 阻挡层防止控制栅极和栅极间电介质之间的反应。